公开(公告)号：CN108140524B

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201680060705.X

申请日：2016-09-23

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 丹尼尔·艾凡瑞朵 ,  可劳斯·贝克 ,  大卫·阿克曼

IPC: H01J27/02 ,  H01J27/08

Abstract: 本发明公开一种具有经提高的寿命的间接加热式阴极(IHC)离子源。所述间接加热式阴极离子源包括具有阴极的腔室以及位于所述离子源的相对的端上的反射极。偏压电极安置在所述离子源的一或多个侧上。相对于所述腔室而被施加至所述阴极、所述反射极及所述电极中的至少一者的偏压随时间的推移而改变。在某些实施例中，被施加至所述电极的电压可自初始正电压开始。随着时间的推移，这种电压可降低，但仍维持目标离子束电流。有利地，使用这种技术，所述阴极的寿命得到提高。

公开(公告)号：CN108140524A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680060705.X

申请日：2016-09-23

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 丹尼尔·艾凡瑞朵 ,  可劳斯·贝克 ,  大卫·阿克曼

IPC: H01J27/02 ,  H01J27/08

Abstract: 本发明公开一种具有经提高的寿命的间接加热式阴极(IHC)离子源。所述间接加热式阴极离子源包括具有阴极的腔室以及位于所述离子源的相对的端上的反射极。偏压电极安置在所述离子源的一或多个侧上。相对于所述腔室而被施加至所述阴极、所述反射极及所述电极中的至少一者的偏压随时间的推移而改变。在某些实施例中，被施加至所述电极的电压可自初始正电压开始。随着时间的推移，这种电压可降低，但仍维持目标离子束电流。有利地，使用这种技术，所述阴极的寿命得到提高。