-
公开(公告)号：CN213752740U
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202120003691.6
申请日：2021-01-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种半导体外延结构、LED芯片，包括在所述衬底表面依次堆叠N型半导体层、消闸层、有源层、P型半导体层，通过外延结构设计，释放多余的电子，有效提高电子浓度，增加电子隧穿几率，提高晶体质量的同时降低LED的工作电压，提高LED的抗静电能力。
-
公开(公告)号：CN204144305U
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201420516924.2
申请日：2014-09-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种具有高可靠性电极的红外发光二极管，在外延发光结构的一侧上设置粗化层，在粗化层上设置腐蚀截止层，在腐蚀截止层上设置欧姆接触层，欧姆接触层表面形成扩展电极，微粗化层设置在欧姆接触层上，焊盘电极设置在微粗化层上，与扩展电极连接导通；在外延发光结构的另一侧设置金属反射镜，金属反射镜上设置基板，基板上设置背电极。本实用新型有效提高焊台电极的可靠性，解决焊台电极由于粘附性差而容易脱落的问题，也解决打金线时焊台电极下的外延层容易被打碎的封装难题。
-
公开(公告)号：CN203589069U
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201320597060.7
申请日：2013-09-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种近红外发光二极管的外延结构，在衬底层上依次生长第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层及第二型电流扩展层；第二型电流扩展层由第一组成部分及第二组成部分组成，在第一组成部分和第二组成部分之间形成具有漫反射效果的接触界面。本实用新型采用该外延生长工艺形成具有漫反射作用的电流扩展层的外延结构，明显地提高了外量子效率，使得近红外发光二极管能达到更大功率。
-
公开(公告)号：CN202797055U
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201220374252.7
申请日：2012-07-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/22
Abstract: 本实用新型公开一种采用N型衬底的发光二极管，包括N型GaAs衬底，在N型GaAs衬底上依次生长有N型GaAs缓冲层、布拉格反射层、N型下限制层、有源层、P型上限制层、P型电流扩展层、P型粗化层以及欧姆接触层；所述有源层可由Undoped-（AlxGa1-x）yIn1-yP构成；所述P型电流扩展层可由p-AlxGa1-xAs构成且其厚度为1～15um；所述P型粗化层可由p-（AlxGa1-x）yIn1-yP构成且其厚度为0.3～5um；所述欧姆接触层由P++GaAs构成；本实用新型可大幅提高发光二极管的外量子效率，发光效率高，使用寿命长。
-
公开(公告)号：CN222582906U
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202420597815.1
申请日：2024-03-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种可直接转移的LED芯片结构及显示装置，所述LED芯片结构包括：基板以及通过感应层粘附于所述基板的LED芯粒，其中，各所述LED芯粒间隔排布，且所述LED芯粒的至少一电极设置于所述LED芯粒背离所述基板的一侧表面，使所述电极朝外。如此，可通过将所述的LED芯粒的朝外电极选择性对位接合至所述显示面板，以形成具有像素的显示面板。基于上述结构，即可将所述LED芯粒选择性转移至显示面板，从而实现了LED芯粒从晶圆巨量转移到显示面板，易于生产化。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN220627835U
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202322114734.X
申请日：2023-08-08
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种红光MiniLED外延结构、红光Mini LED芯片及RGB Mini LED芯片，其中Mini LED外延结构包括：堆叠结构，堆叠结构包括依次层叠的第一型半导体层、第一界面层、第一波导层、有源区、第二波导层、第二界面层及第二型半导体层，其中，第一界面层可避免第一型半导体层的掺杂剂扩散导致第一型限制层及第一波导层界面粗化；第二界面层可避免第二型半导体层的掺杂剂扩散导致第二型限制层及第二波导层界面粗化；同时还可避免第一型半导体层和第二型半导体层的掺杂剂扩散至有源区形成非辐射复合中心，导致可靠性降低的问题；且，第一界面、第一波导层、第二波导层及第二界面层皆包括无掺杂的半导体材料层，可有效提升有源区的晶体质量，进而提高内量子效率及光输出功率。
-
公开(公告)号：CN220121867U
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202321151166.4
申请日：2023-05-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种LED外延结构，所述N型半导体层至少包括三个N型半导体子层，且至少两个所述N型半导体子层的N型掺杂浓度不一致。进一步地，在所述N型半导体层中，靠近所述衬底一侧的N型半导体子层为N型半导体底层，靠近所述有源层一侧的N型半导体子层为N型半导体顶层，其余的N型半导体子层为N型半导体中间层；则，至少一N型半导体中间层的N型掺杂浓度低于所述N型半导体底层和/或N型半导体顶层的N型掺杂浓度。使得所述N型半导体层的N型N型掺杂浓度呈高低高的阶梯式分布结构，该结构能够对高压静电起到缓冲的作用，降低了高压静电的破坏力，提升ESD性能，同时避免因有源层的N型掺杂降低而影响ESD性能。
-
公开(公告)号：CN219917201U
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202321107219.2
申请日：2023-05-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种Mini‑LED芯片，该Mini‑LED芯片包括：透明衬底，透明衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，第二表面为出光面；以及反射层，其设置于第二型半导体层背离有源区的一侧表面，并与外延结构的外围侧壁及凹槽的侧壁间隔设置；结合绝缘层，其覆盖外延结构、透明衬底及部分反射层的裸露面，绝缘层包括DBR反射结构层，既可保护芯片不被水汽侵入防止芯片短路，又有反射效果使芯片为单面出光，且只从第二表面出光，解决芯片侧壁漏光的问题，进而提高Mini‑LED芯片的出光效率，避免Mini‑LED芯片用在显示器背光源时出现漏光现象。
-
公开(公告)号：CN214254446U
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202120361318.8
申请日：2021-02-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种半导体外延结构及LED芯片，通过至少在一势垒层靠近所述第一型半导体层的一侧表面依次设有降温层和深阱层，至少在一势垒层靠近所述第二型半导体层的一侧表面依次设有浅阱层和升温层；其中，所述降温层、升温层用于所述势垒层与势阱层之间的生长温度过渡；所述深阱层、浅阱层用于对所述势垒层的电子限制。通过生长温度的控制，可有效释放势垒层与势阱层之间的应力；同时，在势阱层前后两端进一步形成阱类结构，有利于加强对势垒层的电子限制，从而提高其内量子效率。
-
公开(公告)号：CN204516792U
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201420601236.6
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延结构，在衬底上分别形成缓冲层、腐蚀阻挡层、粗化层、第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层及第二型电流扩展层；有源层一侧设置第一型电流扩展层，另一侧设置第二型电流扩展层；有源层与第一型电流扩展层之间设置第一型限制层，而有源层与第二型电流扩展层之间设置第二型限制层；第一型电流扩展层设置为n层结构，各层结构之间设置超晶格，且第一型电流扩展层为掺杂Te第一型电流扩展层。本实用新型可以减少杂质对短波长光的吸收，有效提高发光二极管的发光效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
145
records
(took 0.036 seconds)
