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公开(公告)号：CN100455619C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200410074886.0
申请日：2004-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09D183/14 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , H01L21/31695 , Y10T428/31663
Abstract: 具有新颖结构的硅氧烷基树脂和使用该树脂的半导体层间绝缘膜。硅氧烷基树脂除优异的机械性能以外具有低介电常数，并且是半导体器件互连层之间的绝缘膜中的有用材料。
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公开(公告)号：CN1825612A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200510126836.7
申请日：2005-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1608
Abstract: 提供了一种PRAM，及其制造方法。所述PRAM包括晶体管和数据存储器。所述的数据存储器连接至所述晶体管。数据存储器包括顶部电极、底部电极和多孔PCM层。所述的多孔PCM层插入到所述顶部电极和底部电极之间。根据本发明，PRAM具有这样的结构，其能够增大PCM层的电流密度，并降低复位电流。
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公开(公告)号：CN1657530A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN200410100231.6
申请日：2004-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07F7/18 , C08G77/04 , H01L21/312
CPC classification number: C08G77/50 , C07F7/0838 , C07F7/1804
Abstract: 本发明涉及一种新型多功能线型硅氧烷化合物、用该硅氧烷化合物制备的硅氧烷聚合物，以及用该硅氧烷聚合物制备介电膜的方法。该线型硅氧烷聚合物具有高的机械性能(如模量)、超级热稳定性、低碳含量和低吸湿性；它是线型硅氧烷化合物通过均聚或者该线型硅氧烷化合物与其他单体通过共聚制备的。制备介电膜的方法是将含有高反应性的硅氧烷聚合物的涂布液热固化。用该硅氧烷化合物制备的硅氧烷聚合物不仅具有令人满意的机械性能、热稳定性和抗裂性，而且吸湿性低，与成孔材料有优异的相容性，从而导致低的介电常数。另外，硅氧烷聚合物能够保持较低的碳含量和较高的SiO2含量，从而能够改善其在半导体器件中的适用性。因此，该硅氧烷聚合物能够有利地用作半导体器件的介电膜的材料。
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公开(公告)号：CN1616468A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410076698.1
申请日：2004-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C07F7/21 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明公开了一种多官能环状硅氧烷化合物(A)，硅氧烷基(共)聚合物，其由化合物(A)制备，或由化合物(A)和至少一种具有有机桥连(organic bridge)的硅单体(B)、无环烷氧基硅烷单体(C)和线形硅氧烷单体(D)制备；和一种用该聚合物制备介电薄膜的方法。本发明的硅氧烷化合物是高度活性的，因此由其制备的聚合物具有优良的机械性能、热稳定性和抗裂性，以及与常规成孔材料相容而得到的低介电常数。此外，低含碳量和高二氧化硅含量增强了其在半导体方法中的适用性，因此，这种膜非常适宜用作介电薄膜。
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公开(公告)号：CN101200633B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200810002850.X
申请日：2004-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K11/565 , B82Y5/00 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , Y10S438/962
Abstract: 一种制备用于发光器件的量子点硅酸类薄膜的方法。量子点硅酸类薄膜的制备是通过将含有能与量子点相互作用的官能团和至少一种用于溶胶-凝胶操作的反应基团的化合物，引入到量子点或用于分散量子点的基质材料的表面而实现的，从而表现出优异的机械性能和热稳定性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100555651C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200510126836.7
申请日：2005-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1608
Abstract: 提供了一种PRAM，及其制造方法。所述PRAM包括晶体管和数据存储器。所述的数据存储器连接至所述晶体管。数据存储器包括顶部电极、底部电极和多孔PCM层。所述的多孔PCM层插入到所述顶部电极和底部电极之间。根据本发明，PRAM具有这样的结构，其能够增大PCM层的电流密度，并降低复位电流。
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公开(公告)号：CN100422241C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200410047406.1
申请日：2004-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02126 , C08G77/50 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明公开了一种具有新型结构的硅氧烷基树脂，以及用它形成的半导体器件的层间绝缘膜。该硅氧烷基树脂除了具有优异的机械性能、耐热性和耐裂性之外，还具有如此低的介电常数，以至于它们可用作半导体器件互连层之间的绝缘膜材料。
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公开(公告)号：CN100383147C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200410076698.1
申请日：2004-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C07F7/21 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明公开了一种多官能环状硅氧烷化合物(A)，硅氧烷基(共)聚合物，其由化合物(A)制备，或由化合物(A)和至少一种具有有机桥连(organic bridge)的硅单体(B)、无环烷氧基硅烷单体(C)和线形硅氧烷单体(D)制备；和一种用该聚合物制备介电薄膜的方法。本发明的硅氧烷化合物是高度活性的，因此由其制备的聚合物具有优良的机械性能、热稳定性和抗裂性，以及与常规成孔材料相容而得到的低介电常数。此外，低含碳量和高二氧化硅含量增强了其在半导体方法中的适用性，因此，这种膜非常适宜用作介电薄膜。
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公开(公告)号：CN1819204A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200510127061.5
申请日：2005-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0595 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/685 , H01L45/04 , H01L45/085 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/1625 , H01L51/0048 , H01L51/0052
Abstract: 一种使用介孔材料的非易失性纳米沟道存储器件。特别地，一种由能够形成纳米沟道的介孔材料组成的存储器件，其中具有填充入纳米沟道的金属纳米颗粒或金属离子的存储层配置在上电极和下电极之间。因而，该存储器件具有高的加工性，并显示了优异的重现性和均一的性能。
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公开(公告)号：CN1629222A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410089606.3
申请日：2004-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02348 , H01L21/31695
Abstract: 本发明披露了用于形成介电膜的组合物，其通过将含有羟基或烷氧基的硅氧烷类前体和成孔材料以及能够固化该硅氧烷类树脂前体的缩合催化剂产生剂一起溶解于有机溶剂中而制备。本发明还披露了具有低介电常数和改进的物理性质的多孔介电膜，其中通过将该组合物涂覆到基底上，接着通过曝光在低温下引起缩聚而形成介电膜。本发明还披露了在不使用光致抗蚀剂的情况下形成多孔介电膜的负片的方法，其包括通过掩膜对涂覆后的膜曝光，然后用显影剂除去未曝光区域。
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