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公开(公告)号：CN1554987A
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN200310122870.8
申请日：2003-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种制备最小尺寸可达纳米量级的图形的印刻法制备工艺，属于微电子领域。其特征在于先制备出“印”，“印”上刻有所需的凸起或凹进的图形。接着利用得到的印压在较为柔软的材料上，印上突起的部分就在该材料上印刻出了所需的图形。如印凹进则相反。目前微电子工业中制备纳米图形主要采用Spacer技术。Spacer技术的工艺比较复杂，需要经过很多流程而且不易控制；而电子束曝光成本较高，不适合于大批量生产。而本发明提出的印刻方法成本低廉，只要制备出一个印，就能印刻出相同条件的很多样品，有很高的可重复性。
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公开(公告)号：CN1383003A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN02111827.2
申请日：2002-05-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种具有双绝缘埋层SOI基的二维光子晶体波导及制备方法,属于光电子技术领域。特征在于顶层硅上形成具有线缺陷的二维周期结构,介质为Si或为硅和能与Si构成折射率差大于2的介质材料;周期常数a:0.18～0.5μm,介质孔径d:0.225～0.9μm;线缺陷宽度w=1.5～3a。双绝缘埋层为SiO2/Si3N4,或SiO2/Al2O3,或SiO2/AlN,或Al2O3/AlN,或Al2O3/Si3N4,或AlN/Si3N4中的一种,双绝缘埋层厚度0.2－3μm。其制作方法是采用改进智能剥离法H+、He+离子共注入然后结合电子束光刻和深反应离子刻蚀。本波导的优势是在大角度转弯时能量损失非常小,几乎为零,从而解决了光学集成电路中由于传统波导造成的瓶颈难题,使光子晶体在制备高集成、且与传统微电子平面加工工艺相匹配的光学集成电路中具有现实意义。
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公开(公告)号：CN114944452B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202210158712.0
申请日：2022-02-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种阈值选通材料、阈值选通器件单元及其制备方法，所述阈值选通材料的化学通式为(InxTey)aM1‑a，其中0.1≤x/y≤1，0＜x＜100，0＜y＜100，x+y＝100，0＜a≤0.2，M为包括至少一种第六主族元素的阈值开关材料。本发明的阈值选通器件单元具有漏电流低、阈值电压低、选通比大、开启速度快等优点，而且器件的寿命及可靠性都得到了提高。
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公开(公告)号：CN119072219A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411035002.4
申请日：2024-07-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及基于一类硫系化合物的开关器件及其存储设备，所述硫系化合物的化学通式为(SxSeyTe100‑x‑y)100‑zMz，其中M是Sb、Sn、Si、Ge、Bi、Pb、ln、Ga、As、C、P、N中的一种或几种，x、y、z满足0≤x≤100，0≤y≤100，10≤z≤90。本发明开关器件和存储设备功耗极低、操作速度快、泄漏电流低、集成密度高，可用于高密度与三维海量存储器的制造。
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公开(公告)号：CN118613141A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410844936.6
申请日：2024-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种SeTe选通管材料及选通管器件，所述SeTe选通管材料的化学式为SexTe1‑x，其中0.1≤x≤0.9。本发明是一种双向阈值开关型选通管材料，提高选通管的热稳定性，降低选通管的漏电流，增强选通管的寿命和可靠性，在非挥发性存储器、电子开关和可重构电路等领域具有重要的应用前景，可为电子设备提供更高性能、更低功耗的解决方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114721230B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202210276000.9
申请日：2022-03-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器光刻工艺优化方法，包括：步骤(1)：当每片所述晶圆表面不平整度α相同时，在光刻和刻蚀中确定相变存储器的第一光刻工艺窗口；步骤(2)：当特定图形的周期和线宽不一致时，在光刻和刻蚀中确定相变存储器的第二光刻工艺窗口，其中，所述特定图形为晶圆上的电路图形；步骤(3)：取所述第一光刻工艺窗口和第二光刻工艺窗口的重叠部分作为最终共同工艺窗口，并将所述最终共同工艺窗口的中心作为最佳曝光条件。本发明能够得到相变存储器的最优光刻工艺窗口。
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公开(公告)号：CN113268860B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202110451730.3
申请日：2021-04-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器件仿真模型，包括：相变电阻模块，用于计算当前的所述相变单元的阻值；相变电压电流模块，用于根据所述当前的所述相变单元的阻值、结晶率、熔融率、以及设置的参数由电路仿真器得到所述相变单元的电压和电流；温度计算模块，用于根据所述相变单元的电压和电阻，结合设置的所述相变单元的参数计算所述相变单元的温度；结晶熔融控制模块，用于对所述相变单元的温度进行判断，得到控制指令；结晶率计算模块，用于根据所述控制指令计算结晶率；熔融率计算模块，用于根据所述控制指令计算熔融率；所述结晶率熔融率存储模块用于保存计算得到的结晶率和熔融率。本发明能够更为准确地仿真模拟出相变存储器件在电路中的工作状态。
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公开(公告)号：CN116029246A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310011031.6
申请日：2023-01-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明涉及一种具有蒙特卡洛仿真功能的三维相变存储器1S1R模型，包括器件模型，所述器件模型包括串联的选通管模型和相变存储器模型，还包括：电压模块，用于向所述选通管模型和相变存储器模型提供电压；参数分布模块，用于提供带有统计特性的选通管模型和相变存储器模型的尺寸；电流模块，用于根据器件模型当前的状态以及两端电压计算所述器件模型的电流；状态模块，用于根据器件模型的上一时刻的状态、器件模型的电流或温度判断器件模型当前所处的状态。本发明能够模拟三维相变存储器1S1R结构的电学特性的统计特性。
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公开(公告)号：CN109754076B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN201811610471.9
申请日：2018-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供多核心类脑芯片，通过由节点信号处理模块阵列、功能模块阵列、第一双向接口、及第二双向接口组成的结构与逻辑，解决了当前人工神经网络依赖数据学习进行预测，过于依赖数据的输入和输出，绕过了对目标的理解和建模，无法做到理解目标，不能做出合理性判断和逻辑推演，而且难以进行故障分析的技术问题。
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公开(公告)号：CN110061131B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201910329526.7
申请日：2019-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种相变材料、相变存储单元及其制备方法，其中，相变材料包括钽元素、锑元素及碲元素，相变材料的化学式为TaxSbyTez，其中，x、y、z均指元素的原子百分比，且1≤x≤25，0.5≤y:z≤3，x+y+z＝100。本发明的TaxSbyTez相变薄膜材料具有相变速度快、热稳定性突出、数据保持能力强、循环寿命长、成品率高等特点，其中，Ta5.7Sb37.7Te56.6具有165℃的十年数据保持力，将其应用于相变存储器中器件单元具有6ns的操作速度和高于100万次的擦写次数。同时，本发明的TaxSbyTez相变材料的晶粒非常小，在400℃退火处理30分钟后，晶粒尺寸依然小于30纳米，这对于器件的稳定性、低功耗、成品率非常重要。本发明的相变存储器单元的制备方法与CMOS工艺相兼容，便于精确控制相变材料的成分。
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