公开(公告)号：CN114721230B

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202210276000.9

申请日：2022-03-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张家睿 ,  周智全 ,  钟旻 ,  冯高明 ,  宋志棠

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明涉及一种相变存储器光刻工艺优化方法，包括：步骤(1)：当每片所述晶圆表面不平整度α相同时，在光刻和刻蚀中确定相变存储器的第一光刻工艺窗口；步骤(2)：当特定图形的周期和线宽不一致时，在光刻和刻蚀中确定相变存储器的第二光刻工艺窗口，其中，所述特定图形为晶圆上的电路图形；步骤(3)：取所述第一光刻工艺窗口和第二光刻工艺窗口的重叠部分作为最终共同工艺窗口，并将所述最终共同工艺窗口的中心作为最佳曝光条件。本发明能够得到相变存储器的最优光刻工艺窗口。

公开(公告)号：CN114721230A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202210276000.9

申请日：2022-03-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张家睿 ,  周智全 ,  钟旻 ,  冯高明 ,  宋志棠

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明涉及一种相变存储器光刻工艺优化方法，包括：步骤(1)：当每片所述晶圆表面不平整度α相同时，在光刻和刻蚀中确定相变存储器的第一光刻工艺窗口；步骤(2)：当特定图形的周期和线宽不一致时，在光刻和刻蚀中确定相变存储器的第二光刻工艺窗口，其中，所述特定图形为晶圆上的电路图形；步骤(3)：取所述第一光刻工艺窗口和第二光刻工艺窗口的重叠部分作为最终共同工艺窗口，并将所述最终共同工艺窗口的中心作为最佳曝光条件。本发明能够得到相变存储器的最优光刻工艺窗口。