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公开(公告)号：CN109837524A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811431633.2
申请日：2018-11-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/26 , C23C16/505 , C23C16/511 , C01B32/186 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 提供纳米晶体石墨烯、形成纳米晶体石墨烯的方法、和设备。所述纳米晶体石墨烯可具有在约50％至99％的范围内的具有sp2键合结构的碳与总碳的比率。另外，所述纳米晶体石墨烯可包括具有约0.5nm至约100nm的尺寸的晶体。
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公开(公告)号：CN104518208A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410520065.9
申请日：2014-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01B1/04 , H01B13/0016 , H01B13/0026 , H01M4/0428 , H01M4/134 , H01M4/1393 , H01M4/366 , H01M4/386 , H01M4/48 , H01M4/587 , H01M4/625 , Y10T428/292
Abstract: 本发明涉及复合物、其制造方法、碳复合物、及包括它们的器件。所述复合物包括：硅(Si)；式SiOx的硅氧化物，其中0
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公开(公告)号：CN104103671A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410175362.4
申请日：2014-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/786 , H01L29/78642 , H01L29/78684 , H01L31/028 , H01L31/08 , H01L33/34 , H01L51/0046 , H01L51/0504 , H01L51/0558 , H01L51/0562 , H01L51/0566 , H01L51/057 , H01L51/428 , H01L51/50
Abstract: 本发明提供石墨烯器件和包括石墨烯器件的电子设备。根据示例实施例，石墨烯器件包括：包括源极、栅极和漏极的晶体管；有源层，载流子通过其移动；以及在栅极和有源层之间的石墨烯层。石墨烯层可被配置为既作为有源层的电极又作为晶体管的沟道层。
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公开(公告)号：CN117597016A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311052282.5
申请日：2023-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供可变电阻存储器件和/或包括其的电子设备。所述可变电阻存储器件包括：包括具有大于或等于约9％的缺氧率的金属氧化物的电阻变化层；在所述电阻变化层上的半导体层；在所述半导体层上的栅极绝缘层；和在所述栅极绝缘层上彼此隔开的多个栅电极。
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公开(公告)号：CN115196622A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210207355.2
申请日：2022-03-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C01B32/186
Abstract: 提供纳米晶石墨烯和形成纳米晶石墨烯的方法。所述纳米晶石墨烯可包括通过堆叠多个石墨烯片而形成的多个晶粒并且具有约500ea/μm2或更高的晶粒密度和在约0.1或更大至约1.0或更小的范围内的均方根(RMS)粗糙度。当所述纳米晶石墨烯具有在这些范围内的晶粒密度和RMS粗糙度时，可提供能够作为薄层覆盖基底上的整个大面积的纳米晶石墨烯。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110880447A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201910552879.3
申请日：2019-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01J37/32 , C23C16/458 , C23C16/513
Abstract: 提供了一种等离子体沉积方法和等离子体沉积设备，在所述等离子体沉积方法中，将基底装载到腔室内的基底台上。在与基底隔开第一距离的第一等离子体区域处产生第一等离子体。将第一工艺气体供应到第一等离子体区域以对基底执行预处理工艺。在与基底隔开与第一距离不同的第二距离的第二等离子体区域处产生第二等离子体。将第二工艺气体供应到第二等离子体区域以对基底执行沉积工艺。
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公开(公告)号：CN110752204A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910012228.5
申请日：2019-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 提供了一种互连结构和包括该互连结构的电子器件。该互连结构包括包含至少一个沟槽的电介质层、填充所述至少一个沟槽的内部的导电布线、以及在导电布线的至少一个表面上的盖层。盖层包括纳米晶石墨烯。纳米晶石墨烯包括纳米尺寸的晶体。
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公开(公告)号：CN108121153A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711202775.7
申请日：2017-11-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供用于光掩模的表膜、包括其的掩模版、和用于光刻的曝光设备。所述表膜可包括表膜膜片，并且所述表膜膜片可包括纳米晶体石墨烯。所述纳米晶体石墨烯可具有缺陷。所述纳米晶体石墨烯可包括多个纳米级晶粒，并且所述纳米级晶粒可包括具有芳族环结构的二维(2D)碳结构。所述纳米晶体石墨烯的缺陷可包括如下的至少一种：sp3碳原子、氧原子、氮原子、或者碳空位。
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公开(公告)号：CN119497400A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411081011.7
申请日：2024-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开可变电阻存储器件和包括其的电子装置。所述可变电阻存储器件包括：沟道层；设置在所述沟道层上的电阻变化层，所述电阻变化层具有基于施加的电压而变化的电阻特性并且具有第一氧扩散激活能；以及设置在所述沟道层和所述电阻变化层之间的界面层，所述界面层具有比所述电阻变化层的第一氧扩散激活能大的第二氧扩散激活能。
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公开(公告)号：CN110752204B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201910012228.5
申请日：2019-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 提供了一种互连结构和包括该互连结构的电子器件。该互连结构包括包含至少一个沟槽的电介质层、填充所述至少一个沟槽的内部的导电布线、以及在导电布线的至少一个表面上的盖层。盖层包括纳米晶石墨烯。纳米晶石墨烯包括纳米尺寸的晶体。
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