公开(公告)号：CN114171519A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202110932691.9

申请日：2021-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李将银 ,  李民妵 ,  金完敦 ,  申铉振 ,  李贤培 ,  林炫锡

IPC: H01L27/108

Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括元件隔离层，所述元件隔离层限定有源区；多条字线，所述多条字线在第一方向上横贯所述有源区；和多个位线结构，所述多个位线结构位于所述衬底上并且连接到所述有源区，所述多个位线结构在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。所述多个位线结构中的每一个位线结构包括：钌线路布线，所述钌线路布线包括底表面和与所述底表面相对的顶表面；下石墨烯层，所述下石墨烯层与所述钌线路布线的所述底表面接触并且沿着所述钌线路布线的所述底表面延伸；以及布线覆盖层，所述布线覆盖层沿着所述钌线路布线的所述顶表面延伸。

公开(公告)号：CN113224127A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202011535068.1

申请日：2020-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  薛珉洙 ,  申铉振

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开提供了一种包括至少一个二维(2D)沟道的晶体管和电子设备。根据一些示例实施方式的晶体管包括彼此分开的第一至第三电极以及与第一电极和第二电极接触、平行于第三电极并且包括至少一个2D沟道的沟道层。所述至少一个2D沟道包括具有不同掺杂浓度的至少两个区域。根据一些示例实施方式的晶体管包括：彼此分开的第一至第三电极；与第一电极和第二电极接触并平行于第三电极的2D沟道层；第一掺杂层，设置在与第一电极对应的二维沟道层下方；以及第二掺杂层，设置在与第二电极对应的2D沟道层下方，其中第一掺杂层和第二掺杂层与2D沟道层接触。

公开(公告)号：CN113161412A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202011576877.7

申请日：2020-12-28

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 李珉贤 ,  薛珉洙 ,  张镐元 ,  赵连柱 ,  申铉振

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  B82Y30/00

Abstract: 本公开提供场效应晶体管及其制造方法，该场效应晶体管包括具有二维材料的栅绝缘层。该场效应晶体管可以包括：第一沟道层；设置在第一沟道层上的第二沟道层；设置在第二沟道层上的栅绝缘层；设置在栅绝缘层上的栅电极；电连接到第一沟道层的第一电极；以及电连接到第二沟道层的第二电极。这里，栅绝缘层可以包括绝缘高k二维材料。

公开(公告)号：CN109830548A

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201810538676.4

申请日：2018-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵常玹 ,  李载昊 ,  金海龙 ,  申铉振

IPC: H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/107 ,  H01L27/146 ,  G01S17/08

Abstract: 具有小形状尺寸并相对于可见光和红外线两者具有高探测效率的一种光电探测器可以包括第一电极、在第一电极上的收集层、在收集层上的隧道势垒层、在隧道势垒层上的石墨烯层、在石墨烯层上的发射层以及在发射层上的第二电极。该光电探测器可以被包括在图像传感器中。一种图像传感器可以包括基板、在基板上的绝缘层和在绝缘层上的多个光电探测器。光电探测器可以在平行于或垂直于绝缘层的顶表面延伸的方向上彼此对准。光电探测器可以被包括在LiDAR系统中。

公开(公告)号：CN105280594B

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201510042066.1

申请日：2015-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载昊 ,  申铉振 ,  李珉贤 ,  李昌锡

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L21/187 ,  H01L21/28512 ,  H01L23/485 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/45 ,  H01L29/456 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7839 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种石墨烯‑金属接合结构、制造石墨烯‑金属接合结构的方法和包括该石墨烯‑金属接合结构的半导体器件。根据示例实施方式，一种石墨烯‑金属接合结构包括：石墨烯层；在石墨烯层上的金属层；以及在石墨烯层和金属层之间的中间材料层。中间材料层从中间材料层中包含的材料的接触金属层的边界部分与金属层形成边缘接触。

公开(公告)号：CN109254499A

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201810756231.3

申请日：2018-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛珉洙 ,  金尚元 ,  申铉振 ,  李东郁 ,  朴晟准 ,  李润姓 ,  郑盛骏 ,  A.郑

IPC: G03F7/09 ,  G03F7/00

Abstract: 提供硬掩模组合物、使用硬掩模组合物形成图案的方法、和由硬掩模组合物形成的硬掩模，所述硬掩模组合物包括由式1表示的结构和溶剂，其中在式1中，R1-R8、X和M详细地描述于具体实施方式部分中。式1

公开(公告)号：CN107359686A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710325561.2

申请日：2017-05-10

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 卞卿溵 ,  金在瑛 ,  薛珉洙 ,  申铉振 ,  白正民 ,  梁宇正 ,  芮秉旭 ,  李在元 ,  李镇杓 ,  金京男

IPC: H02J7/32

CPC classification number: H02N1/04 ,  H02J7/32

Abstract: 本发明公开了一种摩擦电发生器，该摩擦电发生器包括构造为通过滑动运动而彼此接触的第一充电部和第二充电部。此外，该摩擦电发生器包括构造为将电荷储存器间歇地连接到第二充电部的接地单元。接地单元被构造为改变第二充电部的电位从而放大在该摩擦电发生器的电极之间流动的电流。

公开(公告)号：CN106410002A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610601246.3

申请日：2016-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋伣在 ,  南胜杰 ,  朴晟准 ,  申建旭 ,  申铉振 ,  李载昊 ,  李昌锡 ,  赵连柱

IPC: H01L33/14

Abstract: 本发明涉及包括扩散阻挡层的多层结构体、包括其的器件和电子器件。所述多层结构体包括第一材料层、第二材料层、和扩散阻挡层。所述第二材料层连接至所述第一材料层。所述第二材料层与所述第一材料层隔开。所述扩散阻挡层在所述第一材料层和所述第二材料层之间。所述扩散阻挡层可包括二维(2D)材料。所述2D材料可为非基于石墨烯的材料，如具有2D晶体结构的基于金属硫属化物的材料。所述第一材料层可为半导体或绝缘体，且所述第二材料层可为导体。所述多层结构体的至少一部分可构成用于电子器件的互连。

公开(公告)号：CN106067739A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201610244475.4

申请日：2016-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  卞卿溵 ,  薛珉洙 ,  朴晟准

IPC: H02N1/04

Abstract: 一种摩擦电产生器包括：彼此面对的第一电极和第二电极；以及第一能量产生层，提供在第一电极上并且通过与其它材料接触而产生电能，第一能量产生层包括具有二维(2D)形状的晶体结构的2D材料。

公开(公告)号：CN105280594A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510042066.1

申请日：2015-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载昊 ,  申铉振 ,  李珉贤 ,  李昌锡

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L21/187 ,  H01L21/28512 ,  H01L23/485 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/45 ,  H01L29/456 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7839 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种石墨烯-金属接合结构、制造石墨烯-金属接合结构的方法和包括该石墨烯-金属接合结构的半导体器件。根据示例实施方式，一种石墨烯-金属接合结构包括：石墨烯层；在石墨烯层上的金属层；以及在石墨烯层和金属层之间的中间材料层。中间材料层从中间材料层中包含的材料的接触金属层的边界部分与金属层形成边缘接触。