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公开(公告)号：CN108735867A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810596840.7
申请日：2018-06-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一发光二极管的芯片及其量子阱结构和制造方法，其中所述发光二极管的芯片包括依次层叠的一衬底、一氮化镓缓冲层、一N型氮化镓层、一量子阱结构、一P型电子阻拦层以及一P型氮化镓层，其中所述量子阱结构包括至少两量子阱层，每个所述量子阱层依次层叠地形成于所述N型氮化镓层，其中至少一个所述量子阱层形成复合阱，通过这样的方式，所述量子阱结构在提供更为密集和均匀的发光量子点的同时增加电子空穴波函数的交迭程度，从而提高所述发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN106410006B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201610456572.X
申请日：2016-06-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种集成可见光指示装置的紫外发光二极管及其生产方法，涉及氮化物外延芯片技术领域，本发明将紫外发光层设置在N‑GaN电子供给层和P型AlGaN电子阻挡层之间，通过电致发光产生紫外光；本发明还将可见光发光层置于N‑GaN电子供给层和U‑GaN层之间，利用电致发光产生的紫外光激发可见光发光层，使可见光发光层通过光致发光产生可见光。可见光发光层通过紫外光光致发光辐射可见光，虽吸收了部分紫外光，一定程度上降低了紫外光的外量子效率，但该发光层不需要电注入，避免影响紫外光的内量子效率，减少对器件电能的损耗。
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公开(公告)号：CN108198891A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810003282.9
申请日：2018-01-03
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/054 , H01L31/06 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521 , H01L31/054 , H01L31/06 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开太阳能电池，包括Ge底电池，生长于Ge底电池之上的下隧穿结，生长于下隧穿结之上的InGaAs中电池，生长于InGaAs中电池之上的上隧穿结，生长于上隧穿结之上的GaInP顶电池，以及生长于GaInP顶电池之上的欧姆接触层，欧姆接触层吸收垂直入射光线；InGaAs中电池包括中电池发射区、上中电池基区和下中电池基区，上中电池基区之上生长中电池发射区，中电池发射区之上生长上隧穿结，上中电池基区与下中电池基区之间生长上波导层，下中电池基区与下隧穿结之间生长下波导层。本发明还公开太阳能电池制作方法。本发明提供不同结构的太阳能电池，同时提升电池转换效率。
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公开(公告)号：CN106025007B
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201610557362.X
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种深紫外发光二极管的芯片结构，在芯片周围设置与第一电极相连接的第一型扩展电极，第一型扩展电极与第一电极设置于第一型欧姆接触层之上，通过电极隔离层隔离第一电极、第一型扩展电极与外延结构的连接；第一型欧姆接触层置于第一型导电层之上，且通过电极隔离层隔离第一型欧姆接触层与外延结构的连接。本发明还公开一种紫外发光二极管的芯片结构制作方法。本发明有效降低深紫外发光二极管的工作电压，且提高内量子效率。
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公开(公告)号：CN105762264B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201610273817.5
申请日：2016-04-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有倒梯形圆台体的微米线发光二极管，衬底上表面由下至上依次生成缓冲层、非故意掺杂层及第一部分第一型导电层；第一部分第一型导电层上生成微米孔洞制作层，微米孔洞制作层上设置上宽下窄的倒梯形微米孔洞，在孔洞内由下至上依次生成第二部分第一型导电层、有源区、电子阻挡层、第一部分第二型导电层，第二部分第一型导电层与第一部分第一型导电层连接；微米孔洞制作层上生成第二部分第二型导电层与第一部分第二型导电层连接；第二部分第二型导电层上表面由下至上依次生成欧姆接触层和导电层；在第一部分第一型导电层上设置第一电极，在导电层上设置第二电极。本发明可以多维度提高二极管发光效率，且制作工艺简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105304782B
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201510649958.8
申请日：2015-10-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/14
Abstract: 本发明公开一种蓝绿发光二极管芯片，包括p区、n区及有源区，有源区设置在p区与n区之间，在p区的导电层上设置p电极；n区外延结构采用由n型接触层与电流阻挡层交替构成的多级复合接触层，在多级复合接触层上设置多个接触面的n电极。本发明可以提高电流扩展效果，进而提高发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN107464864A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710718915.X
申请日：2017-08-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/0066 , H01L33/0075
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，包括：衬底，及依次设置的缓冲层、多个碳纳米管、形成于多个碳纳米管之间的非故意掺杂层和第一掺杂层，碳纳米管的高度大于非故意掺杂层的厚度，且小于非故意掺杂层和第一掺杂层的厚度之和，第一掺杂层包括上表面、下表面和第一平台，第一平台低于所述上表面，且高于下表面，第一平台上暴露出多个碳纳米管的横截面和第一掺杂层的部分横截面；仅与第一平台直接接触的第一电极；依次设置在第一掺杂层上的活性层、电流阻挡层、第二掺杂层、第二电极，以及实现各结构间电性隔离的隔离层。本发明利用碳纳米管的超导效果，使电流在含有碳纳米管的体材料中均匀分布，解决了传统发光二极管电流拥挤的问题。
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公开(公告)号：CN105428474B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201510916691.4
申请日：2015-12-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种高效发光二极管芯片的简易制作方法，包括以下步骤：在所述衬底上形成外延发光结构；蒸镀非导电材料于欧姆接触层之上充当电流阻挡层；蒸镀二氧化硅在外延发光结构表面及侧面；去除表面所有光刻胶，在表面蒸镀形成ITO导电层；采用腐蚀溶液去除外延发光结构侧面及N型电极制作区域的二氧化硅；在芯片表面、侧面及N型电极与外延层之间的电极隔离槽蒸镀氮化硅，形成芯片保护层及电极隔离层；在芯片表面定义出P型电极制作区域和N型电极制作区域；在P型电极制作区域和N型电极制作区域上蒸镀且剥离光刻胶；对芯片进行裂片，分离成独立的芯粒。本发明有效地简化芯片制造工艺，缩短芯片工艺过程时间，降低芯片制造成本，提升芯片的质量。
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公开(公告)号：CN107331741A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710595928.2
申请日：2017-07-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/005 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/10
Abstract: 本申请提供一种Micro LED芯片及其制作方法、Micro LED阵列基板，其中，Micro LED芯片采用垂直结构，将第一电极和第二电极分别制作在不同侧，通过在隔离层上设置网格结构的电极网，只需设置一个第二电极与电极网形成电连接，即可实现多个Micro LED子芯片独立发光，而无需通过每个Micro LED子芯片都设置第二电极进行发光控制，电极网设置在隔离层上，且电极网位置与隔离层位置相对设置，避免了电极网对有效发光区域的遮挡，从而极大地减小电极的挡光面积，对比现有技术，增加了Micro LED芯片的发光面积，有效提高了Micro LED芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN105355767B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201510912074.7
申请日：2015-12-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种具有高发光效率的发光二极管的制作方法，涉及发光二极管的生产技术领域。本发明采用位错线密集区设置于P型电极下面，一方面提高发光二极管的晶体质量，有效提高了发光二极管的内量子效率；另一方面通过后期位错阻挡层、P型电极的设计及制作，使得位错线密集区不会对发光二极管起到不利影响。采用同时在P型、N型设置电极制作区，且同时采用ICP蚀刻P型、N型电极制作区的工艺设计，有效简化了工艺流程及工艺复杂度。本发明采用在P型电极底下制作位错阻挡层，有效绝缘了P型电极底部P、N，提高了发光二极管的电流扩展效果和可靠性。
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