公开(公告)号：CN118800298A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410776784.0

申请日：2024-06-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  张江国家实验室

Inventor： 李喜 ,  吴青玉 ,  解晨晨 ,  宋志棠 ,  丁星

IPC: G11C13/00 ,  G11C7/10 ,  G11C7/12

Abstract: 本发明涉及一种相变存储器自适位线钳位高速数据读出电路及方法，其中，读出电路包括：自适应预充电控制电路、预充电支路、钳位电路、参考单元、目标相变存储单元和比较电路。其中，自适应预充电控制电路用于根据读脉冲信号、钳位电路的第一输出信号和钳位电路的第二输出信号自适应控制预充电信号PRC的状态；所述预充电支路根据所述预充电信号PRC对目标位线BL和参考位线BLB进行预充电；比较电路与所述钳位电路相连，用于将所述目标位线BL和参考位线BLB的电压进行比较，并输出读电压信号。本发明能够改善现有相变存储器数据读出电路的数据读取速度。

公开(公告)号：CN118782120A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202310396391.2

申请日：2023-04-04

Applicant: 华为技术有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴青玉 ,  解晨晨 ,  谢礼 ,  李喜 ,  宋志棠 ,  罗时江 ,  赵俊峰

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/26

Abstract: 本申请提供了一种存储器编程方法和装置，该方法包括：对每个待编程的寻址单元进行预编程得到一个编程值，编程值为电导值或电阻值；若根据读操作，确定一个待编程的寻址单元当前的编程值不在对应的目标区间的范围内，则利用逐级迭代的第一电脉冲进行补偿编程，更新当前的编程值，其中，目标区间根据各待编程的寻址单元待编程到的电阻值、电导值或目标态中的一种确定，当前的编程值包括通过预编程得到的编程值，或，通过逐级迭代更新的编程值；若根据读操作，确定一个待编程的寻址单元当前的编程值在对应的目标区间的范围内，或，确定逐级迭代的次数达到预设上限，则完成编程。能够提高存储器编程的速度，降低功耗。

公开(公告)号：CN114824067A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210158704.6

申请日：2022-02-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 袁祯晖 ,  宋三年 ,  宋志棠 ,  李小丹 ,  吴青玉

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明涉及一种阈值开关材料、阈值开关器件单元及其制备方法，所述阈值开关材料的化学通式为GexAsyInzSe(100‑x‑y‑z)，其中x、y、z均指元素的原子百分比，且满足5≤x≤20，15≤y≤40，0