公开(公告)号：CN113892114A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202080039166.8

申请日：2020-06-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 玉木滋 ,  秋元健吾 ,  乡户宏充 ,  井上弘毅 ,  道前芳隆 ,  山崎舜平

IPC: G06K9/62 ,  G06K9/00

Abstract: 提供一种安全级别高的电子设备的识别系统。识别系统包括：储存根据预先登录的第一用户的使用状态的第一数据并生成第一数据群的数据保持单元；识别操作电子设备的第二用户为第一用户而解除锁定状态的第一识别单元；在解除锁定状态的状态下取得第二用户的使用状态的第二数据的数据取得单元；以及根据第一数据群和第二数据识别第二用户为第一用户而在识别不到第二用户为第一用户时使电子设备进入锁定状态的第二识别单元。此外，数据保持单元具有删除包括在第一数据群中的多个第一数据中最旧的第一数据的功能。

公开(公告)号：CN114846477A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202080090652.2

申请日：2020-12-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 幸村雄介 ,  井上弘毅 ,  永嶋文哉

IPC: G06N3/04 ,  G06T7/00 ,  G06N3/08

Abstract: 提供一种可以以高精度处理输入数据的神经网络模型。本发明包括第一及第二神经网络，第一神经网络包括第一层、第二层及第三层。将第一层所输出的特征图输入到第二层及第二神经网络，将第二神经网络所输出的特征图输入到第三层。在此，以在将第一数据输入到第一神经网络时第一层所输出的特征图为正确的特征图，以在将噪声附加到第一数据而得的第二数据输入到第一神经网络时第一层所输出的特征图为学习特征图，此时第二神经网络进行了学习以使输入学习特征图时输出的特征图与正确的特征图一致。

公开(公告)号：CN1638042A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410104859.3

申请日：2004-12-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  井上弘毅

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/00 ,  G02F1/136 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/1277

Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体器件的制作方法，该方法使用促进晶化的元素进行晶化，之后通过吸杂以减少晶质半导体膜中的该元素的浓度，从而抑制在该晶质半导体膜中产生小孔。为了实现上述目的，本发明的结构之一的特征是在去除形成在半导体膜上的氧化硅膜时，使用由包含氟和显示界面活性的物质的液体构成的蚀刻剂。

公开(公告)号：CN114945960A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202180009505.2

申请日：2021-01-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 秋元健吾 ,  井上弘毅 ,  幸村雄介

IPC: G08G1/09 ,  G08G1/00 ,  G08G1/16 ,  G06T7/00

Abstract: 提供一种适用于半自动驾驶车辆的行驶支援系统及车辆用电子设备。该行驶支援系统包括能够拍摄车辆行驶方向的第一黑白图像的拍摄装置、用来进行分段处理的第一神经网络、用来进行深度推定处理的第二神经网络、根据分段处理及深度推定处理而判断第一黑白图像的截取部分的中心的判断部、用来只对所截取的第二黑白图像进行彩色化处理的第三神经网络以及用来放大显示被进行了彩色化处理的第二黑白图像的显示装置。

公开(公告)号：CN100466173C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200410104859.3

申请日：2004-12-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  井上弘毅

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/00 ,  G02F1/136 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/1277

Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体器件的制作方法，该方法使用促进晶化的元素进行晶化，之后通过吸杂以减少晶质半导体膜中的该元素的浓度，从而抑制在该晶质半导体膜中产生小孔。为了实现上述目的，本发明的结构之一的特征是在去除形成在半导体膜上的氧化硅膜时，使用由包含氟和显示界面活性的物质的液体构成的蚀刻剂。

公开(公告)号：CN114175090A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202080054719.7

申请日：2020-07-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 幸村雄介 ,  井上弘毅 ,  肝付彩奈 ,  永嶋文哉

IPC: G06T1/20 ,  G06T1/60 ,  G06T7/00 ,  G06T7/529 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/146

Abstract: 提供一种处理速度快且功耗低的系统。该系统包括摄像装置及运算电路。摄像装置包括摄像部、第一存储部及运算部，运算电路包括第二存储部。摄像部具有将被外部的被摄体反射的光转换为图像数据的功能，第一存储部具有储存图像数据及用来进行神经网络的第一层的第一卷积处理的第一滤波的功能。运算部具有进行图像数据及第一滤波的第一卷积处理生成第一数据的功能。第二存储部具有储存第一数据及用来进行神经网络的第二层以后的卷积处理的多个滤波的功能。运算电路具有使用第一数据进行神经网络的第二层以后的处理来生成图像数据的深度图的功能。

公开(公告)号：CN101013665B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200610064488.X

申请日：2006-11-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  小久保千穗 ,  井上弘毅

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1277

Abstract: 提供一种制造具有改善的工作特性和可靠性的半导体器件的方法。在衬底上形成非晶半导体膜，其掺杂有促进结晶的金属元素，通过第一热处理结晶非晶半导体膜来形成结晶半导体膜；去除结晶半导体膜上形成的第一氧化膜并形成第二氧化膜；用第一激光照射其上形成了第二氧化膜的结晶半导体膜；在第二氧化膜上形成含有稀有气体元素的半导体膜；通过第二热处理将含在结晶半导体膜中的金属元素吸气到含有稀有气体元素的半导体膜中；去除含有稀有气体元素的半导体膜和第二氧化膜；在含氧气氛中用第二激光照射结晶半导体膜。

公开(公告)号：CN101013665A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200610064488.X

申请日：2006-11-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  小久保千穗 ,  井上弘毅

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1277

Abstract: 提供一种制造具有改善的工作特性和可靠性的半导体器件的方法。在衬底上形成非晶半导体膜，其掺杂有促进结晶的金属元素，通过第一热处理结晶非晶半导体膜来形成结晶半导体膜；去除结晶半导体膜上形成的第一氧化膜并形成第二氧化膜；用第一激光照射其上形成了第二氧化膜的结晶半导体膜；在第二氧化膜上形成含有稀有气体元素的半导体膜；通过第二热处理将含在结晶半导体膜中的金属元素吸气到含有稀有气体元素的半导体膜中；去除含有稀有气体元素的半导体膜和第二氧化膜；在含氧气氛中用第二激光照射结晶半导体膜。