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公开(公告)号：CN111604809A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010106480.5
申请日：2020-02-21
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/005 , B24B37/013 , B24B57/02 , B24B49/10 , H01L21/67 , H01L21/321
Abstract: 第一基板研磨装置及第二基板研磨装置具备膜厚传感器，该膜厚传感器用于测定基板的被研磨层的膜厚，第一基板研磨装置及第二基板研磨装通过将基板向研磨垫按压来进行所述被研磨层的研磨。第一基板研磨装置将被研磨层的下层露出时的膜厚传感器的输出值与没有基板时的膜厚传感器的输出值的差值作为第一偏移值输出。第二基板研磨装置具备：存储部，该存储部存储第一偏移值的信息；输出补正部，该输出补正部基于第一偏移值对来自膜厚传感器的输出值进行补正；以及终点检测部，在基于补正后的输出值计算出的被研磨层的膜厚的测定值达到目标值时，该终点检测部输出指示基板研磨的终点的控制信号。
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公开(公告)号：CN111593395A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010102286.X
申请日：2020-02-19
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明涉及基板保持件以及具备该基板保持件的镀敷装置。用于防止由于密封唇向内侧倾倒而导致基板挠曲或者产生对基板的损伤。作为一个实施方式，公开一种基板保持件，其为具有开口的基板保持件，基板保持件具备：密封件；以及密封件支承部，其具有密封件支承面且设置于开口的外侧周围，密封件具备密封主体和密封唇，密封件支承面的至少一部分具有使密封件支承面的内侧端部接近基板应处的平面那样的倾斜角，密封件支承面的内侧端部位于比密封唇靠内侧。
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公开(公告)号：CN111515811A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010075305.4
申请日：2020-01-22
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，能够使基板的中心与处理台的轴心高精度地对准，而防止产生不良基板。基板处理装置具备：偏心检测机构(54)，该偏心检测机构取得定心台(10)所保持的基板(W)的中心相对于定心台(10)的轴心(C1)的偏心量和偏心方向；以及对准器(36、41、75)，该对准器使基板W的中心与处理台(20)的轴心(C2)对准。对准器(36、41、75)在将基板W从定心台(10)交接到处理台(20)之后，使用偏心检测机构(54)而取得基板(W)的中心相对于处理台(20)的轴心(C2)的偏心量和偏心方向，并且该对准器确认所取得的基板(W)的中心相对于处理台(20)的轴心(C2)的偏心量处于规定的允许范围内。
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公开(公告)号：CN105280525B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201510306666.4
申请日：2015-06-05
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种能够与稀释比例的变更灵活地相对应，且能够抑制装置尺寸大型化的清洗药液供给装置、清洗药液的供给方法及清洗单元，清洗药液供给装置具有：第1直列式混合器，将第1清洗药液供给到清洗装置；第2直列式混合器，将第2清洗药液供给到基板清洗装置；第1药液CLC箱，对供给到第1直列式混合器的第1药液的流量进行控制；第2药液CLC箱，对供给到第2直列式混合器的第2药液的流量进行控制；以及DIWCLC箱，对供给到第1直列式混合器或第2直列式混合器的稀释水的流量进行控制，且清洗药液供给装置构成为：将稀释水的供给目的地从第1直列式混合器切换到第2直列式混合器，或从第2直列式混合器切换到第1直列式混合器。
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公开(公告)号：CN111406158A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201880076405.X
申请日：2018-11-26
IPC: F16C33/20 , F04D13/00 , F04D29/046 , F16C17/14
Abstract: 提供在水泵中所使用的径向轴承用的滑动轴承装置中具备在包含泥沙等异物(泥浆)的水中运转时如以往那样维持耐磨性、并且在空气中滑动的干燥润滑条件下即使是比较高的PV值的范围也以摩擦系数低的状态得以稳定地维持的滑动轴承的滑动轴承装置以及具备该滑动轴承装置的泵。该滑动轴承装置是具备滑动轴承的滑动轴承装置，前述滑动轴承包含芳香族聚醚酮、滑石、碳纤维及不可避免的杂质，前述滑石相对于前述滑动轴承的含有率为7～18质量％，前述滑动轴承的滑动面中的前述碳纤维的面积率为27～35％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111376171A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201911309643.3
申请日：2019-12-18
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/30 , B24B37/34 , H01L21/321
Abstract: 本发明提供一可精确控制基板的周缘部的研磨轮廓的研磨装置及研磨方法。研磨装置(1)具备：用于支承具有研磨面(2a)的研磨垫(2)的研磨台(3)；具有按压面(45a)的可旋转的头主体(11)；与头主体(2a)一起旋转同时用以压靠研磨面的挡圈(20)；旋转环(51)；固定环(91)；及用于向固定环(91)施加局部载荷的多个局部载荷施加装置(30A、30B)。局部载荷施加装置(30A、30B)包含连接至固定环(91)的第一按压构件(31A)和第二按压构件(31B)。第一按压构件(31A)配置于研磨面的行进方向上的挡圈的上游侧，第二按压构件(31B)配置于研磨面的行进方向上的挡圈的下游侧。
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公开(公告)号：CN108588800B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201710733577.7
申请日：2008-12-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明在对半导体晶片等被电镀体(基板)进行电镀时，即使在高电流密度条件下也能使形成顶端形状平坦的凸点或者形成面内具有良好的均匀性的金属膜成为可能。具有：保持电镀液(Q)的电镀槽(10)；浸渍到电镀槽内的电镀液中配置的阳极(26)；保持被电镀体(W)，配置在与阳极相对的位置上的保持架(24)；配置在阳极与被保持架保持的被电镀体之间，与该被电镀体平行地往复移动，搅拌电镀液的搅拌器(32)；以及控制驱动搅拌器的搅拌器驱动部(42)的控制部(46)。控制部控制搅拌器驱动部，使得搅拌器移动速度绝对值的平均值为70～100cm/sec。
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公开(公告)号：CN104971916B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201510151490.X
申请日：2015-04-01
Applicant: 株式会社荏原制作所
Inventor： 石桥知淳
Abstract: 一边向旋转的半导体晶片等衬底的表面提供清洗液一边清洗衬底的清洗装置中，通过使清洗液在衬底的整个半径流动而使清洗度提高。清洗装置具有：保持衬底(W)并将衬底(W)的中心轴作为旋转轴而使衬底(W)旋转的多根主轴(51)；朝向衬底(W)的上表面排出清洗液(L)的单管喷嘴(41)，单管喷嘴(41)以清洗液(L)着落于衬底W的中心(O)的近前，着落的清洗液(L)在衬底(W)的上表面朝向衬底(W)的中心流动的方式排出清洗液(L)。从单管喷嘴(41)排出的清洗液(L)着落后在衬底(W)的上表面的液流通过衬底(W)的中心(O)。
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公开(公告)号：CN108713064B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201780015767.3
申请日：2017-02-23
IPC: C22C29/10 , C22C29/02 , F04D29/046 , F16C33/12
Abstract: 本发明为TiCx‑(Ti‑Mo)系滑动材料，其特征在于，具有由Ti‑Mo系合金形成的粘结相、和包含TiCx的硬质相，TiCx‑(Ti‑Mo)系滑动材料满足下述条件(1)至(5)中的全部：(1)所述粘结相与硬质相的总面积为所述视野面积的90％以上；(2)所述粘结相的总面积为所述视野面积的15％以上且20％以下；(3)在所述粘结相之中，相当于直径10μm以上且50μm以下的粘结相的总面积为粘结相的总面积的60％以上且80％以下，所述直径是将面积假定为圆的面积时所算出的；(4)在所述粘结相之中，相当于直径小于10μm的粘结相的总面积为粘结相的总面积的20％以上且40％以下，所述直径是将面积假定为圆的面积时所算出的；(5)所述粘结相中的Mo浓度为25重量％以上且35重量％以下。
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公开(公告)号：CN108515447B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201810348607.7
申请日：2009-08-07
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明涉及抛光衬底的方法和装置，尤其是提出一种抛光方法，用于将诸如半导体晶片的衬底抛光至平坦镜面光洁度。通过抛光装置实施抛光衬底的方法，该抛光装置包括具有抛光表面的抛光台(100)、用于保持衬底并将衬底压抵抛光表面的顶圈(1)以及用于沿垂直方向移动顶圈(1)的可垂直移动机构(24)。在衬底压抵抛光表面之前，顶圈(1)移动至第一高度，且接着在衬底压抵抛光表面之后，顶圈(1)移动至第二高度。
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