公开(公告)号：CN109300901A

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201810825306.9

申请日：2018-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李秉一 ,  具池谋 ,  朴玄睦 ,  李晫 ,  车俊昊 ,  洪祥准

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11578 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/4234 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5283 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11578

Abstract: 垂直存储器件包括在第一方向上彼此间隔开的栅极电极。该栅极电极中的每一个沿第二方向延伸。绝缘图案在相邻栅极电极之间沿第二方向延伸。沟道结构沿第一方向延伸。沟道结构延伸穿过栅极电极结构的至少一部分和绝缘图案结构的至少一部分。栅极电极结构包括在衬底上沿第一方向顺序地堆叠的至少一个第一栅极电极和多个第二栅极电极。第一绝缘图案的下表面和上表面沿着第一方向远离衬底的上表面弯曲。连接第一绝缘图案的下表面和上表面的侧壁相对于衬底的上表面倾斜。

公开(公告)号：CN109216347A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810516388.9

申请日：2018-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴志勋 ,  申重植 ,  李秉一 ,  禹钟昊 ,  郑恩宅 ,  车俊昊

IPC: H01L27/02

Abstract: 一种半导体器件包括：具有第一区域和第二区域的基板，第一区域包括存储单元，第二区域包括用于驱动存储单元的晶体管；以及器件隔离区域，设置在基板内以限定基板的有源区域。有源区域包括围绕第一区域的第一防护有源区域、围绕第二区域的一部分的第二防护有源区域以及设置在第一防护有源区域与第二防护有源区域之间的至少一个虚设有源区域。

公开(公告)号：CN112271180B

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202011037677.4

申请日：2018-07-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具池谋 ,  朴庆晋 ,  朴玄睦 ,  李秉一 ,  李晫 ,  车俊昊

IPC: H01L27/11565 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/423

Abstract: 一种半导体器件包括第一栅电极，第一栅电极包括第一下电极、设置在第一下电极之上并包括第一垫区域的第一上电极、以及设置在第一下电极与第一上电极之间的一个或更多个第一中间电极。第二栅电极包括第二下电极、设置在第二下电极之上的第二上电极、以及设置在第二下电极与第二上电极之间的一个或更多个第二中间电极。第二栅电极顺序地堆叠在第一上电极之上，同时暴露第一垫区域。第一下电极在第一方向上比第一上电极更进一步延伸第一长度。第二下电极在第一方向上比第二上电极更进一步延伸不同于第一长度的第二长度。

公开(公告)号：CN110137179A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201811522184.2

申请日：2018-12-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李晫 ,  姜秀彬 ,  具池谋 ,  徐裕轸 ,  李秉一 ,  车俊昊

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11578

Abstract: 本发明提供了一种垂直型存储器装置，所述垂直型存储器装置包括：基底，具有单元阵列区和设置为邻近于所述单元阵列区的连接区；多个栅电极层，堆叠在所述单元阵列区和所述连接区上；多个沟道结构，设置在所述单元阵列区中；多个虚设沟道结构，设置在所述连接区中；以及多个狭缝，在所述单元阵列区中设置在所述多个栅电极层中。所述多个栅电极层在所述连接区中形成台阶结构，所述多个沟道结构穿透所述多个栅电极层，所述多个虚设沟道结构穿透所述多个栅电极层中的至少一个。

公开(公告)号：CN106024798A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610200759.3

申请日：2016-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜周宪 ,  车俊昊 ,  玄忠一

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11578

Abstract: 提供一种半导体存储器件，包括：基板；层叠结构，包括竖直地层叠在基板上的栅电极；竖直沟道部，穿过栅电极；掺杂区，提供在层叠结构的侧部的基板中；公共源极插塞，在基板上并电连接到掺杂区；单元接触插塞，分别连接到栅电极。公共源极插塞的顶表面处于与所述单元接触插塞的顶表面不同的水平处。

公开(公告)号：CN1525609A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN200310124926.3

申请日：2003-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车俊昊 ,  安相议

IPC: H01S5/00 ,  G11B7/125

CPC classification number: H01S5/02212

Abstract: 本发明公开了一种用于光拾取器的激光二极管。该激光二极管包括向外突出的有源连接件和接地件，以与激光二极管驱动集成电路电连接。接地件长于有源连接件，或接地件的一端部比有源连接件的端部形状更尖锐，或二者兼而有之。因此，可以防止激光二极管由于静电放电而受到损坏。