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公开(公告)号：CN109976097A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201811612414.4
申请日：2018-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 这里提供了一种形成微图案的方法，其包括：在基板上形成蚀刻目标膜；在蚀刻目标膜上形成光敏辅助层，光敏辅助层用亲水基团封端；在光敏辅助层上形成粘合层，粘合层与亲水基团形成共价键；在粘合层上形成疏水的光致抗蚀剂膜；以及图案化光致抗蚀剂膜。
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公开(公告)号：CN108573949A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810076683.7
申请日：2018-01-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
Abstract: 本申请涉及一种集成电路器件及其制造方法。一种集成电路(IC)器件包括具有下金属膜的下布线结构。下布线结构穿透设置在衬底之上的第一绝缘膜的至少一部分。IC器件还包括覆盖下金属膜的顶表面的盖层、覆盖该盖层的第二绝缘膜、穿透第二绝缘膜和盖层并电连接到下金属膜的上布线结构、以及设置在下金属膜与第二绝缘膜之间的空气间隙。空气间隙具有由盖层与上布线结构之间的距离限定的宽度。
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公开(公告)号：CN117936504A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202310826024.1
申请日：2023-07-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/50 , H01L27/088
Abstract: 公开了一种半导体装置。该半导体装置包括：有源图案，在基底上；源极/漏极图案；第一分离结构和第二分离结构，其中，相邻的源极/漏极图案置于第一分离结构与第二分离结构之间；层间绝缘层，在源极/漏极图案以及第一分离结构和第二分离结构上；贯穿过孔，在相邻的源极/漏极图案之间，穿透层间绝缘层并且朝向基底延伸，其中，贯穿过孔的顶部与层间绝缘层的顶部共面；介电层，选择性地在层间绝缘层的顶部并且打开贯穿过孔的顶部；电源过孔，通过介电层引导以连接到贯穿过孔的顶部；电源线，在电源过孔上并且通过电源过孔电连接到贯穿过孔；电源输送网络层，在基底的底部上；以及下导体，在贯穿过孔下方。
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公开(公告)号：CN117917771A
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202310952326.3
申请日：2023-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/06 , H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括：衬底；一对鳍型有源区，从衬底突出，以在衬底上限定沟槽区，该鳍型有源区在第一横向方向上延伸；一对源/漏区，分别在鳍型有源区上；器件隔离膜，在沟槽区中，该器件隔离膜在竖直方向上与衬底分开；蚀刻停止结构，在衬底和器件隔离膜之间填充沟槽区的至少一部分；过孔电力轨，在该对鳍型有源区之间、以及在该对源/漏区之间，该过孔电力轨穿过蚀刻停止结构的至少一部分；以及背侧电力轨，穿过衬底，该背侧电力轨与过孔电力轨的一端接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108573916B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201810124015.7
申请日：2018-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768
Abstract: 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括金属膜和覆盖金属膜的顶表面的复合盖层。金属膜包含第一金属，并穿过形成在基板之上的绝缘膜的至少一部分。复合盖层包括覆盖金属膜的顶表面的导电合金盖层以及覆盖导电合金盖层的顶表面和绝缘膜的顶表面的绝缘盖层。导电合金盖层包含半导体元素和不同于第一金属的第二金属。绝缘盖层包含第三金属。
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公开(公告)号：CN115223983A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210409527.4
申请日：2022-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L29/78 , H01L21/48 , H01L21/768 , H01L21/336
Abstract: 提供一种半导体架构及其制造方法，该半导体架构包括：晶片；提供在晶片上的半导体器件，该半导体器件包括外延层、提供在外延层上的外延接触、提供在外延接触上的第一通路、以及提供在第一通路上的金属线，该金属线配置为传送信号；氧化物层，提供在晶片的第一表面上并与半导体器件相邻；以及配置为输送电力的掩埋电源轨(BPR)，BPR的至少一部分被包括在晶片内部，其中BPR的一部分接触氧化物层。
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公开(公告)号：CN114496954A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202110659197.X
申请日：2021-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 提供了一种半导体架构及其制造方法。该半导体架构包括：载体衬底；包括在载体衬底中的落着垫；提供在载体衬底的第一表面上的第一半导体器件，第一半导体器件包括提供在落着垫上的第一组件；提供在载体衬底的第二表面上的第二半导体器件；以及第二组件，从第二半导体器件突出并提供在落着垫上。
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公开(公告)号：CN112652572A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202010993772.5
申请日：2020-09-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768
Abstract: 提供了形成集成电路器件的方法。形成集成电路器件的方法可以包括在衬底上形成第一绝缘层和通路接触。衬底可以包括面对通路接触的上表面，通路接触可以在第一绝缘层中并且可以包括面对衬底的下表面以及与下表面相反的上表面。该方法还可以包括在通路接触上形成第二绝缘层和金属线。金属线可以在第二绝缘层中，并且可以包括面对衬底并且与通路接触的上表面接触的下表面。金属线的下表面和金属线与通路接触之间的界面均可以在与衬底的上表面平行的水平方向上具有第一宽度。
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公开(公告)号：CN108573916A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810124015.7
申请日：2018-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768
Abstract: 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括金属膜和覆盖金属膜的顶表面的复合盖层。金属膜包含第一金属，并穿过形成在基板之上的绝缘膜的至少一部分。复合盖层包括覆盖金属膜的顶表面的导电合金盖层以及覆盖导电合金盖层的顶表面和绝缘膜的顶表面的绝缘盖层。导电合金盖层包含半导体元素和不同于第一金属的第二金属。绝缘盖层包含第三金属。
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