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公开(公告)号：CN104112805B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201410338035.6
申请日：2014-07-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有防扩层的发光二极管的制造方法，采用前期增加外延生长防扩层，后期二极管制作工艺中在防扩层之上形成金属反射镜，并在防扩层嵌入金属导电通道，通过采用氧化工艺将防扩层变成氧化物介质层，且与金属反射镜、导电通道构成复合的全方位反射效果，通过叠加布拉格反射层而组成的两部分复合结构，获得较高的发光亮度。采用此方法解决了传统倒置芯片制作过程中，在外延层蒸镀氧化膜工艺，外延层与氧化膜、金属反射镜存在材料界面容易剥离的问题，提高发光二极管的稳定性及生产制造过程的成品率。本发明还公开所述方法制造的具有防扩层的发光二极管，使外量子效率较高，且内部层结构连接较为稳定。
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公开(公告)号：CN105355732B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201510912092.5
申请日：2015-12-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种倒装蓝绿发光二极管芯片的制备方法，涉及发光二极管的生产技术领域，本发明工艺特点是：在制作第一型欧姆接触层时，采用不同三五族化合物外延生长形成至少两层第一型欧姆接触结构层；对各第一型欧姆接触结构层依次刻蚀，裸露出具有台阶状的第一型欧姆接触结构层；在步骤5）中第一电极分别与各第一型欧姆接触结构层连接。本发明通过在外延生长结构，设置不同材料的第一型欧姆接触层，通过芯片结构设置台阶式第一型欧姆接触面，形成有效地电流扩展趋势，增强了第一型电流扩展效果，降低了工作电压，有效提高发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN104332535B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201410551438.9
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种衬底可重复利用的大功率发光二极管外延结构，包括外延衬底、衬底保护层、氧化剥离层、外延保护层、金属反射层及外延发光结构；在外延衬底与外延发光结构之间设置氧化剥离层，氧化剥离层与外延发光结构之间设置外延保护层，氧化剥离层与外延衬底之间设置衬底保护层；在外延发光结构上设置金属反射层，在金属反射层上设置基板。本发明可以解决剥离二极管的外延衬底而导致外延层破损问题，从而可以重复利用衬底，节约成本。
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公开(公告)号：CN106206894A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610567043.7
申请日：2016-07-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/0075
Abstract: 本发明公开的一种具有高阻值GaN电流阻挡层的发光二极管，由衬底、基础GaN外延层、高阻值GaN电流阻挡层、透明导电层、顶电极和侧面电极组成；在衬底上依次生长基础GaN外延层和高阻值GaN外延层，将基础GaN外延层部分刻蚀掉形成台面，将高阻值GaN外延层部分刻蚀掉形成高阻值GaN电流阻挡层，在台面和高阻值GaN电流阻挡层上覆盖透明导电层，在透明导电层上设置与高阻值GaN电流阻挡层对应的顶电极，在台面的侧方设置侧面电极。本发明通过在基础GaN外延层上直接外延生长一层高阻值GaN外延层进而形成高阻值GaN电流阻挡层，从而解决了GaN外延层与电流阻挡层结合力较弱的问题，并且提高了发光二极管产品的制作效率，降低制作成本。
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公开(公告)号：CN106025793A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610557020.8
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01S5/0657 , H01S5/10 , H01S5/32341
Abstract: 本发明公开一种具有二次谐振腔的半导体激光器，衬底上由下至上依次外延缓冲层、第一型导电层、第一下波导层、有源区、第一上波导层和第二型导电层；缓冲层与第一型导电层之间通过外延生长设置一层第二下波导层，第二型导电层上通过外延生长设置一层第二上波导层。本发明采用匹配性材料Al(1‑x)HfxN直接外延生长,通过Al(1‑x)HfxN具有金属反射作用,形成二次谐振腔,有效提高半导体激光器的锁模及光效，同时提高激光的响应时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105789397A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610212121.1
申请日：2016-04-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066
Abstract: 一种正装GaN LED芯片及其制作方法，涉及发光二极管LED的生产技术领域。先在衬底的同一侧制作外延层和透明导电层，在N电极扩展条制作区域的透明导电层上，由透明导电层向N?GaN层分别刻蚀形成若干均匀分布的N电极流出孔道；在透明导电层上蒸镀形成电流阻挡层；在P电极扩展条制作区域的电流阻挡层上，由电流阻挡层向透明导电层分别刻蚀形成若干均匀分布的P电极注入孔道；对上述N电极流出孔道上方的电流阻挡层进行延续刻蚀；制作出P电极和P电极扩展条，N电极和N电极扩展条。本发明制作工艺简单、合理、方便，可大大降低成本。
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公开(公告)号：CN105720139A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610098961.X
申请日：2016-02-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/0075 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/0254 , H01L21/02584
Abstract: 提高氮化物发光二极管P型掺杂浓度的外延生长方法，涉及氮化物外延技术领域，本发明在衬底上依次生长缓冲层、N型层、发光有源层、电子阻挡层、P型层和接触层，其特征在于：在N2和氨气的氛围下，通过控制三甲基铟流量分层生长形成P型层，形成的P?AlXGa1?XN材料层空穴浓度可明显提高，方块电阻可明显降低，基于此材料层的LED光电性能可明显提升。
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公开(公告)号：CN105702828A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610212122.6
申请日：2016-04-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Inventor： 陈亮 , 李俊贤 , 吕奇孟 , 吴奇隆 , 陈凯轩 , 张永 , 刘英策 , 李小平 , 魏振东 , 周弘毅 , 黄新茂 , 蔡立鹤 , 林志伟 , 姜伟 , 卓祥景 , 方天足
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L33/405 , H01L31/1884 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 一种复合透明导电层的制作工艺，涉及发光二极管LED芯片、太阳能电池、光电探测器等光电半导体器件的生产技术领域。本发明先在基础材料上形成10nm～300nm的透明导电薄膜层，在所述透明导电薄膜层上蒸镀具有高反射率的金属层，然后再通过100～500℃的合金工艺，制成复合透明导电层。此纳米金属颗粒会促进电流在晶界处（晶粒与晶粒之间）的扩散，相比于常规透明导电层，该复合透明导电层将拥有更好电流扩散效果，应用于光电半导体器件中能增加半导体器件的外量子效率。
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公开(公告)号：CN105374908A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510649507.4
申请日：2015-10-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/145
Abstract: 本发明公开一种蓝绿发光二极管芯片制作工艺，在衬底上依次生成非故意掺杂层、第一n型导电层、第一电流阻挡层、第一n型接触层、第二电流阻挡层、第二n型接触层、第三电流阻挡层、第二n型导电层、有源区、限制层、p型导电层和p型接触层；在p型接触层上掩模、光刻、ICP蚀刻至n型导电层；在裸露的第二n型导电层上掩模、光刻，采用ICP蚀刻穿第三电流阻挡层，裸露第二n型接触层的表面；在裸露的第二n型接触层表面再掩模、光刻，采用ICP蚀刻穿第二电流阻挡层，裸露第一n型接触层的表面；掩模、光刻p型接触层，在裸露的p型接触层上蒸镀ITO导电层；制作p电极和n电极。本发明可以提高电流扩展效果，提高发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN105355744A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510912098.2
申请日：2015-12-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种倒装蓝绿发光二极管芯片，涉及发光二极管的生产技术领域，本发明包括依次设置在衬底一侧的外延层，第一电极连接在第一型欧姆接触层上，金属反射层设置在透明导电层之上，第二电极设置在金属反射层上，在第一电极和外延层之间设置电极隔离层，在芯片表面及侧面设置芯片保护层，第一型欧姆接触层至少包括两层第一型欧姆接触结构层，第一电极与各第一型欧姆接触结构层均连接。本发明通过在外延生长结构中设置不同第一型欧姆接触层，通过芯片结构设置台阶式第一型欧姆接触面，形成有效地电流扩展趋势，增强了第一型电流扩展效果，降低了工作电压，有效提高发光二极管的发光效率。
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