公开(公告)号：CN1297169A

公开(公告)日：2001-05-30

申请号：CN00126840.6

申请日：2000-09-06

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东友半导体株式会社

Inventor： 周振豪 ,  李有京 ,  朴弘植 ,  罗允静 ,  金玑洙 ,  姜圣哲 ,  康升镇

IPC: G03F7/16

CPC classification number: G03F7/0048 ,  G03F7/0226 ,  G03F7/162

Abstract: 本发明提供了一种阳性光致抗蚀剂层的制备方法。在该方法中,将所述光致抗蚀剂组合物滴加到形成于基片上的绝缘层或导电性金属层上。所述光致抗蚀剂组合物包含聚合物树脂、由于曝光而使光致抗蚀剂层的溶解度发生改变的感光剂及溶剂。将上述涂敷了光致抗蚀剂组合物的基片以1250至1350rpm的转速旋转4.2至4.8秒。然后,干燥上述涂覆了光致抗蚀剂组合物的基片并将上述干燥的基片进行曝光。接着,利用碱性显像液清除曝光部位。所述溶剂包括乙酸3－甲氧基丁酯和4－丁内酯,或者包括乙酸3－甲氧基丁酯、2－庚酮和4－丁内酯。

公开(公告)号：CN1288178A

公开(公告)日：2001-03-21

申请号：CN00126260.2

申请日：2000-08-30

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东友半导体株式会社

Inventor： 周振豪 ,  李有京 ,  朴弘植 ,  罗允静 ,  金玑洙 ,  姜圣哲 ,  康升镇

IPC: G03F7/008

CPC classification number: G03F7/0048 ,  G03F7/0226

Abstract: 本发明涉及一种感光速度及残膜率优秀,恶臭的发生量少,从而能够改善作业环境的正型光致抗蚀剂组合物,其包括:用以形成光致抗蚀剂层的高分子树脂、由于曝光而使光致抗蚀剂层的溶解度发生改变的感光性化合物以及作为溶剂的3－甲氧丁基乙酯、2－庚酮和4－丁内酯。

公开(公告)号：CN1158569C

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：CN00126263.7

申请日：2000-08-30

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东友半导体株式会社

Inventor： 罗振豪 ,  李有京 ,  朴弘植 ,  罗允静 ,  金玑洙 ,  姜圣哲 ,  康升镇

IPC: G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0048 ,  G03F7/0226

Abstract: 本发明提供了一种光致抗蚀剂组合物，其包括：用以形成光致抗蚀剂层的聚合物树脂、由于曝光而使光致抗蚀剂层的溶解度发生改变的感光化学品以及作为溶剂的乙酸3-甲氧基丁酯和4-丁内酯。该组合物具有良好的感光性和残膜率，且没有恶臭。

公开(公告)号：CN1289070A

公开(公告)日：2001-03-28

申请号：CN00126263.7

申请日：2000-08-30

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东友半导体株式会社

Inventor： 罗振豪 ,  李有京 ,  朴弘植 ,  罗允静 ,  金玑洙 ,  姜圣哲 ,  康升镇

IPC: G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0048 ,  G03F7/0226

Abstract: 本发明提供了一种光致抗蚀剂组合物,其包括:用以形成光致抗蚀剂层的聚合物树脂、由于曝光而使光致抗蚀剂层的溶解度发生改变的感光化学品以及作为溶剂的乙酸3－甲氧基丁酯和4－丁内酯。该组合物具有良好的感光性和残膜率,且没有恶臭。

公开(公告)号：CN1184534C

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：CN00126840.6

申请日：2000-09-06

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东友半导体株式会社

Inventor： 周振豪 ,  李有京 ,  朴弘植 ,  罗允静 ,  金玑洙 ,  姜圣哲 ,  康升镇

IPC: G03F7/022 ,  G03F7/16 ,  B05D1/40

CPC classification number: G03F7/0048 ,  G03F7/0226 ,  G03F7/162

Abstract: 本发明提供了一种正型光致抗蚀剂层的制备方法。在该方法中，将所述光致抗蚀剂组合物滴加到形成于基片上的绝缘层或导电性金属层上。所述光致抗蚀剂组合物包含聚合物树脂、由于曝光而使光致抗蚀剂层的溶解度发生改变的感光剂及溶剂。将上述涂敷了光致抗蚀剂组合物的基片以1250至1350rpm的转速旋转4.2至4.8秒。然后，干燥上述涂覆了光致抗蚀剂组合物的基片并将上述干燥的基片进行曝光。接着，利用碱性显像液清除曝光部位。所述溶剂包括乙酸3-甲氧基丁酯和γ-丁内酯，或者包括乙酸3-甲氧基丁酯、2-庚酮和γ-丁内酯。

公开(公告)号：CN1749354B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200510106764.X

申请日：2005-08-25

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东友半导体株式会社

Inventor： 赵弘济 ,  李承傭 ,  李俊雨 ,  李在连 ,  千承焕 ,  崔容硕 ,  朴英哲 ,  金珍洙 ,  金圭祥 ,  崔东旭 ,  林官泽

IPC: C09K13/04 ,  C23F1/16

CPC classification number: C09K13/06

Abstract: 一种用于除去铟氧化物层的蚀刻剂，包括主氧化剂硫酸，诸如H3PO4、HNO3、CH3COOH、HClO4、H2O2和混合物A的辅助氧化剂，含有铵-基材料的蚀刻抑制剂，及水，其中所述混合物A由过一硫酸钾(2KHSO5)、硫酸氢钾(KHSO4)和硫酸钾(K2SO4)按5∶3∶2的比例混合得到。这种蚀刻剂可以除去铟氧化物层需要去除的部分，而不破坏光刻胶图案或铟氧化物层下面的各层。

公开(公告)号：CN1749354A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200510106764.X

申请日：2005-08-25

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东友半导体株式会社

Inventor： 赵弘济 ,  李承傭 ,  李俊雨 ,  李在连 ,  千承焕 ,  崔容硕 ,  朴英哲 ,  金珍洙 ,  金圭祥 ,  崔东旭 ,  林官泽

IPC: C09K13/04 ,  C23F1/16

CPC classification number: C09K13/06

Abstract: 一种用于除去铟氧化物层的蚀刻剂，包括主氧化剂硫酸，诸如H3PO4、HNO3、CH3COOH、HClO4、H2O2和混合物A的辅助氧化剂，含有铵－基材料的蚀刻抑制剂及水，其中所述混合物A由过一硫酸钾(2KHSO5)、硫酸氢钾(KHSO4)和硫酸钾(K2SO4)按5∶3∶2的比例混合得到。这种蚀刻剂可以除去铟氧化物层需要去除的部分，而不破坏光刻胶图案或铟氧化物层下面的各层。

公开(公告)号：CN1163797C

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN00126260.2

申请日：2000-08-30

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东友半导体株式会社

Inventor： 周振豪 ,  李有京 ,  朴弘植 ,  罗允静 ,  金玑洙 ,  姜圣哲 ,  康升镇

IPC: G03F7/008

CPC classification number: G03F7/0048 ,  G03F7/0226

Abstract: 本发明涉及一种感光速度及残膜率优秀，恶臭的发生量少，从而能够改善作业环境的正型光致抗蚀剂组合物，其包括：用以形成光致抗蚀剂层的高分子树脂、由于曝光而使光致抗蚀剂层的溶解度发生改变的感光性化合物以及作为溶剂的3-甲氧丁基乙酯、2-庚酮和4-丁内酯。