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发明公开
形成集成电路器件的方法审中-实审

公开(公告)号：CN112652572A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202010993772.5

申请日：2020-09-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵泰龙 , 徐训硕 , 朴气玄 , 李学善

IPC: H01L21/768

Abstract: 提供了形成集成电路器件的方法。形成集成电路器件的方法可以包括在衬底上形成第一绝缘层和通路接触。衬底可以包括面对通路接触的上表面，通路接触可以在第一绝缘层中并且可以包括面对衬底的下表面以及与下表面相反的上表面。该方法还可以包括在通路接触上形成第二绝缘层和金属线。金属线可以在第二绝缘层中，并且可以包括面对衬底并且与通路接触的上表面接触的下表面。金属线的下表面和金属线与通路接触之间的界面均可以在与衬底的上表面平行的水平方向上具有第一宽度。

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