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公开(公告)号：CN112534562A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201980051802.6
申请日：2019-07-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开一种用于减少馈入气体在进入离子源腔室的气体管上的堵塞及沉积的系统。为降低气体管的整体温度，在离子源腔室与气体管之间设置由隔热材料制成的气体衬套。气体衬套由例如钛、石英、氮化硼、氧化锆或陶瓷等隔热材料制成。气体衬套具有与离子源腔室及气体管进行流体连通的内通道，以容许馈入气体流向离子源腔室。气体衬套可具有对称的形状，从而容许其被翻转以延长其使用寿命。在一些实施例中，气体管可与散热器连通以保持气体管的温度。
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公开(公告)号：CN112136200A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201980033100.5
申请日：2019-05-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 法兰克·辛克莱
IPC: H01J37/317 , H05H9/04 , H01J37/08
Abstract: 一种设备可包括离子源，所述离子源被布置成产生处于第一离子能量的离子射束。所述设备可进一步包括直流加速器柱，所述直流加速器柱设置在所述离子源下游且被布置成将所述离子射束加速到第二离子能量，所述第二离子能量大于所述第一离子能量。所述设备可包括线性加速器，所述线性加速器设置在所述直流加速器柱下游，所述线性加速器被布置成将所述离子射束加速到比所述第二离子能量大的第三离子能量。
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公开(公告)号：CN107112258B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201580062297.7
申请日：2015-10-29
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 朱利安·G·布雷克
IPC: H01L21/67
Abstract: 公开了一种用于在加工期间调制及控制工件的局部温度的系统及方法。所述系统使用具有一或多个壁的台板，所述一或多个壁在所述台板的顶面上界定多个分立的区。当工件安置于所述台板上时，形成多个隔室，其中每一隔室由所述工件的背面及所述台板的相应区界定。所述隔室中的每一隔室内的背面气体的压力可被单独地控制。背面气体的压力决定自所述工件传递至所述台板的热量的量。通过局部地调节背面气体的压力，所述工件的不同区可维持在不同温度。在某些实施例中，使用多个阀来控制流至所述隔室的流动速率。
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公开(公告)号：CN111742389A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201980013814.X
申请日：2019-01-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 常胜武 , 法兰克·辛克莱 , 亚历山大·利坎斯奇 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 罗伯特·C·林德柏格 , 艾立克·D·赫尔曼森
IPC: H01J37/147 , H01J37/317
Abstract: 本文提供减少离子植入机中粒子的方法。静电过滤器可包括壳体及位于壳体内的多个导电束光学器件。导电束光学器件围绕朝晶片引导的离子束线排列，且可包括靠近壳体的入口孔的入口孔电极。导电束光学器件还可包括沿着离子束线位于入口孔电极的下游的高能电极以及位于高能电极的下游的接地电极。高能电极被定位成比入口电极及接地电极更远离离子束线，从而使得高能电极在物理上被阻挡以免受从晶片返回的背溅射材料的包络撞击。静电过滤器还可包括用于独立地向导电束光学器件中的每一者递送电压及电流的电气系统。
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公开(公告)号：CN111566792A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201880083702.7
申请日：2018-12-26
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/02 , C23C16/448 , C23C16/52
Abstract: 一种用于控制前驱物流的设备。所述设备可包括：处理器；以及存储器单元，耦合至所述处理器，包括通量控制常式。所述通量控制常式可在所述处理器上运行以监测所述前驱物流且可包括通量计算处理器，所述通量计算处理器用以基于自用以递送前驱物的气体递送系统的胞元接收的所检测信号强度的变化而确定前驱物通量值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111490103A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010344243.2
申请日：2014-06-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/28 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L21/336 , H01L21/311 , H01L21/3213
Abstract: 本发明提供一种替换性金属栅极晶体管，包括沟槽以及层。沟槽，具有底部、第一侧壁以及第二侧壁。层设置于沟槽内，其中所述层具有设置于沟槽底部上的底部区域，以及设置于第一及第二侧壁上的侧壁区域，其中所述层的侧壁区域比所述层的底部区域更薄至少50％。于制作替换性金属栅极晶体管时，可减少沟槽的长宽比。
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公开(公告)号：CN107535018B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201680023023.1
申请日：2016-04-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 麦可·A·斯库拉么尔
Abstract: 一种热隔绝电接触探针及受热台板总成。热隔绝电接触探针包括：安装板，具有管状的销引导件，所述销引导件界定销通路；盖，耦合至安装板并具有颈部，所述颈部包围所述销引导件；以及绝缘销，具有杆部、凸缘部及空腔部，所述杆部安置于销通路内并界定导体通路，所述凸缘部在销引导件的顶部上方自杆部沿径向向外延伸，所述空腔部自凸缘部延伸且界定空腔。所述电接触探针还可包括：弹簧，安置于凸缘部与安装板的中间，所述弹簧使凸缘部偏置离开安装板；电接触垫，安置于空腔内；以及电导体，耦合至电接触垫且延伸贯穿导体通路。
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公开(公告)号：CN107530775B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201680023030.1
申请日：2016-04-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 约书亚·M·阿比沙斯 , 乔丹·B·泰伊
IPC: B22F3/105 , H01J37/317 , B33Y10/00 , B33Y80/00
Abstract: 本文提供使用增材制造工艺(例如，3‑D打印)形成内嵌于半导体制造装置(例如，离子植入机)的组件内的导管的方式，其中所述导管被配置成将流体递送经过整个组件以对其提供加热、冷却及气体分配。在一种方式中，导管包括形成于所述导管的内表面上的一组凸起表面特征，以改变导管内的流体流动特性。在另一方式中，导管可以螺旋构形形成。在另一方式中，导管形成有多边形横截面。在另一方式中，离子植入机的组件包括以下中的至少一者：离子源、淹没式等离子体枪、冷却板、台板和/或弧室基座。
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公开(公告)号：CN105324847B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201480034680.7
申请日：2014-06-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种替换性金属栅极晶体管，包括沟槽以及层。沟槽，具有底部、第一侧壁以及第二侧壁。层设置于沟槽内，其中所述层具有设置于沟槽底部上的底部区域，以及设置于第一及第二侧壁上的侧壁区域，其中所述层的侧壁区域比所述层的底部区域更薄至少50％。于制作替换性金属栅极晶体管时，可减少沟槽的长宽比。
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公开(公告)号：CN106165079B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201580016349.7
申请日：2015-03-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 杰佛瑞·E·卡兰波特 , 罗杰·B·费许
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种处理系统及校准、验证工件工艺及在高温处理工件的方法。因为硅在红外线光谱带中具有非常低的放射率，所以会在工件的至少一部分上配置涂布层。涂布层可为石墨或任何其他可易于应用的材料，且涂布层在红外线光谱中在温度范围内具有相对恒定的放射率。在一实施例中，将石墨涂布层涂布至工件的一部分，使得工件的温度可通过观察涂布层的温度而被测量。此技术可用以校准处理室、验证处理室内的操作条件或发展制造工艺。
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