公开(公告)号：CN101667599A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200910173699.0

申请日：2009-09-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥绘里香 ,  加藤高之 ,  宫入秀和 ,  神保安弘

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管，在衬底上具有栅电极层、半导体层、设置在栅电极层和半导体层之间的栅极绝缘层、接触于半导体层的源区及漏区、接触于源区的源电极层以及接触于漏区的漏电极层，其中源区及漏区由添加有赋予一种导电型的杂质的微晶半导体层形成，在半导体层中接触于源区及漏区的区域由晶体区域形成，因为半导体层中的晶体区域不形成在背沟道区中而被分离，所以其成为一对。并且在半导体层中具有包括非晶半导体的半导体层。从而提高反交错型薄膜晶体管的电特性。

公开(公告)号：CN101667599B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN200910173699.0

申请日：2009-09-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥绘里香 ,  加藤高之 ,  宫入秀和 ,  神保安弘

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管，在衬底上具有栅电极层、半导体层、设置在栅电极层和半导体层之间的栅极绝缘层、接触于半导体层的源区及漏区、接触于源区的源电极层以及接触于漏区的漏电极层，其中源区及漏区由添加有赋予一种导电型的杂质的微晶半导体层形成，在半导体层中接触于源区及漏区的区域由晶体区域形成，因为半导体层中的晶体区域不形成在背沟道区中而被分离，所以其成为一对。并且在半导体层中具有包括非晶半导体的半导体层。从而提高反交错型薄膜晶体管的电特性。