公开(公告)号：CN115244656A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202180018254.4

申请日：2021-02-02

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 伊东伴 ,  饭泉健 ,  盖尔·罗耶尔 ,  帕特里克·翁 ,  凯文·范德斯米森 ,  卡蒂亚·迪利伦特

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/005 ,  B24B37/013 ,  B24B49/04 ,  B24B49/12 ,  B24B49/16

Abstract: 本发明关于研磨晶片等基板的研磨方法及研磨装置。此外，本发明关于记录有用于使研磨装置执行研磨方法的程序的计算机可读取记录介质。本方法使研磨台(3)旋转，并将基板(W)按压于研磨面(2a)来研磨基板(W)。研磨基板(W)的工序包含膜厚轮廓调整工序和研磨终点检测工序。膜厚轮廓调整工序包含如下工序：基于多个膜厚来调整基板(W)对研磨面(2a)的按压力，决定膜厚指标值达到膜厚阈值的时间点，该膜厚指标值是根据多个膜厚中的至少一个而决定的。研磨终点检测工序包含如下工序：测定用于使研磨台(3)旋转的转矩，并基于转矩决定研磨终点。

公开(公告)号：CN107799436B

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN201710750724.1

申请日：2017-08-28

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 今井正芳 ,  德重克彦 ,  小仓大 ,  渡边和英 ,  国泽淳次 ,  饭泉健 ,  宫崎充

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 提供一种基板处理装置，具备：研磨部，该研磨部使用研磨液来对基板进行研磨；第一清洗部，该第一清洗部使用硫酸及过氧化氢溶液来对由所述研磨部研磨后的基板进行清洗；第二清洗部，该第二清洗部使用碱性的药液及过氧化氢溶液来对由所述第一清洗部清洗了的基板进行清洗；干燥部，该干燥部使由所述第二清洗部清洗后的基板干燥。这样的基板处理装置及基板处理方法能够以较少的工序对研磨后的基板进行充分地清洗。

公开(公告)号：CN100507092C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN03811966.8

申请日：2003-03-25

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 锅谷治 ,  粂川正行 ,  安田穗积 ,  小畠严贵 ,  饭泉健 ,  高田畅行 ,  深谷孝一

IPC: C25F3/00 ,  C25F7/00 ,  H01L21/3063

CPC classification number: C25F3/00 ,  C25F7/00 ,  H01L21/32115

Abstract: 提供一种例如能省略CMP处理本身，或者既能尽量减小CMP处理的负荷、又能把设置在基片表面上的导电性材料加工成平整状态，并且还能除去(清洗)附着在基片等被加工物的表面上的附着物的电解加工装置，其特征在于具有：电极部，并列地布置了多个电极部件，电极部件包括电极和对电极的表面进行覆盖的离子交换体；保持部，保持被加工物，使被加工物与电极部件的离子交换体自如接触或接近；以及电源，连接到电极部的各电极部件的电极，电极部件的离子交换体具有：表面平滑性良好的离子交换体、以及离子交换容量大的离子交换体。

公开(公告)号：CN1823403A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200480020146.7

申请日：2004-07-14

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 野路郁太郎 ,  安田穗积 ,  饭泉健 ,  广川一人 ,  小畠严贵

IPC: H01L21/3063 ,  H01L21/304 ,  C25F3/16

Abstract: 本发明提供一种电解处理装置和电解处理方法，能够有效地避免形成会对影响处理产品的质量的凹坑。该电解处理装置包括：用于处理工件的处理电极(210)；用于给工件供电的供电电极(212)；用于向处理电极(210)和供电电极(212)之间施加电压的电源(232)；在其中容纳处理电极(210)和供电电极(212)的压力密闭容器(200)；和用于将高压液体供应到压力密闭容器(210)内的高压液体供应系统(204)。

公开(公告)号：CN115668467A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202180034939.8

申请日：2021-04-26

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 饭泉健 ,  小篠谅太 ,  大田真朗

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/321 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 本发明涉及一种不含阻挡金属的金属配线构造及其制造方法。该方法通过在形成有第一配线槽(1)和宽度大于第一配线槽(1)的第二配线槽(2)的绝缘层(3)上堆积金属间化合物(6)，而以金属间化合物(6)至少填满第一配线槽(1)，并进行平坦化工序，该平坦化工序将金属间化合物(6)研磨至绝缘层(3)露出为止，之后，进行高度调整工序，该高度调整工序将金属间化合物(6)和绝缘层(3)研磨至第一配线槽(1)内的金属间化合物(6)的高度达到规定的高度为止。

公开(公告)号：CN104275640A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410330819.4

申请日：2014-07-11

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 野村季和 ,  饭泉健 ,  渡边和英 ,  小林洋一

IPC: B24B37/00 ,  B24B37/34 ,  B24B49/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/013 ,  B24B37/005 ,  B24B37/34 ,  B24B49/12 ,  G01B11/0633 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26

Abstract: 一种膜厚测定装置，具有：将基板(W)支承成水平的基板台(87)；洗涤水供给部(90)，其将洗涤水供给到基板台(87)上的基板(W)整个表面；膜厚测定头(84)，其将光照射在基板台(87)上的基板(W)表面上的测定区域，生成来自测定区域的反射光的光谱，从该光谱确定基板(W)的膜厚；以及流体供给部(130)，其在光的光路上形成气体流，将该气体流施加到测定区域。采用本发明的膜厚测定装置及膜厚测定方法，可提高膜厚的测定精度。

公开(公告)号：CN113471100A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110333492.6

申请日：2021-03-29

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 梶川敬之 ,  饭泉健 ,  今井正芳

IPC: H01L21/67

Abstract: 作为本发明的一方式，清洗部件的清洗装置具有：保持虚设基板(Wd)的基板支承部(200)；保持具有清洗部件(90)的清洗部件组件(1)的保持部(100)；使所述清洗部件旋转的部件旋转部(80)；向所述清洗部件内供给清洗液的内清洗液供给部(110)；从所述清洗部件外供给清洗液的外清洗液供给部(120)；进行控制，以进行一边以第一压力将所述清洗部件按压于所述虚设基板一边从所述外清洗液供给部向虚设基板供给清洗液的第一处理和一边使所述清洗部件从所述虚设基板离开或以第一压力以下的第二压力将所述清洗部件按压于所述基板一边从内清洗液供给部供给清洗液的第二处理的控制部(350)。

公开(公告)号：CN100405555C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200480020146.7

申请日：2004-07-14

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 野路郁太郎 ,  安田穗积 ,  饭泉健 ,  广川一人 ,  小畠严贵

IPC: H01L21/3063 ,  H01L21/304 ,  C25F3/16

Abstract: 本发明提供一种电解处理装置和电解处理方法，能够有效地避免形成会对影响处理产品的质量的凹坑。该电解处理装置包括：用于处理工件的处理电极(210)；用于给工件供电的供电电极(212)；用于向处理电极(210)和供电电极(212)之间施加电压的电源(232)；在其中容纳处理电极(210)和供电电极(212)的压力密闭容器(200)；和用于将高压液体供应到压力密闭容器(210)内的高压液体供应系统(204)。

公开(公告)号：CN1656257A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN03811966.8

申请日：2003-03-25

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 锅谷治 ,  粂川正行 ,  安田穗积 ,  小畠严贵 ,  饭泉健 ,  高田畅行 ,  深谷孝一

IPC: C25F3/00 ,  C25F7/00 ,  H01L21/3063

CPC classification number: C25F3/00 ,  C25F7/00 ,  H01L21/32115

Abstract: 提供一种例如能省略CMP处理本身，或者既能尽量减小CMP处理的负荷、又能把设置在基片表面上的导电性材料加工成平整状态，并且还能除去(清洗)附着在基片等被加工物的表面上的附着物的电解加工装置，其特征在于具有：电极部，并列地布置了多个电极部件，电极部件包括电极和对电极的表面进行覆盖的离子交换体；保持部，保持被加工物，使被加工物与电极部件的离子交换体自如接触或接近；以及电源，连接到电极部的各电极部件的电极，电极部件的离子交换体具有：表面平滑性良好的离子交换体、以及离子交换容量大的离子交换体。

公开(公告)号：CN115605981A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202180035345.9

申请日：2021-05-14

Applicant: 株式会社荏原制作所(JP)

Inventor： 田中佑季 ,  饭泉健 ,  梶川敬之

IPC: H01L21/304

Abstract: 清洗装置具备：基板旋转机构，该基板旋转机构保持基板，并将所述基板的中心轴作为旋转轴而使所述基板旋转；第一单管喷嘴，该第一单管喷嘴朝向保持于所述基板旋转机构的所述基板的上表面排出第一清洗液；以及第二单管喷嘴，该第二单管喷嘴有别于所述第一单管喷嘴，并朝向保持于所述基板旋转机构的所述基板的上表面排出第二清洗液。所述第一单管喷嘴及所述第二单管喷嘴相互配置成，所述第二单管喷嘴在比所述第一清洗液的滴落位置更远离所述基板的中心的位置，朝向所述基板的旋转方向的顺方向排出所述第二清洗液，以产生所述第一清洗液滴落后在所述基板的上表面的液流与所述第二清洗液滴落后在所述基板的上表面的液流合流的部分。