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公开(公告)号：CN112133825A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010915374.1
申请日：2020-09-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种高稳定性相变存储单元及其制备方法，包括基底层、电极材料、介质隔离材料，相变材料区以及所述相变材料与所述介质隔离材料之间的过渡层材料。本发明所形成的相变存储单元可以抑制相变材料晶粒的长大，提升相变存储器的热稳定性，有效抑制相变材料中各元素的扩散和挥发，减小电阻漂移系数，降低了器件功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111320145A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010111861.2
申请日：2020-02-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微纳电子技术领域，本发明公开了一种相变材料，其包括M和碲(Te)两种化学元素，该相变材料的化学通式为M100-x-y-zGexSbyTez，其中，x、y和z为元素的原子百分比，该M为铪(Hf)或者铟(In)。本发明提供的相变材料具有热稳定性好特点。
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公开(公告)号：CN114944452B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202210158712.0
申请日：2022-02-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种阈值选通材料、阈值选通器件单元及其制备方法，所述阈值选通材料的化学通式为(InxTey)aM1‑a，其中0.1≤x/y≤1，0＜x＜100，0＜y＜100，x+y＝100，0＜a≤0.2，M为包括至少一种第六主族元素的阈值开关材料。本发明的阈值选通器件单元具有漏电流低、阈值电压低、选通比大、开启速度快等优点，而且器件的寿命及可靠性都得到了提高。
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公开(公告)号：CN112133824A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010907768.2
申请日：2020-09-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种相变材料、相变存储单元及其制备方法。该相变材料的化学式为TaaInbSbcTed。该单元包括下电极层，上电极层以及位于所述下电极层与所述上电极层之间的相变材料层。该单元的制备方法为：制备下电极层；制备相变材料层于下电极层上；制备上电极层于相变材料层上。该相变材料具有晶粒小、相变速度快、热稳定性突出、数据保持能力强、循环寿命长、成品率高等特点。
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公开(公告)号：CN118588134A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410776753.5
申请日：2024-06-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 张江国家实验室
Abstract: 本发明涉及一种半导体存储器高可靠操作方法，包括：使用预操作调整存储单元的写疲劳状态；每次重新调整单元写疲劳状态后，将待测单元分别操作到需要对应的初始态，然后对存储单元执行读循环操作，并获取对应的电阻值；将收集的电阻值与对应的写、读操作条件进行匹配分析，以筛选可使半导体存储器具有超长读耐久性的读操作电压，最后优化并验证筛选条件。通过本发明，半导体存储器在特定读操作电压下表现出超长的读耐久性，实现了高可靠操作，为面向存算一体的神经网络领域的应用提供了候选器件。
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公开(公告)号：CN114944452A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210158712.0
申请日：2022-02-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种阈值选通材料、阈值选通器件单元及其制备方法，所述阈值选通材料的化学通式为(InxTey)aM1‑a，其中0.1≤x/y≤1，0＜x＜100，0＜y＜100，x+y＝100，0＜a≤0.2，M为包括至少一种第六主族元素的阈值开关材料。本发明的阈值选通器件单元具有漏电流低、阈值电压低、选通比大、开启速度快等优点，而且器件的寿命及可靠性都得到了提高。
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