公开(公告)号：CN115832029A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211134088.7

申请日：2022-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南胜杰 ,  李泫宰 ,  崔悳铉 ,  许镇盛

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件，包括：第一源极/漏极区；第二源极/漏极区；在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间的沟道；在沟道上的界面绝缘层；在界面绝缘层上的铁电层；以及在铁电层上的栅电极，其中，当界面绝缘层的介电常数的数值为K并且铁电层的剩余极化的数值为Pr时，界面绝缘层的材料和铁电层的材料被选择为使得K/Pr为1或更大。

公开(公告)号：CN112701157A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN202011095367.8

申请日：2020-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵常玹 ,  李银河 ,  许镇盛 ,  金正华 ,  李香淑 ,  南胜杰

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L51/05 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了电子器件和制造其的方法和系统。该电子器件包括电介质层，该电介质层包括具有被对准的晶向的晶粒，该电介质层可以在基板和栅电极之间。电介质层可以在隔开的第一电极和第二电极之间。制造电子器件的方法可以包括：准备具有沟道层的基板；在沟道层上形成电介质层；以及在电介质层上形成栅电极。

公开(公告)号：CN108987463A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201711443416.0

申请日：2017-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申建旭 ,  申铉振 ,  赵连柱 ,  南胜杰 ,  朴晟准 ,  李润姓

IPC: H01L29/16

CPC classification number: H01L29/1606 ,  C01B32/186 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/3065 ,  H01L23/53276 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66015

Abstract: 本公开提供了包括石墨烯的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。一种半导体器件包括基板和石墨烯层。基板包括绝缘体和半导体。石墨烯层生长在半导体的表面上。半导体包括IV族材料和III-V族化合物中的至少一种。公开了一种制造该半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN106169502A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610149522.7

申请日：2016-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  金海龙 ,  申铉振 ,  南胜杰 ,  朴晟准

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/28512 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本公开提供包括金属-二维材料-半导体接触的半导体器件。一种半导体器件包括半导体层、电接触半导体层的金属层、以及在半导体层与金属层之间并具有二维晶体结构的二维材料层。

公开(公告)号：CN119835966A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411422411.X

申请日：2024-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南胜杰 ,  柳时正 ,  李珉贤 ,  李泫宰 ,  崔硕训

IPC: H10D30/60 ,  H10D62/10 ,  H10B51/30

Abstract: 提供了一种半导体器件及包括该半导体器件的存储设备和电子设备。该半导体器件可以包括栅极电极、在栅极电极上的铁电层、在铁电层上的沟道层以及在铁电层中彼此间隔开的多个纳米结构。所述多个纳米结构可以与栅极电极或者沟道层相邻，或者所述多个纳米结构中的一部分可以与栅极电极相邻且所述多个纳米结构中的其余部分可以与沟道层相邻。

公开(公告)号：CN117355142A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202310792448.0

申请日：2023-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  文泰欢 ,  南胜杰 ,  李泫宰

IPC: H10B51/30 ,  H10B51/20

Abstract: 一种三维(3D)铁电存储器件可以包括堆叠在衬底上的多个栅电极、与所述多个栅电极接触的多个铁电层、与所述多个铁电层接触的多个中间电极、与所述多个中间电极接触的栅极绝缘层、以及与栅极绝缘层接触的沟道层。中间电极的宽度可以大于铁电层与中间电极接触的宽度。

公开(公告)号：CN116137783A

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202211432876.4

申请日：2022-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南胜杰 ,  裵鹤烈 ,  许镇盛

IPC: H10B51/30 ,  G11C11/54 ,  G11C11/22 ,  G06N3/063

Abstract: 本公开提供了铁电存储器件、神经网络装置以及电子装置。一种铁电存储器件可以包括：源极；漏极；沟道层，在源极和漏极之间并且连接到源极和漏极；第一栅电极和第二栅电极，位于沟道层上以彼此间隔开；以及铁电层，在沟道层和第一栅电极之间以及在沟道层和第二栅电极之间。不同的电压可以被施加到第一栅电极和第二栅电极。

公开(公告)号：CN107768331B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN201710700935.4

申请日：2017-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东郁 ,  金尚元 ,  薛珉洙 ,  郑盛骏 ,  南胜杰 ,  朴晟准 ,  申铉振

IPC: H01L23/373

Abstract: 公开了使用诸如石墨烯量子点(GQD)的纳米尺寸的石墨烯碎片的散热结构和/或制造该散热结构的方法。一种散热结构包括发热元件以及在发热元件上以将产生自发热元件的热消散至外部的散热膜。散热膜可以包括GQD。

公开(公告)号：CN115996630A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202211271174.2

申请日：2022-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文泰欢 ,  许镇盛 ,  南胜杰 ,  崔惪铉

IPC: H10N97/00 ,  H10B12/00

Abstract: 提供了一种电容器装置和包括该电容器装置的半导体装置。该电容器装置包括彼此间隔开的第一电极和第二电极以及提供在第一电极和第二电极之间的电介质层。电介质层包括其中铁电体和反铁电体彼此混合的电介质材料。

公开(公告)号：CN114566466A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202111402444.4

申请日：2021-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚昱 ,  南胜杰 ,  文泰欢 ,  李光熙 ,  许镇盛 ,  裵鹤烈 ,  李润姓

IPC: H01L21/8238

Abstract: 提供了一种半导体器件，包括具有半导体沟道层和金属氧化物半导体沟道层的第一半导体晶体管，并且具有其中第二半导体晶体管堆叠在第一半导体晶体管的顶部上的结构。第二半导体晶体管的栅极堆叠和第一半导体晶体管的栅极堆叠的顶部可以重叠大于或等于90％。第一半导体晶体管和第二半导体晶体管可以具有相似水平的操作特性。