公开(公告)号：CN102997993A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210186006.3

申请日：2012-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安承彦 ,  宋利宪 ,  田尚勋 ,  金暎 ,  全镕宇 ,  金昌桢

IPC: G01J1/44 ,  G06F3/042 ,  G09G3/32

CPC classification number: H01L27/14609 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/0421 ,  G06F2203/04103

Abstract: 一种光感测装置、驱动光感测装置的方法以及包含光感测装置的光学触摸屏装置，其中，光感测像素中的光传感器晶体管由光敏氧化物半导体晶体管形成。光感测装置包括：光感测像素阵列，具有按照行和列排列的多个光感测像素；以及多条栅极线，按照行方向排列并且分别向光感测像素提供栅极电压，其中，光感测像素的每一个包括用于感测光的光传感器晶体管以及用于输出来自光传感器晶体管的光感测信号的开关晶体管。栅极线被连接到在光感测像素阵列中的每一行中的开关晶体管的栅极，且复位线被连接到在光感测像素阵列中的每一行中的光传感器晶体管的栅极。复位线经由相位反转器被连接到栅极线。因而，当栅极电压被施加于栅极线时，具有与栅极电压反转相位的复位信号可以被施加于复位线。

公开(公告)号：CN102904560A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210201495.5

申请日：2012-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金暎 ,  宋利宪 ,  田尚勋 ,  安承彦

IPC: H03K17/78 ,  H01L27/146 ,  G06F3/042 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L27/14616 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/042 ,  H01L29/7869 ,  H01L31/1136

Abstract: 本发明涉及光感测电路、装置及方法、图像获取装置及光触摸屏装置。在简化的光感测电路、包括光感测电路的光感测装置、驱动光感测装置的方法、以及包括光感测装置的光触摸屏装置和图像获取装置中，光感测电路包括针对每个像素包括沟道层的氧化物半导体晶体管，该沟道层包含氧化物半导体材料。氧化物半导体晶体管作为感测光的光感测器件和输出光感测数据的开关两者来操作。

公开(公告)号：CN100530692C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200610006120.8

申请日：2006-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  金桢雨 ,  黄显相 ,  白圣权 ,  崔相武

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/24

CPC classification number: H01L29/66833 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/167 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明公开了一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括半导体衬底中的第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域，所述第一掺杂剂区域和所述第二掺杂剂区域掺有从包括Sb、Ga和Bi的组中选择的一种。该半导体存储器件包括设置得与所述第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域接触的绝缘层以及设置得与所述绝缘层接触的栅电极层。

公开(公告)号：CN100502010C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200510068438.4

申请日：2005-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李明宰 ,  柳寅儆 ,  徐顺爱 ,  徐东硕 ,  徐大卫 ,  田尚勋

IPC: H01L27/10

CPC classification number: G11C13/0004 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供了利用具有分级电阻变化的多层的存储器件。所述存储器件包括：下电极；数据存储层，形成于下电极上且具有分级的电阻变化；和上电极，形成于数据存储层上。

公开(公告)号：CN1815741A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200510136255.1

申请日：2005-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴允童 ,  金元柱 ,  田尚勋

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/24 ,  H01L27/00

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C11/005 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C16/04 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/115 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种混合多位型非易失性存储器件和一种操作该存储器件的方法。所述混合型非易失性存储器件包括：第一存储单位，其包括存储数据的第一存储节点，所述第一存储节点利用第一方法存储数据；以及第二存储单位，其包括利用与所述第一方法不同的第二方法存储数据的第二存储节点，其中所述第一存储单位和所述第二存储单位共享源极和漏极。

公开(公告)号：CN1670960A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200510054278.8

申请日：2005-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩桢希 ,  蔡洙杜 ,  田尚勋

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L29/7883 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种存储器件及其制造方法。该存储器件包括：半导体衬底；第一杂质区和第二杂质区，其通过注入杂质到所述半导体衬底中形成；以及栅结构，其形成在所述第一杂质区与所述第二杂质区之间的所述半导体衬底上。栅结构包括具有浮栅的电介质层、及栅电极。电介质层是非对称的，并具有高效率和低功耗的电子陷阱。

公开(公告)号：CN1670958A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200510003665.9

申请日：2005-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  金桢雨 ,  马东俊 ,  崔圣圭

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/022 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645 ,  H01L28/56 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

Abstract: 提供了一种SONOS型存储器，包括半导体衬底；配置在半导体衬底中、用预定导电性的杂质离子掺杂的、彼此分开预定距离的、并且之间插入沟道区的第一杂质区和第二杂质区；和在第一杂质区和第二杂质区之间的半导体衬底上形成的数据存储型堆叠。数据存储型堆叠包括依次形成的隧道氧化层、用于存储数据的存储节点层、阻挡氧化层和电极层。存储节点层的介电常数高于隧道氧化层的介电常数和阻挡氧化层的介电常数，并且存储节点层的能带差低于隧道氧化层的能带差和阻挡氧化层的能带差，隧道氧化层和阻挡氧化层是高介电绝缘层。

公开(公告)号：CN113130749A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202011169351.7

申请日：2020-10-28

Applicant: 三星电子株式会社 ,  韩国科学技术院

Inventor： 田尚勋

IPC: H01L49/02 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L27/11507 ,  H01L21/67 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及铁电电容器、晶体管、存储器件以及制造铁电器件的方法。该铁电电容器包括第一电极、面对第一电极的第二电极、在第一电极与第二电极之间的铁电层以及在铁电层与第一电极之间或在铁电层与第二电极之间的界面层。铁电层包括基于铪的氧化物。界面层包括HfO2。

公开(公告)号：CN103852088B

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201310632826.5

申请日：2013-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任洙澈 ,  朴浚我 ,  田尚勋 ,  朴钟辰 ,  任正均

IPC: G01D5/12 ,  G01D5/241 ,  G01L1/14

CPC classification number: G01L1/142 ,  G01L9/0072 ,  G06F3/0338 ,  H03K17/975

Abstract: 一种触觉传感器包括：第一基板，包括多个第一电极；第二基板，包括与多个第一电极对应的多个第二电极；以及介电物质，设置在第一基板和第二基板之间，其中，与第一电极中的任一个对应的第二电极相对于第一电极中的所述任一个在一个方向上偏离，而与邻近第一电极中的所述任一个的另一个第一电极对应的第二电极在另一个方向上偏离。

公开(公告)号：CN103247693B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201310047408.X

申请日：2013-02-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  宋利宪 ,  金昌桢 ,  安承彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1333 ,  G06F3/042

CPC classification number: H01L29/45 ,  G02F1/13338 ,  G02F1/1368 ,  G06F3/0421 ,  G06F2203/04103 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管以及使用其的显示面板。该晶体管包括∶栅极；第一钝化层，覆盖栅极；沟道层，设置在第一钝化层上；源极和漏极，设置在第一钝化层上并接触沟道层的两侧；第二钝化层，覆盖沟道层、源极和漏极；第一和第二透明电极层，设置在第二钝化层上并彼此间隔开；第一透明导电通道，穿透第二钝化层并连接源极和第一透明电极层；以及第二透明导电通道，穿透第二钝化层并连接漏极和第二透明电极层。栅极的横截面区域大于沟道层、源极和漏极组合的横截面区域。