公开(公告)号：CN108198891A

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201810003282.9

申请日：2018-01-03

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 林志伟 ,  陈凯轩 ,  姜伟 ,  吴真龙 ,  张双翔

IPC: H01L31/054 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/52 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/054 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开太阳能电池，包括Ge底电池，生长于Ge底电池之上的下隧穿结，生长于下隧穿结之上的InGaAs中电池，生长于InGaAs中电池之上的上隧穿结，生长于上隧穿结之上的GaInP顶电池，以及生长于GaInP顶电池之上的欧姆接触层，欧姆接触层吸收垂直入射光线；InGaAs中电池包括中电池发射区、上中电池基区和下中电池基区，上中电池基区之上生长中电池发射区，中电池发射区之上生长上隧穿结，上中电池基区与下中电池基区之间生长上波导层，下中电池基区与下隧穿结之间生长下波导层。本发明还公开太阳能电池制作方法。本发明提供不同结构的太阳能电池，同时提升电池转换效率。

公开(公告)号：CN108198891B

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201810003282.9

申请日：2018-01-03

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 林志伟 ,  陈凯轩 ,  姜伟 ,  吴真龙 ,  张双翔

IPC: H01L31/054 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开太阳能电池，包括Ge底电池，生长于Ge底电池之上的下隧穿结，生长于下隧穿结之上的InGaAs中电池，生长于InGaAs中电池之上的上隧穿结，生长于上隧穿结之上的GaInP顶电池，以及生长于GaInP顶电池之上的欧姆接触层，欧姆接触层吸收垂直入射光线；InGaAs中电池包括中电池发射区、上中电池基区和下中电池基区，上中电池基区之上生长中电池发射区，中电池发射区之上生长上隧穿结，上中电池基区与下中电池基区之间生长上波导层，下中电池基区与下隧穿结之间生长下波导层。本发明还公开太阳能电池制作方法。本发明提供不同结构的太阳能电池，同时提升电池转换效率。