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公开(公告)号：CN109727881A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201810928321.6
申请日：2018-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种检查缺陷的方法，包括：将包括多个裸芯的半导体衬底分成多个检查区域，多个检查区域中的每一个具有至少一个裸芯，半导体衬底包括设置在其上的图案，从多个检查区域中的每一个获得光学图像，获得参考区域和比较区域之间的差分图像，参考区域是多个检查区域中的一个，比较区域是多个检查区域当中除了参考区域之外的区域，通过对差分图像中的相同位置像素的相应的信号强度执行信号分析来确定异常像素，并且可以提供通过将异常像素与设计图案进行比较来指定一个或多个可能的弱点图案。
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公开(公告)号：CN107782742A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710606610.X
申请日：2017-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01N21/95
CPC classification number: H01L22/12 , G06K9/00013 , G06K9/00624 , G06K9/2018 , G06K9/4604 , H01L21/77 , H01L22/14 , H01L22/20 , H01L22/26 , H01L22/34 , G01N21/9501
Abstract: 提供了检查表面的方法和制造半导体器件的方法。所述的方法包括：制备基板；通过设定成像光学系统的放大倍率选择第一光学装置的空间分辨率；朝向基板的第一测量区域发射多波长光并获得第一特定波长图像；基于第一特定波长图像，产生第一光谱数据；基于第一特定波长图像，产生各个像素的第一光谱数据；以及从第一光谱数据提取具有第一测量区域或更小的范围的至少一个第一检查区域的光谱；以及分析该光谱。第一光学装置包括光源、物镜、检测器和成像光学系统。获得第一特定波长图像包括使用成像光学系统和检测器。
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公开(公告)号：CN107644821B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201710596202.0
申请日：2017-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了测量芯片的未对准的方法、利用该方法制造扇出面板级封装的方法以及由其制造的扇出面板级封装。测量方法可以包括：通过扫描基板上的芯片获得图像；获得图像中的参考芯片相对于基板的绝对位移；获得图像中的辅助芯片相对于参考芯片的相对位移；以及根据绝对位移和相对位移计算芯片的未对准。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109309021B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201810843480.6
申请日：2018-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 本公开提供了检查基板的系统和方法及使用其制造半导体器件的方法。一种基板检查系统包括：基板支撑件；光学器件，配置为照射基板上的图案化结构以及从由图案化结构反射的光捕获图案化结构的图像；焦点调整装置，操作为调整入射光在图案化结构上的焦点位置；图像处理器，配置为计算焦点偏移的最佳值，以确定用于图案化结构中的缺陷检测的光的焦点。图案化结构可以包括具有开口的第一图案以及具有相对于基板位于不同高度处的顶表面的第二图案。焦点偏移值采用在改变入射光的焦点位置的同时获得的第二图案的顶表面的图像来确定。
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公开(公告)号：CN107782742B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201710606610.X
申请日：2017-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01N21/95
Abstract: 提供了检查表面的方法和制造半导体器件的方法。所述的方法包括：制备基板；通过设定成像光学系统的放大倍率选择第一光学装置的空间分辨率；朝向基板的第一测量区域发射多波长光并获得第一特定波长图像；基于第一特定波长图像，产生第一光谱数据；基于第一特定波长图像，产生各个像素的第一光谱数据；以及从第一光谱数据提取具有第一测量区域或更小的范围的至少一个第一检查区域的光谱；以及分析该光谱。第一光学装置包括光源、物镜、检测器和成像光学系统。获得第一特定波长图像包括使用成像光学系统和检测器。
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公开(公告)号：CN109872957A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201811300458.3
申请日：2018-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了质量流量控制器、用于制造半导体器件的设备及其维护方法。质量流量控制器可以控制被提供到腔室中的气体的量。质量流量控制器可以构造成在最初使用质量流量控制器时，获得以标准流速提供到腔室中的气体的绝对体积。质量流量控制器可以被构造为在质量流量控制器已经使用预定时间之后，获得以测量流速提供的气体的检测流速。质量流量控制器可以构造成比较检测流速和标准流速，以验证测量流速的满刻度误差。
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公开(公告)号：CN107644821A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710596202.0
申请日：2017-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L22/12 , G01B11/272 , G01R31/2894 , G01R31/311 , H01L24/01 , H01L25/0655 , H01L25/50
Abstract: 提供了测量芯片的未对准的方法、利用该方法制造扇出面板级封装的方法以及由其制造的扇出面板级封装。测量方法可以包括：通过扫描基板上的芯片获得图像；获得图像中的参考芯片相对于基板的绝对位移；获得图像中的辅助芯片相对于参考芯片的相对位移；以及根据绝对位移和相对位移计算芯片的未对准。
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公开(公告)号：CN107579013A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710522341.9
申请日：2017-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06T7/0008 , G06T7/001 , G06T2207/30148 , H01L22/12 , H01L22/30 , H01L24/19 , H01L2224/18
Abstract: 本公开提供检测方法、制造半导体封装的方法和形成半导体封装的方法。一种检测方法包括：生成包括关于第一图案组的形状的信息的第一布局数据；生成包括关于第二图案组的形状的信息的第二布局数据；获得包括第一图案组和第二图案组的图像的目标图像；以及通过将第一布局数据和第二布局数据与目标图像比较而从所述目标图像检测缺陷图案。第一图案组、第二图案组和缺陷图案被提供在距基板的顶表面的彼此不同的高度处。
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