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公开(公告)号：CN106467961A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610647795.4
申请日：2016-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/02
Abstract: 提供了一种薄膜沉积设备，所述薄膜沉积设备包括：处理室；舟皿，位于处理室中，舟皿容纳位于舟皿中的多个基底；喷嘴，向处理室供应源气体以在每个基底上形成薄膜，喷嘴包括多个T形的喷嘴管，每个T形的喷嘴管包括具有闭合端的第一管和结合到第一管的中间部的第二管。
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公开(公告)号：CN103681806A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310412779.3
申请日：2013-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/51 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/8247 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L27/11556 , H01L29/42332 , H01L29/7889 , H01L29/7926 , H01L29/1033
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置和一种制造该半导体装置的方法。所述半导体装置具有竖直沟道并包括：第一隧道绝缘层，邻近于阻挡绝缘层；第三隧道绝缘层，邻近于沟道柱；第二隧道绝缘层，位于第一隧道绝缘层和第三隧道绝缘层之间。第三隧道绝缘层的能带间隙小于第一隧道绝缘层的能带间隙并大于第二隧道绝缘层的能带间隙。
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公开(公告)号：CN1949518A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200610126608.4
申请日：2006-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L23/532 , H01L21/8239 , H01L21/768 , H01L21/318
CPC classification number: H01L21/3185 , H01L21/02118 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/0228 , H01L21/02362 , H01L21/318 , H01L27/10885
Abstract: 半导体存储器件包括半导体衬底。在半导体衬底上设置层间介质。在层间介质上设置位线。位线隔片由包含硼和/或碳的氮化物层所制成，并覆盖位线的侧壁。还提供了制造半导体存储器件的方法。
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公开(公告)号：CN109216366B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201810736733.X
申请日：2018-07-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了一种三维半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：在基板上的下层结构，下层结构在基板的第一区域和第二区域上具有不同的厚度，该下层结构包括在顶部的电极层和在其下面的绝缘层；蚀刻停止层，在下层结构上；上层结构，在蚀刻停止层上，该蚀刻停止层对于上层结构和下层结构具有蚀刻选择性；第一接触插塞和第二接触插塞，分别填充限定在第一区域和第二区域上的上层结构和蚀刻停止层中的第一开口和第二开口并分别接触下层结构的对应的电极层，使得第一接触插塞和第二接触插塞中的一个与第一接触插塞和第二接触插塞的另一个相比相对于蚀刻停止层的底部向下延伸得更远。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107871749B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201710839551.0
申请日：2017-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括在衬底上形成交替地和重复地一个堆叠在另一个之上的绝缘层和牺牲层、形成穿透绝缘层和牺牲层的垂直孔、以及在垂直孔中形成垂直沟道结构。形成垂直沟道结构包括形成阻挡绝缘层、电荷存储层、隧道绝缘层和半导体图案。形成阻挡绝缘层包括形成第一氧化目标层、氧化第一氧化目标层以形成第一子阻挡层、以及形成第二子阻挡层。第一子阻挡层形成在第二子阻挡层与垂直孔的内侧壁之间。
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公开(公告)号：CN109148463A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810626305.1
申请日：2018-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11568 , H01L27/11582
CPC classification number: H01L29/513 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L27/11568
Abstract: 多个栅电极在垂直于衬底的上表面的方向上堆叠在衬底的上表面上。沟道区域穿过多个栅电极以垂直于衬底的上表面延伸。栅极介电层包括顺序地设置在沟道区域和多个栅电极之间的隧穿层、电荷存储层和阻挡层。电荷存储层包括多个掺杂元素原子和由多个掺杂元素原子生成的多个深能级陷阱。多个掺杂元素原子的浓度分布在电荷存储层的厚度方向上是不均匀的。
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公开(公告)号：CN103681806B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201310412779.3
申请日：2013-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11556 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L27/11556 , H01L29/42332 , H01L29/7889 , H01L29/7926
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置和一种制造该半导体装置的方法。所述半导体装置具有竖直沟道并包括：第一隧道绝缘层，邻近于阻挡绝缘层；第三隧道绝缘层，邻近于沟道柱；第二隧道绝缘层，位于第一隧道绝缘层和第三隧道绝缘层之间。第三隧道绝缘层的能带间隙小于第一隧道绝缘层的能带间隙并大于第二隧道绝缘层的能带间隙。
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公开(公告)号：CN107871749A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710839551.0
申请日：2017-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11578
CPC classification number: H01L29/40117 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/0223 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L27/11578
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括在衬底上形成交替地和重复地一个堆叠在另一个之上的绝缘层和牺牲层、形成穿透绝缘层和牺牲层的垂直孔、以及在垂直孔中形成垂直沟道结构。形成垂直沟道结构包括形成阻挡绝缘层、电荷存储层、隧道绝缘层和半导体图案。形成阻挡绝缘层包括形成第一氧化目标层、氧化第一氧化目标层以形成第一子阻挡层、以及形成第二子阻挡层。第一子阻挡层形成在第二子阻挡层与垂直孔的内侧壁之间。
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公开(公告)号：CN107591404A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710546180.7
申请日：2017-07-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L21/28282 , H01L27/1157 , H01L29/4234 , H01L29/42368
Abstract: 提供一种包括电介质层的半导体器件。该半导体器件包括堆叠结构和在堆叠结构内的竖直结构。该竖直结构包括具有第一宽度的下部区域和具有大于第一宽度的第二宽度的上部区域。该竖直结构还包括下部区域中的下部厚度与上部区域中的上部厚度的各自的比值彼此不同的两个电介质层。
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