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公开(公告)号:CN100381920C
公开(公告)日:2008-04-16
申请号:CN02827158.0
申请日:2002-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F2001/136295
Abstract: 首先,利用含有8-12%Ce(NH4)2(NO3)6、10-20%NH3及残留超纯水的蚀刻剂来沉积Cr层和CrOx层并制作布线图案,以形成包括多条栅极线、多个栅极、以及多个栅极衬垫的栅极布线。然后,顺次形成栅极绝缘层、半导体层、及欧姆接触层。利用含有8-12%Ce(NH4)2(NO3)6、10-20%NH3及残留超纯水的蚀刻剂来沉积Cr层和CrOx层并制作布线图案,以形成包括多条数据线、多个源极、多个漏极、及多个数据衬垫的数据布线。接着,沉积钝化层并制作布线图案以形成分别露出漏极、栅极衬垫、及数据衬垫的接触孔。沉积透明导电材料或反射性导电材料并制作布线图案以形成分别与漏极、栅极衬垫、及数据衬垫电连接的多个像素电极、多个辅助栅极衬垫、及多个辅助数据衬垫。将具有低反射比的栅极线和数据线作为遮光层用于遮挡像素区域之间光泄漏,而不增加黑色亮度。因此,无需在滤色器面板上设置单独的黑阵,从而可获得像素的纵横比和高对比度。
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公开(公告)号:CN1607169A
公开(公告)日:2005-04-20
申请号:CN200410033824.5
申请日:2004-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: B65G49/06
CPC classification number: G03F7/70791 , B65G49/061 , B65G2249/02 , G02F2001/133302
Abstract: 本发明涉及一种传送液晶显示器基片的装置,该装置具有1500mm×1800mm以上的大小,包括:一对平行支撑臂,呈棒状且支撑该基片的两端区域;以及至少一个辅助臂,设置在支撑臂之间。通过这种配置,本发明提供了一种传送装置,该传送装置使用于液晶显示器的大型基片的形变最小化同时传送该基片,从而防止由于形变而致缺陷并稳定制造工序。
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公开(公告)号:CN1625590A
公开(公告)日:2005-06-08
申请号:CN02828720.7
申请日:2002-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K13/00
CPC classification number: C23F1/30 , C09K13/06 , C23F1/02 , H01L21/32134 , H01L27/124 , H01L27/13
Abstract: 根据本发明的制造薄膜晶体管阵列面板的方法在绝缘基片上形成栅极布线。该栅极布线包含多条栅极线和与栅极线连接的多个栅极。依次形成半导体层及栅极绝缘层并在其上形成数据布线。该数据布线包括与栅极线交叉的多条数据线、与数据线连接并置于栅极附近的多个源极、及相对于栅极位于源极对面的多个漏极。沉积钝化层并对钝化层进行制作布线图案,以形成至少露出漏极的多个接触孔。在钝化层上沉积由银或银合金组成的导电层,利用包含硝酸铁、硝酸、乙酸、六亚甲基四胺、及去离子水的蚀刻剂对导电层制作布线图案,以形成与漏极电连接的多个反射层。
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公开(公告)号:CN1623236A
公开(公告)日:2005-06-01
申请号:CN02828517.4
申请日:2002-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L21/28008 , G03F7/0047 , H01L21/288 , H01L21/32051 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/66765 , H01L29/78669 , H01L51/0003 , H01L51/0015 , H01L51/0021 , H01L51/0545
Abstract: 本发明涉及一种金属图案的形成方法及利用该金属图案形成方法的薄膜晶体管阵列面板制造方法,通过涂布含金属的有机金属络合物形成有机金属层。通过光掩模将该有机金属层曝光,并且显像以形成金属图案。
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公开(公告)号:CN100454495C
公开(公告)日:2009-01-21
申请号:CN200410048125.8
申请日:2004-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/203 , H01L21/205 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67069 , B08B7/0035 , C23C16/4405 , H01J37/32568 , H01J37/32862
Abstract: 本发明涉及一种干蚀刻装置,包括箱体,用于形成等离子进行干蚀刻工序;下部电极,包含排出箱体内部反应气体的排气口,并且设置基片;上部电极,与下部电极隔开面对。而且,这种干蚀刻装置包括清洗部,清洗部与电源进行电连接,包括:清洗时为了形成包含清洗用气体的等离子的清洗用电极;可引导清洗用电极水平移动的电极引导部件及支撑清洗用电极并引导清洗用电极垂直移动的电极支撑体。向清洗用电极施加电源形成等离子,并通过它除去箱体内壁残留的污染物。
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公开(公告)号:CN100442539C
公开(公告)日:2008-12-10
申请号:CN02828517.4
申请日:2002-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L21/28008 , G03F7/0047 , H01L21/288 , H01L21/32051 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/66765 , H01L29/78669 , H01L51/0003 , H01L51/0015 , H01L51/0021 , H01L51/0545
Abstract: 本发明涉及一种金属图案的形成方法及利用该金属图案形成方法的薄膜晶体管阵列面板制造方法,通过涂布含金属的有机金属络合物形成有机金属层。通过光掩模将该有机金属层曝光,并且显像以形成金属图案。
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公开(公告)号:CN1597134A
公开(公告)日:2005-03-23
申请号:CN200410078042.3
申请日:2004-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: B05B9/00 , B05B12/10 , G02F1/1333
CPC classification number: B05B1/205 , B05C11/1007 , B05C11/1042 , H01L21/6708
Abstract: 本发明提供了一种生产用溶液供给系统以及用于方便地供给生产用溶液的方法。生产用溶液供给装置在可控的温度下将生产用溶液提供给用于通过多个喷头将生产用溶液喷射到基片上的处理装置。将生产用溶液通过通道输送到喷头,在一个实施例中,其可包括管道装置。通道可方便地利用连接管、热传感器、及管道装置控制温度,以便从多个喷头喷射的生产用溶液的温度基本等于最初从生产用溶液供给装置供给的生产用溶液的温度。
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公开(公告)号:CN1311056C
公开(公告)日:2007-04-18
申请号:CN02828720.7
申请日:2002-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K13/00
CPC classification number: C23F1/30 , C09K13/06 , C23F1/02 , H01L21/32134 , H01L27/124 , H01L27/13
Abstract: 根据本发明的制造薄膜晶体管阵列面板的方法在绝缘基片上形成栅极布线。该栅极布线包含多条栅极线和与栅极线连接的多个栅极。依次形成半导体层及栅极绝缘层并在其上形成数据布线。该数据布线包括与栅极线交叉的多条数据线、与数据线连接并置于栅极附近的多个源极、及相对于栅极位于源极对面的多个漏极。沉积钝化层并对钝化层进行制作布线图案,以形成至少露出漏极的多个接触孔。在钝化层上沉积由银或银合金组成的导电层,利用包含硝酸铁、硝酸、乙酸、六亚甲基四胺、及去离子水的蚀刻剂对导电层制作布线图案,以形成与漏极电连接的多个反射层。
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公开(公告)号:CN1267769C
公开(公告)日:2006-08-02
申请号:CN200410037201.5
申请日:2004-04-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/133 , H05H1/00 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/32082
Abstract: 本发明涉及一种等离子箱体,该等离子箱体包括下部电极和上部电极,并用于干蚀刻液晶显示器,包括:主电源部,包括用于产生具有预定主频率的主电压的主电源和用于阻抗匹配主电压的第一阻抗匹配电路;偏压电源部,包括用于产生具有预定偏压频率的偏电压的偏压电源和用于阻抗匹配偏电压的第二阻抗匹配电路;以及混频器,与第一阻抗匹配电路和第二阻抗匹配电路连接、接收并混合主电压和偏电压,且向下部电极和上部电极中的一个电极输出的混合电压。就这种配置而言,本发明提供一种等离子箱体,其中将诸如蚀刻率、蚀刻剖面、选择比等这类的工艺条件进行精确调整。
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公开(公告)号:CN1615452A
公开(公告)日:2005-05-11
申请号:CN02827158.0
申请日:2002-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F2001/136295
Abstract: 首先,利用含有8-12%Ce(NH4)2(NO3)6、10-20%NH3及残留超纯水的蚀刻剂来沉积Cr层和CrOx层并制作布线图案,以形成包括多条栅极线、多个栅极、以及多个栅极衬垫的栅极布线。然后,顺次形成栅极绝缘层、半导体层、及欧姆接触层。利用含有8-12%Ce(NH4)2(NO3)6、10-20%NH3及残留超纯水的蚀刻剂来沉积Cr层和CrOx层并制作布线图案,以形成包括多条数据线、多个源极、多个漏极、及多个数据衬垫的数据布线。接着,沉积钝化层并制作布线图案以形成分别露出漏极、栅极衬垫、及数据衬垫的接触孔。沉积透明导电材料或反射性导电材料并制作布线图案以形成分别与漏极、栅极衬垫、及数据衬垫电连接的多个像素电极、多个辅助栅极衬垫、及多个辅助数据衬垫。将具有低反射比的栅极线和数据线作为遮光层用于遮挡像素区域之间光泄漏,而不增加黑色亮度。因此,无需在滤色器面板上设置单独的黑阵,从而可获得像素的纵横比和高对比度。
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