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公开(公告)号：CN111604809B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202010106480.5
申请日：2020-02-21
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/005 , B24B37/013 , B24B57/02 , B24B49/10 , H01L21/67 , H01L21/321
Abstract: 第一基板研磨装置及第二基板研磨装置具备膜厚传感器，该膜厚传感器用于测定基板的被研磨层的膜厚，第一基板研磨装置及第二基板研磨装通过将基板向研磨垫按压来进行所述被研磨层的研磨。第一基板研磨装置将被研磨层的下层露出时的膜厚传感器的输出值与没有基板时的膜厚传感器的输出值的差值作为第一偏移值输出。第二基板研磨装置具备：存储部，该存储部存储第一偏移值的信息；输出补正部，该输出补正部基于第一偏移值对来自膜厚传感器的输出值进行补正；以及终点检测部，在基于补正后的输出值计算出的被研磨层的膜厚的测定值达到目标值时，该终点检测部输出指示基板研磨的终点的控制信号。
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公开(公告)号：CN113211299A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110153214.2
申请日：2021-02-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供适当与研磨中的基板的被研磨面的状态对应而提高被研磨面的研磨的均匀性的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置包含：用于支持基板(WF)的工作台(100)；用于保持研磨被支承于工作台的基板的研磨垫(222)的垫保持件(226)；用于使垫保持件相对于基板升降的升降机构；用于使垫保持件在基板的径向上摆动的摆动机构；用于支承被摆动机构而摆动到工作台的外侧的研磨垫的支承部件(300A、300B)；及用于在研磨基板时调整支承部件(300)的高度和该支承部件相对于基板的距离中的至少一方的驱动机构(310、320)。
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公开(公告)号：CN113001394A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202011504421.X
申请日：2020-12-18
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/30 , B24B37/34 , B24B27/00 , B24B47/20 , B24B49/04 , B24B49/12 , B24B53/017 , B24B55/06 , H01L21/66 , H01L21/67
Abstract: 本发明为基板处理装置、基板处理方法及基板研磨方法，无论基板的直径的公差如何都提高基板的被研磨面的研磨的均匀性。基板处理装置包括：用于支承基板(WF)的工作台(100)；用于保持研磨垫(222)的垫保持件(226)，而该研磨垫用于对支承在工作台(100)上的基板(WF)进行研磨；用于使垫保持件摆动的摆动机构；用于支承通过摆动机构而向工作台(100)的外侧进行摆动的研磨垫的支承部件(300A、300B)；用于测量基板(WF)的直径的测量器(400)；以及根据由测量器(400)测量出的基板(WF)的直径来调整支承部件相对于支承在工作台(100)上的基板(WF)的位置的驱动机构(320)。
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公开(公告)号：CN100507092C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN03811966.8
申请日：2003-03-25
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: C25F3/00 , C25F7/00 , H01L21/3063
CPC classification number: C25F3/00 , C25F7/00 , H01L21/32115
Abstract: 提供一种例如能省略CMP处理本身，或者既能尽量减小CMP处理的负荷、又能把设置在基片表面上的导电性材料加工成平整状态，并且还能除去(清洗)附着在基片等被加工物的表面上的附着物的电解加工装置，其特征在于具有：电极部，并列地布置了多个电极部件，电极部件包括电极和对电极的表面进行覆盖的离子交换体；保持部，保持被加工物，使被加工物与电极部件的离子交换体自如接触或接近；以及电源，连接到电极部的各电极部件的电极，电极部件的离子交换体具有：表面平滑性良好的离子交换体、以及离子交换容量大的离子交换体。
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公开(公告)号：CN100496892C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN02813831.7
申请日：2002-07-10
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
Abstract: 一种基片抛光机，该抛光机包括：抛光表面；基片托架，其保持基片并使其与抛光表面接触。基片托架包括：托架体；基片保持元件，其保持基片，使基片的被抛光表面直接朝向抛光表面。基片保持元件在托架体上的安装方式，使基片保持元件既可以趋向抛光表面运动也可以远离抛光表面运动。基片抛光机还包括基片保持元件定位装置，该装置设置在基片保持元件的侧面，该侧面与基片保持元件保持基片的侧面相反。基片保持元件定位装置具有一种柔性元件，此元件限定了一种室，此室一经引入不可压缩流体，便朝向抛光表面方向扩展。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113211299B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202110153214.2
申请日：2021-02-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供适当与研磨中的基板的被研磨面的状态对应而提高被研磨面的研磨的均匀性的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置包含：用于支持基板(WF)的工作台(100)；用于保持研磨被支承于工作台的基板的研磨垫(222)的垫保持件(226)；用于使垫保持件相对于基板升降的升降机构；用于使垫保持件在基板的径向上摆动的摆动机构；用于支承被摆动机构而摆动到工作台的外侧的研磨垫的支承部件(300A、300B)；及用于在研磨基板时调整支承部件(300)的高度和该支承部件相对于基板的距离中的至少一方的驱动机构(310、320)。
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公开(公告)号：CN116745067A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202280010809.5
申请日：2022-01-05
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/005 , B24B49/00
Abstract: 本发明关于用于研磨半导体晶片等基板的研磨垫的表面性状测量装置、研磨垫的表面性状测量方法及研磨垫的表面性状判定方法。表面性状测量装置(30)具备：投光部(32)，该在从研磨垫(2)的研磨面(2a)观看研磨垫(2)时，该投光部能够从多个照射角度照射光至研磨垫(2)；及受光部(35)，该受光部能够接收由研磨垫(2)的表面反射的多个方向的反射光。
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公开(公告)号：CN115087517A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202180013002.2
申请日：2021-01-13
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/005 , B24B37/10 , B24B41/06 , B24B49/02 , H01L21/304 , H01L21/68 , H01L21/683
Abstract: 使具有异形部分的未被预对准的基板的定位精度提升。基板处理装置包含：平台，用于支承基板；垫保持架，用于保持研磨垫，研磨垫用于研磨被支承在平台的基板；升降机构，用于使垫保持架相对于基板升降；及至少3个定心机构400A、400B、400C，用于向平台的中心方向按压被支承在平台的基板以进行对位，至少3个定心机构400A、400B、400C分别包含：被配置在平台的周围的旋转轴430、及被安装在旋转轴430的定心构件440，定心构件440包含：旋转轴430向第1方向旋转时与基板WF接触的第1接触部440a、及旋转轴430向与第1方向相反的第2方向旋转时与基板WF接触的第2接触部440b。
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公开(公告)号：CN108453618A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810151773.8
申请日：2018-02-14
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/07 , B24B37/20 , B24B37/005 , B24B37/34
CPC classification number: B24B37/013 , B24B21/12 , B24B27/0084 , B24B37/105 , B24B37/107 , B24B53/017 , B24B37/07 , B24B37/005 , B24B37/20 , B24B37/34
Abstract: 本发明提供基板的研磨装置和基板处理系统，能够降低单位加工痕迹形状相对于规定的形状的偏差。根据一个实施方式，提供对基板进行局部研磨的研磨装置，具有：与基板接触的加工面比基板小的研磨部件；将研磨部件向基板按压的按压机构；在与基板的表面平行的第一运动方向上对研磨部件施加运动的第一驱动机构；在与第一运动方向垂直且沿与基板的表面平行的方向具有成分的第二运动方向上对研磨部件施加运动的第二驱动机构；以及用于控制研磨装置的动作的控制装置，在研磨基板时，研磨部件构成为与基板接触的区域上的任意点在相同的第一运动方向上运动，控制装置构成为对第一驱动机构和第二驱动机构的动作进行控制以使用研磨部件对基板进行局部研磨。
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公开(公告)号：CN1656257A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN03811966.8
申请日：2003-03-25
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: C25F3/00 , C25F7/00 , H01L21/3063
CPC classification number: C25F3/00 , C25F7/00 , H01L21/32115
Abstract: 提供一种例如能省略CMP处理本身，或者既能尽量减小CMP处理的负荷、又能把设置在基片表面上的导电性材料加工成平整状态，并且还能除去(清洗)附着在基片等被加工物的表面上的附着物的电解加工装置，其特征在于具有：电极部，并列地布置了多个电极部件，电极部件包括电极和对电极的表面进行覆盖的离子交换体；保持部，保持被加工物，使被加工物与电极部件的离子交换体自如接触或接近；以及电源，连接到电极部的各电极部件的电极，电极部件的离子交换体具有：表面平滑性良好的离子交换体、以及离子交换容量大的离子交换体。
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