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公开(公告)号：CN106458687B
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201580024930.3
申请日：2015-05-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 菲德梨克·M·卡尔森 , 彼德·L·凯勒曼 , 大卫·莫雷尔 , 布莱恩·梅克英特许 , 南帝斯·德塞
IPC: C03B27/012 , C03B23/00
Abstract: 本发明涉及一种用于处理熔体的设备及方法与控制熔体内的热流的系统。所述用于处理熔体的设备可包含经配置以容纳所述熔体的坩埚，其中所述熔体具有与所述坩埚的底部分开第一距离的暴露表面。所述设备可进一步包含浸没式加热器，所述浸没式加热器包括加热元件以及安置于所述加热元件与所述熔体之间的壳体，其中所述加热元件不接触所述熔体。所述加热元件可安置在相对于所述熔体的所述暴露表面的第二距离处，所述第二距离小于所述第一距离。
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公开(公告)号：CN108701987B
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201780011497.9
申请日：2017-01-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H02H9/02 , G01R19/175 , H02H1/00
Abstract: 一种错误电流限制器及其方法。错误电流限制器可包含传输第一电流的电流限制支路和与电流限制支路并联的控制支路，控制支路传输第二电流。控制支路可包含相互电串联布置的多个固态开关；与所述多个固态开关电串联布置的多个电流监测器；以及至少一个触发电路，其中所述多个电流监测器电耦合到所述至少一个触发电路，且其中所述至少一个触发电路光学耦合到所述多个固态开关。借此，其确保网络始终受到保护。
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公开(公告)号：CN108140524B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201680060705.X
申请日：2016-09-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明公开一种具有经提高的寿命的间接加热式阴极(IHC)离子源。所述间接加热式阴极离子源包括具有阴极的腔室以及位于所述离子源的相对的端上的反射极。偏压电极安置在所述离子源的一或多个侧上。相对于所述腔室而被施加至所述阴极、所述反射极及所述电极中的至少一者的偏压随时间的推移而改变。在某些实施例中，被施加至所述电极的电压可自初始正电压开始。随着时间的推移，这种电压可降低，但仍维持目标离子束电流。有利地，使用这种技术，所述阴极的寿命得到提高。
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公开(公告)号：CN105659371B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201480055162.3
申请日：2014-09-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 杰佛瑞·E·卡兰波特 , 罗杰·B·费许
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明描述了在半导体制造期间用于测量基板温度的温度探针与组合件和用于支撑基板的传感器压板。温度探针包括温度传感器。各项实施例描述了具有安置在压板的介电板内的开口的气室，其中密封件安置在气室中的开口周围，使得气室中的开口可以抵着基板密封。此外，温度传感器以及弹簧安置在气室中，所述弹簧经偏置以将温度传感器放置成与基板接触。另外，提供了经配置以利用低压气体对气室加压以便增加基板与温度传感器之间的热导率的气体源。
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公开(公告)号：CN107075662B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201580055294.0
申请日：2015-10-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明公开一种用于处理工件的系统和方法。用等离子室形成带状离子束，所述带状离子束经提取孔口提取。在提取孔口旁边平移工件以使工件的不同部分暴露于带状离子束。当工件暴露于带状离子束时，改变与等离子室相关的至少一个参数。可变参数包含提取电压占空比、工件扫描速度和离子束的形状。在一些实施例中，工件整体暴露于带状离子束之后，当参数改变时，旋转工件并再次将其暴露于带状离子束。此序列可重复多次。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110431650A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201880018758.4
申请日：2018-03-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 艾立克·赫尔曼森 , 菲力浦·莱恩 , 詹姆斯·艾伦·皮克斯利
IPC: H01J37/317 , H01J37/05 , H01J37/12
Abstract: 本文提供通过在导电束光学器件上提供沟槽或表面特征来增大导电束光学器件的表面积的方式。在一种方式中，导电束光学器件可为具有沿离子束线设置的多个导电束光学器件的静电过滤器的一部分，其中至少一个导电束光学器件包括形成在外表面中的多个沟槽。在一些方式中，可将电源供应器设置成与所述多个导电束光学器件连通，其中电源供应器被配置成向所述多个导电束光学器件供应电压及电流。所述多个沟槽可沿导电束光学器件的长度设置成螺旋形图案，和/或平行于导电束光学器件的纵轴进行取向。
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公开(公告)号：CN108140527B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201680057536.4
申请日：2016-10-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J27/02 , H01J37/30
Abstract: 本文中提供加速器/减速器、离子植入系统以及用于控制加速器/减速器内的离子束的方法。在示例性方面中，一种离子植入系统包括：离子源，用于产生离子束；以及终端抑制电极，耦合至终端，其中所述终端抑制电极用以经由所述终端抑制电极的孔传导所述离子束，并从第一电压源对所述离子束施加第一电位。所述系统还包括透镜，所述透镜耦合至所述终端并邻近所述终端抑制电极安置，其中所述透镜用以经由所述透镜的孔传导所述离子束并从第二电压源对所述离子束施加第二电位。在示例性方面中，所述透镜与所述终端抑制电极电绝缘并独立地受到驱动，因此能够实现增大的离子束电流操作范围。
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公开(公告)号：CN107429408B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201680015261.8
申请日：2016-03-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 揭示一种用于以可控制方式从衬底移除金属的系统和方法。系统包含腔室，所述腔室具有允许气体流动到腔室中的一个或多个气体入口、至少一个排气泵，所述至少一个排气泵将气体从腔室排出，以及加热器，所述加热器能够调节腔室温度。在一些实施例中，在第一温度下将一种或多种气体引入到腔室中。这些气体中的原子与衬底表面上的金属起化学反应以形成可移除的化合物。随后将气体从腔室排出，在衬底表面上留下可移除的化合物。接着将腔室的温度升高到高于可移除的化合物的升华温度的第二温度。此升高的温度使可移除的化合物变为气态并从腔室中排出。
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公开(公告)号：CN110268505A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201780084679.9
申请日：2017-11-16
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 詹姆士·P·布诺德诺
IPC: H01L21/265 , H01J37/317 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开一种用于改良离子束的均匀度的装置。装置包含加热位于离抑制孔口最远处的抑制电极的边缘的加热元件。在操作中，最接近抑制电极的抑制电极的边缘可通过离子束加热。这一加热可导致抑制电极变形，从而影响离子束的均匀度。通过加热抑制电极的远端边缘，可控制抑制电极的热变形。在其它实施例中，加热抑制电极的远端边缘以产生更均匀的离子束。通过监测抑制电极下游处的离子束的均匀度，如通过使用射束均匀度测绘仪，控制器可调节施加到远端边缘的热量以实现期望的离子束均匀度。
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公开(公告)号：CN105474357B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201480045728.4
申请日：2014-06-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 朱利安·布雷克
IPC: H01L21/02 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C14/22 , C23C14/564 , C23C16/4404 , C23C16/50 , H01J37/3171 , H01J37/32477 , H01J2237/0213 , H01J2237/022 , H01J2237/028 , H01J2237/0473 , H01J2237/0475 , H01J2237/057 , H01J2237/1207 , H01J2237/3321 , H01J2237/334
Abstract: 本发明提供一种基板处理系统、离子植入系统及束线离子植入系统。例如是离子植入系统、沉积系统和蚀刻系统的基板处理系统，其具有粗糙化硅衬垫。硅衬垫是用可以产生细部特征的化学加工来粗糙化，像是微角锥，其高度可以小于二十微米。这些微角锥已经比一般在石墨衬垫中常见的粗糙化特征更小，尽管事实如此，粗糙化的硅能够保留沉积的镀膜且避免剥落。
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