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公开(公告)号：CN1184534C
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN00126840.6
申请日：2000-09-06
CPC classification number: G03F7/0048 , G03F7/0226 , G03F7/162
Abstract: 本发明提供了一种正型光致抗蚀剂层的制备方法。在该方法中，将所述光致抗蚀剂组合物滴加到形成于基片上的绝缘层或导电性金属层上。所述光致抗蚀剂组合物包含聚合物树脂、由于曝光而使光致抗蚀剂层的溶解度发生改变的感光剂及溶剂。将上述涂敷了光致抗蚀剂组合物的基片以1250至1350rpm的转速旋转4.2至4.8秒。然后，干燥上述涂覆了光致抗蚀剂组合物的基片并将上述干燥的基片进行曝光。接着，利用碱性显像液清除曝光部位。所述溶剂包括乙酸3-甲氧基丁酯和γ-丁内酯，或者包括乙酸3-甲氧基丁酯、2-庚酮和γ-丁内酯。
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公开(公告)号：CN1297169A
公开(公告)日：2001-05-30
申请号：CN00126840.6
申请日：2000-09-06
IPC: G03F7/16
CPC classification number: G03F7/0048 , G03F7/0226 , G03F7/162
Abstract: 本发明提供了一种阳性光致抗蚀剂层的制备方法。在该方法中,将所述光致抗蚀剂组合物滴加到形成于基片上的绝缘层或导电性金属层上。所述光致抗蚀剂组合物包含聚合物树脂、由于曝光而使光致抗蚀剂层的溶解度发生改变的感光剂及溶剂。将上述涂敷了光致抗蚀剂组合物的基片以1250至1350rpm的转速旋转4.2至4.8秒。然后,干燥上述涂覆了光致抗蚀剂组合物的基片并将上述干燥的基片进行曝光。接着,利用碱性显像液清除曝光部位。所述溶剂包括乙酸3－甲氧基丁酯和4－丁内酯,或者包括乙酸3－甲氧基丁酯、2－庚酮和4－丁内酯。
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公开(公告)号：CN1288178A
公开(公告)日：2001-03-21
申请号：CN00126260.2
申请日：2000-08-30
IPC: G03F7/008
CPC classification number: G03F7/0048 , G03F7/0226
Abstract: 本发明涉及一种感光速度及残膜率优秀,恶臭的发生量少,从而能够改善作业环境的正型光致抗蚀剂组合物,其包括:用以形成光致抗蚀剂层的高分子树脂、由于曝光而使光致抗蚀剂层的溶解度发生改变的感光性化合物以及作为溶剂的3－甲氧丁基乙酯、2－庚酮和4－丁内酯。
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公开(公告)号：CN1163797C
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN00126260.2
申请日：2000-08-30
IPC: G03F7/008
CPC classification number: G03F7/0048 , G03F7/0226
Abstract: 本发明涉及一种感光速度及残膜率优秀，恶臭的发生量少，从而能够改善作业环境的正型光致抗蚀剂组合物，其包括：用以形成光致抗蚀剂层的高分子树脂、由于曝光而使光致抗蚀剂层的溶解度发生改变的感光性化合物以及作为溶剂的3-甲氧丁基乙酯、2-庚酮和4-丁内酯。
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公开(公告)号：CN1158569C
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：CN00126263.7
申请日：2000-08-30
IPC: G03F7/00
CPC classification number: G03F7/0048 , G03F7/0226
Abstract: 本发明提供了一种光致抗蚀剂组合物，其包括：用以形成光致抗蚀剂层的聚合物树脂、由于曝光而使光致抗蚀剂层的溶解度发生改变的感光化学品以及作为溶剂的乙酸3-甲氧基丁酯和4-丁内酯。该组合物具有良好的感光性和残膜率，且没有恶臭。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1289070A
公开(公告)日：2001-03-28
申请号：CN00126263.7
申请日：2000-08-30
IPC: G03F7/00
CPC classification number: G03F7/0048 , G03F7/0226
Abstract: 本发明提供了一种光致抗蚀剂组合物,其包括:用以形成光致抗蚀剂层的聚合物树脂、由于曝光而使光致抗蚀剂层的溶解度发生改变的感光化学品以及作为溶剂的乙酸3－甲氧基丁酯和4－丁内酯。该组合物具有良好的感光性和残膜率,且没有恶臭。
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公开(公告)号：CN105426071A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510595070.0
申请日：2015-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/0484 , G06F3/0487
Abstract: 公开了一种电子装置以及控制其屏幕的显示的方法。所述方法包括：选择第一图像和第二图像；选择包括至少一个第一区域和至少一个第二区域的掩模图案；测量电子装置的倾斜度；基于测量出的电子装置的倾斜度，确定第一图像的显示在与所述至少一个第一区域相应的屏幕中的部分以及第二图像的显示在与所述至少一个第二区域相应的屏幕中的部分，并将第一图像的所确定的部分和第二图像的所确定的部分输出在显示单元上。
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公开(公告)号：CN101159171B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200710092110.5
申请日：2007-04-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种具有楔形电阻性尖端的半导体探针及该半导体探针的制造方法。所述半导体探针包括：掺杂有第一杂质的电阻性尖端，具有掺杂有极性与所述第一杂质相反的低浓度的第二杂质的电阻区，并在所述电阻性尖端的两侧斜面上具有掺杂有高浓度的第二杂质的第一和第二半导体电极区；和悬臂，在其边缘上具有所述电阻性尖端，其中所述电阻性尖端的端部具有楔形。
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公开(公告)号：CN100521275C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200510135660.1
申请日：2005-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种MLD(磁逻辑装置)以及制造和操作该磁逻辑装置的方法。所述MLD包括：第一互连部分；下磁层，形成在所述第一互连部分上，所述下磁层的磁方向被固定为预定方向；非磁层，形成在所述下磁层上；上磁层，形成在所述非磁层上，所述上磁层的磁方向与所述下磁层的磁方向平行或反向平行；第二互连部分，形成在所述上磁层上。第一电流源置于第一互连部分的一端和第二互连部分的一端之间，第二电流源置于第一互连部分的另一端和第二互连部分的另一端之间。
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