公开(公告)号：CN109494227B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN201811040526.7

申请日：2018-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成吉 ,  李相受 ,  金智美 ,  金泓奭 ,  卢镇台 ,  崔至薰 ,  安宰永 ,  李商勋

IPC: H10B41/27

Abstract: 一种半导体存储器件，具有：多个栅极，竖直地堆叠在衬底的顶表面上；竖直沟道，填充竖直延伸穿过多个栅极的竖直孔；以及存储层，在竖直孔中并围绕竖直沟道。竖直沟道包括填充衬底顶部中的凹陷部的部分的支架形下部和沿竖直孔竖直延伸并连接到下沟道的上部。竖直沟道的下部和上部之间的界面的至少一端被设置在不高于衬底的顶表面的高度处。

公开(公告)号：CN112750842A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011190809.7

申请日：2020-10-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李商勋

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/1157

Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括下结构、上图案、堆叠结构、穿过堆叠结构的分隔结构、包括沟道层的竖直结构，其中，堆叠结构包括多个层间绝缘层和多个栅极层，下结构包括第一下图案和材料与第一下图案的材料不同的第二下图案，第一下图案包括位于第二下图案与沟道层之间的第一部分、从第一部分延伸到第二下图案与上图案之间的区域的第二部分以及从第一部分延伸到第二下图案与基底结构之间的区域的第三部分，并且第一下图案不朝向上图案的侧表面延伸。

公开(公告)号：CN109494227A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201811040526.7

申请日：2018-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成吉 ,  李相受 ,  金智美 ,  金泓奭 ,  卢镇台 ,  崔至薰 ,  安宰永 ,  李商勋

IPC: H01L27/11556

Abstract: 一种半导体存储器件，具有：多个栅极，竖直地堆叠在衬底的顶表面上；竖直沟道，填充竖直延伸穿过多个栅极的竖直孔；以及存储层，在竖直孔中并围绕竖直沟道。竖直沟道包括填充衬底顶部中的凹陷部的部分的支架形下部和沿竖直孔竖直延伸并连接到下沟道的上部。竖直沟道的下部和上部之间的界面的至少一端被设置在不高于衬底的顶表面的高度处。

公开(公告)号：CN114188345A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202110641204.3

申请日：2021-06-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李商勋

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/108

Abstract: 提供了一种具有栅电极的半导体装置和包括其的电子系统。所述半导体装置包括：基底，具有第一区域和第二区域，以及在第一区域和第二区域中由隔离层限定的有源区域；p型栅电极，掺杂有p型杂质并且包括p型下栅极层和位于p型下栅极层上的p型上栅极层，并且第一栅极介电层在第一区域中介于有源区域与p型栅电极之间；以及n型栅电极，掺杂有n型杂质并且包括n型下栅极层和位于n型下栅极层上的n型上栅极层，并且第二栅极介电层在第二区域中介于有源区域与n型栅电极之间。