公开(公告)号：CN114944452B

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202210158712.0

申请日：2022-02-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 袁祯晖 ,  李小丹 ,  王若冰 ,  宋志棠 ,  宋三年

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明涉及一种阈值选通材料、阈值选通器件单元及其制备方法，所述阈值选通材料的化学通式为(InxTey)aM1‑a，其中0.1≤x/y≤1，0＜x＜100，0＜y＜100，x+y＝100，0＜a≤0.2，M为包括至少一种第六主族元素的阈值开关材料。本发明的阈值选通器件单元具有漏电流低、阈值电压低、选通比大、开启速度快等优点，而且器件的寿命及可靠性都得到了提高。

公开(公告)号：CN114824067A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210158704.6

申请日：2022-02-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 袁祯晖 ,  宋三年 ,  宋志棠 ,  李小丹 ,  吴青玉

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明涉及一种阈值开关材料、阈值开关器件单元及其制备方法，所述阈值开关材料的化学通式为GexAsyInzSe(100‑x‑y‑z)，其中x、y、z均指元素的原子百分比，且满足5≤x≤20，15≤y≤40，0

公开(公告)号：CN111463346A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010225621.5

申请日：2020-03-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宋志棠 ,  宋三年 ,  薛媛 ,  袁祯晖

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明涉及微纳电子技术领域，特别涉及一种OTS选通材料、OTS选通单元及其制备方法和存储器，所述OTS选通材料包括GeSe组分、As3Se4组分及掺杂元素(M)，所述OTS选通材料的化学通式为(GeSe)x(As3Se4)yMz，其中M为Ta、Si、Ge、Te、C、W、N、O、P中的一种或多种，x、y、z满足4

公开(公告)号：CN111463346B

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202010225621.5

申请日：2020-03-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宋志棠 ,  宋三年 ,  薛媛 ,  袁祯晖

IPC: H10N70/20

Abstract: 本发明涉及微纳电子技术领域，特别涉及一种OTS选通材料、OTS选通单元及其制备方法和存储器，所述OTS选通材料包括GeSe组分、As3Se4组分及掺杂元素(M)，所述OTS选通材料的化学通式为(GeSe)x(As3Se4)yMz，其中M为Ta、Si、Ge、Te、C、W、N、O、P中的一种或多种，x、y、z满足4

公开(公告)号：CN114944452A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202210158712.0

申请日：2022-02-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 袁祯晖 ,  李小丹 ,  王若冰 ,  宋志棠 ,  宋三年

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明涉及一种阈值选通材料、阈值选通器件单元及其制备方法，所述阈值选通材料的化学通式为(InxTey)aM1‑a，其中0.1≤x/y≤1，0＜x＜100，0＜y＜100，x+y＝100，0＜a≤0.2，M为包括至少一种第六主族元素的阈值开关材料。本发明的阈值选通器件单元具有漏电流低、阈值电压低、选通比大、开启速度快等优点，而且器件的寿命及可靠性都得到了提高。