公开(公告)号：CN106467961A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201610647795.4

申请日：2016-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢英辰 ,  孙东旻 ,  崔在铭 ,  安宰永 ,  梁铁奎

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02

Abstract: 提供了一种薄膜沉积设备，所述薄膜沉积设备包括：处理室；舟皿，位于处理室中，舟皿容纳位于舟皿中的多个基底；喷嘴，向处理室供应源气体以在每个基底上形成薄膜，喷嘴包括多个T形的喷嘴管，每个T形的喷嘴管包括具有闭合端的第一管和结合到第一管的中间部的第二管。

公开(公告)号：CN109148463A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810626305.1

申请日：2018-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔恩荣 ,  梁俊圭 ,  卢英辰 ,  安宰永 ,  梁在贤 ,  刘东哲 ,  崔宰浩

IPC: H01L27/11568 ,  H01L27/11582

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11568

Abstract: 多个栅电极在垂直于衬底的上表面的方向上堆叠在衬底的上表面上。沟道区域穿过多个栅电极以垂直于衬底的上表面延伸。栅极介电层包括顺序地设置在沟道区域和多个栅电极之间的隧穿层、电荷存储层和阻挡层。电荷存储层包括多个掺杂元素原子和由多个掺杂元素原子生成的多个深能级陷阱。多个掺杂元素原子的浓度分布在电荷存储层的厚度方向上是不均匀的。

公开(公告)号：CN109148463B

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN201810626305.1

申请日：2018-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔恩荣 ,  梁俊圭 ,  卢英辰 ,  安宰永 ,  梁在贤 ,  刘东哲 ,  崔宰浩

IPC: H10B43/30 ,  H10B43/27

Abstract: 多个栅电极在垂直于衬底的上表面的方向上堆叠在衬底的上表面上。沟道区域穿过多个栅电极以垂直于衬底的上表面延伸。栅极介电层包括顺序地设置在沟道区域和多个栅电极之间的隧穿层、电荷存储层和阻挡层。电荷存储层包括多个掺杂元素原子和由多个掺杂元素原子生成的多个深能级陷阱。多个掺杂元素原子的浓度分布在电荷存储层的厚度方向上是不均匀的。

公开(公告)号：CN109817725A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811343029.4

申请日：2018-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张祐赈 ,  卢英辰 ,  梁俊圭 ,  金斐悟 ,  安敬源

IPC: H01L29/792 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/115

Abstract: 一种半导体器件包括在基板上的包含层间绝缘层和栅电极在内的竖直堆叠结构。阻挡电介质区设置在堆叠结构中的开口的侧壁上。提供了侧向杂质区，在阻挡电介质区和层间绝缘层之间以及在阻挡电介质区和栅电极之间延伸。还提供了下部杂质区，在阻挡电介质区和基板之间延伸。