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公开(公告)号:CN1722379B
公开(公告)日:2011-11-23
申请号:CN200510078339.4
申请日:2005-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/31122
Abstract: 在金属-绝缘体-金属(MIM)型电容器的金属氮化物下电极上形成金属氮氧化物籽晶介质层。金属氮氧化物籽晶介质层充当阻挡层以减少在例如,用于在包括MIM型电容器的集成电路中形成金属化上层的后处理期间与金属氮化物下电极的反应。包含在金属氮氧化物籽晶介质层中的氮能够减少发生在常规型MIM电容器中的反应的类型。金属氧化物主介质层形成在金属氮氧化物籽晶介质层上并保持与MIM型电容器中的金属氮氧化物籽晶介质层独立。稳定(例如,使用热处理或等离子处理)金属氧化物主介质层以消除其中的缺陷(例如碳)并调整金属氧化物主介质层的化学计量。
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公开(公告)号:CN102013232A
公开(公告)日:2011-04-13
申请号:CN201010199107.5
申请日:2010-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G09G3/34 , G09G3/36 , G02F1/13357
CPC classification number: H05B33/0818 , G09G3/3426 , G09G2320/0233 , G09G2320/0238 , H05B33/086
Abstract: 本发明公开了一种光源调光方法及用于执行该方法的显示装置。一种光源模块的调光方法,光源模块包括:导光板、包括第一光源块~第k光源块的第一发光模块以及包括第一光源块~第m光源块的第二发光模块,其中,第一发光模块设置在导光板的第一边缘处,第二发光模块设置在导光板的第二边缘处,该第二边缘设置为与第一边缘相对,该方法包括:基于图像信号,生成第一组驱动信号和第二组驱动信号,以及在基准时段的第一时段期间,使用第一组驱动信号驱动第一光源块~第k光源块,并且在基准时段的第二时段期间,使用第二组驱动信号驱动第一光源块~第m光源块。
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公开(公告)号:CN101640030A
公开(公告)日:2010-02-03
申请号:CN200910160156.5
申请日:2009-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G09G3/3406 , G09G3/3648 , G09G2310/066 , G09G2320/0209 , G09G2320/0219 , G09G2320/0276 , G09G2320/064 , G09G2320/0646 , G09G2330/025 , G09G2330/06 , G09G2360/16 , H05B33/0815 , H05B33/0818 , H05B33/0848
Abstract: 本发明提供了一种减小了瀑布噪声和改进了显示品质的显示装置。所述显示装置包括:LED光源,发射光;显示面板,接收光以显示图像;背光驱动器,调整流过LED光源的LED电流I_LED的大小和占空比。LED电流I_LED的波形包括上升段和下降段中的至少一种,在上升段中,LED电流的大小从截止电流值逐渐增加到峰值,在下降段中,LED电流的大小从峰值逐渐减小到截止电流值。这减小了瀑布噪声。
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公开(公告)号:CN101350175A
公开(公告)日:2009-01-21
申请号:CN200810128182.5
申请日:2008-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G09G3/36 , G02F1/13357 , H05B37/02
CPC classification number: G09G3/3406 , G09G2320/064
Abstract: 一种光源模块,包括:光源,其包括多个发光单元;和电压电流源,用于根据多个亮度控制信号向所述光源提供驱动功率。所述亮度控制信号是减低亮度信号。所述光源模块还包括多通道电流控制器,用于根据多个亮度控制信号分别调整多个发光单元的亮度。
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公开(公告)号:CN1920924A
公开(公告)日:2007-02-28
申请号:CN200610126528.9
申请日:2006-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G09G3/3413 , G02F1/133609 , G02F2001/133612 , G09G2320/0666 , G09G2360/145
Abstract: 本发明提供了一种包括背光单元的LCD,该背光单元包括:光源单元;光纤,传输来自光源单元的光;光学传感器,接收来自光纤的光并检测光的颜色;光源驱动部分,对光源单元提供能量;光源控制器,控制光源驱动部分,从而光源单元基于由光学传感器检测的颜色来提供期望颜色的光。
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公开(公告)号:CN1896838A
公开(公告)日:2007-01-17
申请号:CN200610101435.0
申请日:2006-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/13357
CPC classification number: G02F1/133603 , G02F1/133609 , G02F1/133611 , G02F2001/133613 , Y10S362/80
Abstract: 本发明提供了一种背光单元。该背光单元包括点光源电路板和点光源组行,该点光源组行由多个按行排列在点光源电路板上的点光源组组成。另外,至少一部分点光源组具有相对于彼此不同的旋转角度。
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公开(公告)号:CN117637807A
公开(公告)日:2024-03-01
申请号:CN202310891065.9
申请日:2023-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体器件。所述半导体器件包括:沟道,所述沟道在衬底上沿基本上垂直于所述衬底的上表面的垂直方向彼此间隔开;栅极结构,所述栅极结构位于所述衬底上并且与每一个所述沟道的至少一部分的下表面和上表面及第一侧壁接界;以及源极/漏极层,所述源极/漏极层位于所述衬底的与所述栅极结构相邻的部分上并且接触所述沟道的第二侧壁。含氮部分形成在最上面的一个所述沟道的上部,并且可以被掺杂有氮。
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公开(公告)号:CN111373724B
公开(公告)日:2022-06-03
申请号:CN201980005734.X
申请日:2019-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F16/9537 , G06F16/58 , H04M1/72403 , H04N5/92
Abstract: 提供了一种电子装置。该电子装置包括相机、存储器和处理器,处理器被配置为将由相机拍摄的图像和图像的元数据存储到存储器中,处理器还被配置为识别是否能够获得与图像相关的第一信息、基于不能获得第一信息而基于第二信息生成与第一信息相关的元数据并将生成的元数据存储为图像的元数据。
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公开(公告)号:CN104681408B
公开(公告)日:2019-07-30
申请号:CN201410685562.4
申请日:2014-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L27/088
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/0206 , H01L21/302 , H01L21/306 , H01L21/32053 , H01L21/76224 , H01L21/76802 , H01L21/76877 , H01L21/823412 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L21/823475 , H01L21/823481 , H01L29/0649 , H01L29/0657 , H01L29/0847 , H01L29/34 , H01L29/45 , H01L29/66545 , H01L29/66636 , H01L29/66795
Abstract: 本发明提供进行表面处理工艺的方法和半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法包括:在基板中形成多个第一凹进区,该基板具有在多个第一凹进区之间的突出的有源区,该突出的有源区具有上表面和侧壁;在多个第一凹进区中形成器件隔离膜,该器件隔离膜暴露出突出的有源区的侧壁的上部分和上表面;以及在突出的有源区的暴露表面上进行第一等离子体处理,其中该等离子体处理利用包含惰性气体和氢气中至少一个的等离子体气体在小于或等于大约700℃的温度下进行。
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公开(公告)号:CN104681408A
公开(公告)日:2015-06-03
申请号:CN201410685562.4
申请日:2014-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L27/088
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/0206 , H01L21/302 , H01L21/306 , H01L21/32053 , H01L21/76224 , H01L21/76802 , H01L21/76877 , H01L21/823412 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L21/823475 , H01L21/823481 , H01L29/0649 , H01L29/0657 , H01L29/0847 , H01L29/34 , H01L29/45 , H01L29/66545 , H01L29/66636 , H01L29/66795
Abstract: 本发明提供进行表面处理工艺的方法和半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法包括:在基板中形成多个第一凹进区,该基板具有在多个第一凹进区之间的突出的有源区,该突出的有源区具有上表面和侧壁;在多个第一凹进区中形成器件隔离膜,该器件隔离膜暴露出突出的有源区的侧壁的上部分和上表面;以及在突出的有源区的暴露表面上进行第一等离子体处理,其中该等离子体处理利用包含惰性气体和氢气中至少一个的等离子体气体在小于或等于大约700℃的温度下进行。
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