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公开(公告)号：CN109417006B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201780040167.2
申请日：2017-05-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明公开一种具有改善的寿命的间接加热式阴极离子源及伯纳斯离子源。在某些实施例中，所述离子源是间接加热式阴极离子源，所述间接加热式阴极离子源包括腔室，所述腔室具有多个导电壁，所述间接加热式阴极离子源具有阴极，所述阴极电连接到所述离子源的壁。在所述离子源的一个或多个壁上设置有电极。电极中的至少一个被相对于腔室的壁施加偏压。在某些实施例中，被吸引到阴极的正离子较少，从而减少阴极经历的溅射量。有利的是，使用这种技术会改善阴极的寿命。在另一实施例中，离子源包括伯纳斯离子源，所述伯纳斯离子源包括具有细丝的腔室，所述细丝的一个引线连接到离子源的壁。
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公开(公告)号：CN109417006A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780040167.2
申请日：2017-05-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明公开一种具有改善的寿命的离子源。在某些实施例中，所述离子源是间接加热式阴极离子源，所述间接加热式阴极离子源包括腔室，所述腔室具有多个导电壁，所述间接加热式阴极离子源具有阴极，所述阴极电连接到所述离子源的壁。在所述离子源的一个或多个壁上设置有电极。电极中的至少一个被相对于腔室的壁施加偏压。在某些实施例中，被吸引到阴极的正离子较少，从而减少阴极经历的溅射量。有利的是，使用这种技术会改善阴极的寿命。在另一实施例中，离子源包括伯纳斯离子源，所述伯纳斯离子源包括具有细丝的腔室，所述细丝的一个引线连接到离子源的壁。
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公开(公告)号：CN112703574B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201980060660.X
申请日：2019-08-05
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/20 , H01J37/317
Abstract: 本发明公开一种具有用于容纳固态掺杂物材料的可插入式靶容纳器的离子源。具体而言，公开一种间接加热式阴极离子源及将不同的掺杂物离子化的方法。可插入式靶容纳器包括腔囊或空腔，固态掺杂物材料设置在所述腔囊或空腔中。固态掺杂物材料在熔化时保持含纳在腔囊内，因此不会使电弧腔室损坏或劣化。另外，靶容纳器可从其中腔囊至少局部地位于电弧腔室中的一个或多个位置移动到其中腔囊完全位于电弧腔室之外的一个或多个位置。在某些实施例中，可使用套管来覆盖腔囊的开放的顶部的至少一部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108140524B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201680060705.X
申请日：2016-09-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明公开一种具有经提高的寿命的间接加热式阴极(IHC)离子源。所述间接加热式阴极离子源包括具有阴极的腔室以及位于所述离子源的相对的端上的反射极。偏压电极安置在所述离子源的一或多个侧上。相对于所述腔室而被施加至所述阴极、所述反射极及所述电极中的至少一者的偏压随时间的推移而改变。在某些实施例中，被施加至所述电极的电压可自初始正电压开始。随着时间的推移，这种电压可降低，但仍维持目标离子束电流。有利地，使用这种技术，所述阴极的寿命得到提高。
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公开(公告)号：CN108140524A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680060705.X
申请日：2016-09-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明公开一种具有经提高的寿命的间接加热式阴极(IHC)离子源。所述间接加热式阴极离子源包括具有阴极的腔室以及位于所述离子源的相对的端上的反射极。偏压电极安置在所述离子源的一或多个侧上。相对于所述腔室而被施加至所述阴极、所述反射极及所述电极中的至少一者的偏压随时间的推移而改变。在某些实施例中，被施加至所述电极的电压可自初始正电压开始。随着时间的推移，这种电压可降低，但仍维持目标离子束电流。有利地，使用这种技术，所述阴极的寿命得到提高。
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公开(公告)号：CN112687505B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202011561805.5
申请日：2017-05-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明公开一种具有改善的寿命的间接加热式阴极离子源及伯纳斯离子源。在某些实施例中，所述离子源是间接加热式阴极离子源，所述间接加热式阴极离子源包括腔室，所述腔室具有多个导电壁，所述间接加热式阴极离子源具有阴极，所述阴极电连接到所述离子源的壁。在所述离子源的一个或多个壁上设置有电极。电极中的至少一个被相对于腔室的壁施加偏压。在某些实施例中，被吸引到阴极的正离子较少，从而减少阴极经历的溅射量。有利的是，使用这种技术会改善阴极的寿命。在另一实施例中，离子源包括伯纳斯离子源，所述伯纳斯离子源包括具有细丝的腔室，所述细丝的一个引线连接到离子源的壁。
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公开(公告)号：CN112703574A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201980060660.X
申请日：2019-08-05
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/20 , H01J37/317
Abstract: 本发明公开一种具有用于容纳固态掺杂物材料的可插入式靶容纳器的离子源。可插入式靶容纳器包括腔囊或空腔，固态掺杂物材料设置在所述腔囊或空腔中。固态掺杂物材料在熔化时保持含纳在腔囊内，因此不会使电弧腔室损坏或劣化。另外，靶容纳器可从其中腔囊至少局部地位于电弧腔室中的一个或多个位置移动到其中腔囊完全位于电弧腔室之外的一个或多个位置。在某些实施例中，可使用套管来覆盖腔囊的开放的顶部的至少一部分。
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公开(公告)号：CN112687505A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011561805.5
申请日：2017-05-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明公开一种具有改善的寿命的间接加热式阴极离子源及伯纳斯离子源。在某些实施例中，所述离子源是间接加热式阴极离子源，所述间接加热式阴极离子源包括腔室，所述腔室具有多个导电壁，所述间接加热式阴极离子源具有阴极，所述阴极电连接到所述离子源的壁。在所述离子源的一个或多个壁上设置有电极。电极中的至少一个被相对于腔室的壁施加偏压。在某些实施例中，被吸引到阴极的正离子较少，从而减少阴极经历的溅射量。有利的是，使用这种技术会改善阴极的寿命。在另一实施例中，离子源包括伯纳斯离子源，所述伯纳斯离子源包括具有细丝的腔室，所述细丝的一个引线连接到离子源的壁。
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