公开(公告)号：CN101299412B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200810109622.2

申请日：2003-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  山崎舜平 ,  小久保千穗 ,  田中幸一郎 ,  下村明久 ,  荒尾达也 ,  宫入秀和 ,  秋叶麻衣

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/77 ,  H01L21/84 ,  H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L29/10 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于提供一种制造半导体器件的方法，以及一种使用该制造方法制造的半导体器件，其中使用激光晶化方法，它能够防止在TFT沟道形成区中形成晶界，并且能够防止所有由于晶界导致的TFT迁移率的显著下降、接通电流降低和关断电流增加。形成具有条形形状或矩形形状的凹陷和凸起。用连续波激光沿绝缘膜条形形状的凹陷和凸起、或沿矩形形状的纵轴方向或横轴方向辐照形成在绝缘膜上的半导体膜。注意虽然此时最优选使用连续波激光，但也可以使用脉冲波激光。

公开(公告)号：CN101118851B

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN200710137344.7

申请日：2007-07-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  宫入秀和 ,  井坂史人 ,  神保安弘 ,  丸山纯矢

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  C30B1/02 ,  C30B29/06

CPC classification number: H01L21/02683 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的目的在于提供一种可以抑制在衬底、基底保护膜、以及结晶硅膜中产生裂缝的结晶硅膜的制造方法、以及半导体装置的制造方法。在热膨胀率为大于6×10-7/℃且38×10-7/℃以下，优选为大于6×10-7/℃且31.8×10-7/℃以下的衬底上形成含有半导体膜的层，加热该层。接着，对被加热了的层照射激光束，使半导体膜结晶化，来形成结晶半导体膜。形成于衬底上的含有半导体膜的层在上述加热后，含有半导体膜的层的总应力为-500N/m以上且+50N/m以下，优选成为-150N/m以上且0N/m以下。

公开(公告)号：CN1540720B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200410036918.8

申请日：2004-04-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  田中幸一郎 ,  宫入秀和

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02683 ,  B23K26/082 ,  B23K26/0821 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285

Abstract: 在由电反射镜及多面反射镜等扫描单元来扫描的激光的速度，扫描幅度的中心部与端部的速度不相同。其结果是，在被照射物(比如非晶质半导体膜)上会照射过多的能量，可能造成膜被剥离等。为此，本发明的特征在于：在由扫描单元等来使连续输出的能量射束在被照射物上的激光点往复运动来扫描的场合下，光点的扫描速度超出规定值(比如速度不稳定，增加、减少及成为零速)的场合(比如扫描方向改变的位置，或扫描开始位置及扫描结束位置)下的射束，照射到元件形成区之外。

公开(公告)号：CN101743616A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200880022572.2

申请日：2008-06-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  沟井达也 ,  宫入秀和 ,  田中幸一郎

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66772

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其中可以使转置在多个地方的半导体膜之间的间隔变得很小。进行多次从接合衬底到基底衬底的半导体膜的转置。当使先转置的半导体膜和后转置的半导体膜相邻时，通过利用其端部被部分地去掉了的接合衬底来进行后转置。对用于后转置的接合衬底来说，其对应于被去掉的端部的区域在垂直于接合衬底的方向上的宽度大于先转置的半导体膜的厚度。

公开(公告)号：CN101728434A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910207026.2

申请日：2009-10-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  长多刚 ,  秋元健吾 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L27/02 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/78648 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。随着显示器件具有较高的清晰度，像素、栅极线和信号线的数量都增加。当栅极线和信号线的数量增加时，存在难以通过结合等安装包括驱动栅极线和信号线的驱动电路的IC芯片，从而使制造成本增大的问题。将像素部分和驱动像素部分的驱动电路设置在相同衬底上，使驱动电路的至少一部分包括使用插在设置在氧化物半导体上方和下方的栅电极之间的氧化物半导体的薄膜晶体管。将像素部分和驱动电路设置在相同衬底上，从而可以降低制造成本。

公开(公告)号：CN101685835A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200910159685.3

申请日：2009-07-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  宫入秀和 ,  秋元健吾 ,  白石康次郎

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L27/02 ,  H01L21/34 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/016 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/15 ,  H01L27/3225 ,  H01L27/3241 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78618

Abstract: 在有源矩阵型显示装置中，构成电路的薄膜晶体管的电特性很重要，且该电特性影响到显示装置的性能。对反交错型薄膜晶体管使用包含In、Ga及Zn的氧化物半导体膜，以减少电特性的偏差。为了解决课题，不接触于大气地进行溅射法来连续地形成栅绝缘膜、氧化物半导体层、沟道保护膜的三层。另外，采用在氧化物半导体层中的重叠于沟道保护膜的区域的厚度比接触于导电膜的区域的厚度厚的结构。

公开(公告)号：CN101681843A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880020573.3

申请日：2008-06-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  宫入秀和

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L21/322 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明的目的在于抑制在制造SOI衬底时发生的金属污染的影响。对半导体衬底照射氢离子来形成损伤区域，然后接合基底衬底和半导体衬底。通过加热处理使半导体衬底劈开，以制造SOI衬底。即使在氢离子的照射工序中金属离子与氢离子一起注入到半导体衬底中，也可以通过吸杂处理抑制金属污染的影响。因此，可以肯定地使用离子掺杂法照射氢离子。

公开(公告)号：CN101667599A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200910173699.0

申请日：2009-09-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥绘里香 ,  加藤高之 ,  宫入秀和 ,  神保安弘

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管，在衬底上具有栅电极层、半导体层、设置在栅电极层和半导体层之间的栅极绝缘层、接触于半导体层的源区及漏区、接触于源区的源电极层以及接触于漏区的漏电极层，其中源区及漏区由添加有赋予一种导电型的杂质的微晶半导体层形成，在半导体层中接触于源区及漏区的区域由晶体区域形成，因为半导体层中的晶体区域不形成在背沟道区中而被分离，所以其成为一对。并且在半导体层中具有包括非晶半导体的半导体层。从而提高反交错型薄膜晶体管的电特性。

公开(公告)号：CN101640219A

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200910160554.7

申请日：2009-07-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  宫入秀和 ,  秋元健吾 ,  白石康次郎

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L27/02 ,  H01L21/34 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/46 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的在于提供具有电特性及可靠性高的薄膜晶体管的半导体装置及量产性高地制造该半导体装置的方法。本发明的要旨在于：包括作为半导体层使用含有铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的氧化物半导体膜，并且在半导体层与源电极层和漏电极层之间设置有由金属氧化物层构成的缓冲层的反交错型(底栅结构)的薄膜晶体管。通过在源电极层和漏电极层与半导体层之间意图性地设置金属氧化物层作为缓冲层来形成欧姆接触。

公开(公告)号：CN101540342A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910128138.9

申请日：2009-03-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  黑川义元 ,  乡户宏充 ,  宫入秀和

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明要求保护一种薄膜晶体管及显示装置，其课题之一在于解决涉及薄膜晶体管的导通电流及截止电流的问题。另一课题在于提供一种能够高速工作的薄膜晶体管。该薄膜晶体管包括：覆盖栅电极的栅极绝缘层；设置于栅极绝缘层上的微晶半导体层；重叠于微晶半导体层及栅极绝缘层的非晶半导体层；以及添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层，该一对杂质半导体层设置于非晶半导体层上，并且形成源区或漏区，其中，栅极绝缘层在与微晶半导体层的端部接触的附近具有高低差，并且所述微晶半导体层外侧的栅极绝缘层的第二厚度比接触所述微晶半导体层的栅极绝缘层的第一厚度要薄。