公开(公告)号：CN102593380A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210063018.7

申请日：2006-10-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 桑原秀明 ,  大沼英人

IPC: H01L51/56 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L27/3241 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L33/36 ,  H01L51/0011 ,  H01L51/52 ,  H01L2251/5338

Abstract: 本发明揭示一种半导体装置及其制造方法，其目的在于解决如下问题：由于随着高细致化而带来的像素区域的微细化、随着大面积化而带来的衬底的大型化，由于蒸发沉积时所使用的掩模的精度和挠曲等的原因而产生不良。本发明的技术要点如下：通过使用设置有由衍射光栅图形或半透膜构成的具有光强度降低功能的辅助图案的光掩模或中间掩模，在显示区域的像素电极(也被称为第一电极)上、以及像素电极层周边，形成具有膜厚不同的部分的隔离壁，而不增加工序。

公开(公告)号：CN101303967B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200810090719.3

申请日：2008-03-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大沼英人

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置的方法，即使使用耐热温度低的衬底也高成品率地制造具有结晶半导体层的半导体装置。通过在半导体衬底的一部分中形成槽，形成具有凸部的半导体衬底，而且覆盖该凸部地形成接合层。另外，在形成接合层之前，通过对成为凸部的半导体衬底照射加速了的离子，形成脆弱层。将接合层和支撑衬底接合，然后进行分离半导体衬底的热处理，以在支撑衬底上提供半导体层。通过选择性地蚀刻该半导体层，形成半导体元件，以制造半导体装置。

公开(公告)号：CN1953198B

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN200610137400.2

申请日：2006-10-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 桑原秀明 ,  大沼英人

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L27/3241 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L33/36 ,  H01L51/0011 ,  H01L51/52 ,  H01L2251/5338

Abstract: 本发明揭示一种半导体装置及其制造方法，其目的在于解决如下问题：由于随着高细致化而带来的像素区域的微细化、随着大面积化而带来的衬底的大型化，由于蒸发沉积时所使用的掩模的精度和挠曲等的原因而产生不良。本发明的技术要点如下：通过使用设置有由衍射光栅图形或半透膜构成的具有光强度降低功能的辅助图案的光掩模或中间掩模，在显示区域的像素电极(也被称为第一电极)上、以及像素电极层周边，形成具有膜厚不同的部分的隔离壁，而不增加工序。

公开(公告)号：CN1912739B

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200610114822.8

申请日：2006-08-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  永井雅晴

IPC: G03F1/14 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G03F1/50 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明提供能够均匀地形成半透射部分的光致抗蚀剂层的膜厚的曝光掩模，而且提供半导体器件的制造方法，其通过使用该曝光掩模来减少在制造TFT衬底时所需的光蚀刻步骤的数目(掩模数量)。本发明使用一种曝光掩模，其包括透射部分、遮光部分、以及反复重复形成线和间隔的具有光强度降低功能的半透射部分，其中，当曝光设备的分辨率为n、投影放大率为1/m(m≧1)时，所述半透射部分的遮光材料的线宽L和在遮光材料之间的间隔宽S的总和与n、m的关系满足(2n/3)×m≦L+S≦(6n/5)×m的条件式。

公开(公告)号：CN1873933B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200610092457.5

申请日：2006-06-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  挂端哲弥 ,  大沼英人 ,  永井雅晴 ,  纳光明 ,  坂仓真之 ,  小森茂树

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/02683 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1288

Abstract: 提供一种具有高工作性能和高可靠性的电路的半导体器件，并提高了半导体器件的可靠性，从而提高具有该半导体器件的电子设备的可靠性。上述目标通过结合下面的步骤来实现，即在沿一个方向扫描的同时，通过用连续波激光束或重复频率为10MHz或更大的脉冲激光束的辐射来使半导体层结晶的步骤；使用包括辅助图形的光掩膜或掩膜原版的光刻步骤，所述辅助图形由具有降低光强度功能的衍射光栅图形或半透射膜构成；以及通过使用具有低电子温度的高密度等离子体，对半导体膜、绝缘膜或导电膜的表面进行氧化、氮化或表面改性的步骤。

公开(公告)号：CN100502046C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200510054408.8

申请日：1994-09-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小沼利光 ,  菅原彰 ,  上原由起子 ,  张宏勇 ,  铃木敦则 ,  大沼英人 ,  山口直明 ,  须泽英臣 ,  鱼地秀贵 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/00 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/31687 ,  H01L21/321 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66598 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其特征在于，包括：具有绝缘表面的衬底；在所述衬底上包括硅的半导体膜，所述半导体膜包括沟道区；在所述半导体膜中的一对高电阻率区，所述沟道区介于所述一对高电阻率区之间，其中所述一对高电阻率区包括第一浓度的一种导电类型的杂质；在所述半导体膜中与所述一对高电阻率区相邻的一对杂质区，其中所述一对杂质区包括高于所述第一浓度的第二浓度的同样导电类型的杂质；在所述沟道区上的栅电极，栅绝缘膜介于其间，其中所述栅电极部分地与每个所述一对高电阻率区重叠，其中每个所述一对杂质区包括镍硅化物。

公开(公告)号：CN101419943A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200810169153.3

申请日：2008-10-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大沼英人 ,  小山润

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L27/1266 ,  C03C17/3435 ,  C03C17/3482 ,  C03C2218/32 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66772 ,  Y10S438/938 ,  Y10S438/961

Abstract: 如果所附着的单晶硅层的尺寸不合适，即使使用大玻璃基板，也无法使将要获得的面板的个数达到最大。因此，在本发明中，从大致呈圆形的单晶半导体晶片中，形成了大致呈四边形的单晶半导体基板，并且通过用离子束照射到单晶半导体基板中，形成了破损层。在支撑基板的一个表面上，排列多个单晶半导体基板，以便彼此分离。通过热处理，在破损层中产生了破裂，并且使单晶半导体基板分离，同时单晶半导体层留在支撑基板上。之后，从接合到支撑基板的单晶半导体层中，制造出一个或多个显示面板。

公开(公告)号：CN101409222A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200810169889.0

申请日：2008-10-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/302

Abstract: 本发明的目的在于提供一种有效地利用资源，并且生产率良好地制造SOI衬底的技术。本发明的技术要点是反复进行如下工序A和工序B的。工序A包括如下：将簇离子照射到半导体片的表面，在半导体片中形成分离层。半导体片和具有绝缘表面的衬底彼此重叠而接合，然后，通过进行热处理，在分离层或该分离层附近分离半导体片。在工序A中同时获得剥离片和在具有绝缘表面的衬底上方具有晶体半导体层的SOI衬底。工序B包括如下：进行为了再利用剥离片的处理，其结果可以在工序A中继续利用该剥离片。

公开(公告)号：CN101409216A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200810166535.0

申请日：2008-10-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  挂端哲弥 ,  下村明久 ,  笹川慎也 ,  仓田求

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/268 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供一种半导体衬底的制造方法，该半导体衬底具备即使是在使用玻璃衬底等耐热温度低的衬底的情况下、也可以实际使用的单晶半导体层。通过激发源气体产生等离子体，从单晶半导体衬底的一个表面添加等离子体中所包含的离子种，从而形成损伤区域；在单晶半导体衬底的另一个表面上形成绝缘层；以中间夹着绝缘层的方式而将支撑衬底与单晶半导体衬底紧贴，以使其面对单晶半导体衬底；通过加热单晶半导体衬底，在损伤区域中进行分离，将它分离成贴合有单晶半导体层的支撑衬底和单晶半导体衬底；对贴合在支撑衬底上的单晶半导体层的表面进行干法刻蚀；通过对单晶半导体层照射激光束，使单晶半导体层的至少一部分熔化，从而使单晶半导体层再单晶化。

公开(公告)号：CN100466173C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200410104859.3

申请日：2004-12-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  井上弘毅

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/00 ,  G02F1/136 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/1277

Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体器件的制作方法，该方法使用促进晶化的元素进行晶化，之后通过吸杂以减少晶质半导体膜中的该元素的浓度，从而抑制在该晶质半导体膜中产生小孔。为了实现上述目的，本发明的结构之一的特征是在去除形成在半导体膜上的氧化硅膜时，使用由包含氟和显示界面活性的物质的液体构成的蚀刻剂。