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公开(公告)号：CN108484885B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201810299092.6
申请日：2018-04-04
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种基于多环芳烃的共轭聚合物的应用，共轭聚合物用于有机场效应晶体管光可编程线性存储器中，有机场效应晶体管光可编程线性存储器包括衬底，在所述衬底的上表面设置有栅电极，在所述栅电极的上表面设置有栅绝缘层，在所述栅绝缘层的上表面设置有共轭聚合物薄膜层，所述共轭聚合物薄膜层的上表面中部具有沟道区域，在所述共轭聚合物薄膜层的上表面位于沟道区域两侧设置有源漏电极。本发明的优点是通过简单的工艺手段使器件既有半导体性能又有存储性能，获得存储容量、开关速度和光响应能力、线性存储能力优异的有机场效应晶体管存储器。
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公开(公告)号：CN112259684A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202010964466.9
申请日：2020-09-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米阵列与隧道结构共存有机场效应晶体管存储器及其制备方法，存储器由上至下依次包括源漏电极、有机半导体层、栅绝缘层和衬底，有机半导体层和栅绝缘层之间设有电荷存储层，电荷存储层为具有高介电常数的聚合物溶液通过旋涂调控而得到的纳米薄膜，纳米薄膜表面为纳米阵列与隧道结构共存的的结构，电荷存储层的厚度为10~30nm；制备方法采用旋涂溶液加工法制备。本发明通过简单的调节旋涂转速便可调控纳米整列与隧道结构的薄膜形貌，实现了大存储容量，高迁移率和开关比，存储器件具有电子和空穴双重俘获能力并具有较大的存储窗口和优异的光电协同效应，价格低廉且节约成本，便于推广及集成商业化应用。
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公开(公告)号：CN112259683A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202010964464.X
申请日：2020-09-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种自组装双极性有机场效应晶体管存储器及其制备方法，存储器由上至下依次包括源漏电极、有机半导体层、栅绝缘层和衬底，有机半导体层和栅绝缘层之间设有电荷俘获层，电荷俘获层为十八烷基三氯硅烷与具有高介电常数的聚合物通过自组装而形成的纳米柱状薄膜；制备方法通过两种聚合物溶液组合自组装，构造出纳米柱的结构，从而实现电荷空穴载流子的传输以达到的双极性信息存储。同时，混合两种聚合物的自组装降低了制备超平滑OTS层的难度，对比于超平滑OTS薄膜晶体管存储器，混合自组装的晶体管存储器表现出明显的电荷稳定，在保证的各项晶体管性能参数的前提下，实现了较好的存储性能以及器件的维持性能。
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公开(公告)号：CN110635034A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910897203.8
申请日：2019-09-23
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨炔的浮栅型有机场效应晶体管存储器及其制备方法，该存储器包括由下到上依次设置的栅极、栅极绝缘层、电荷捕获层、半导体层、源电极和漏电极；其中，电荷捕获层由聚合物驻极体层和纳米浮栅层组成，所述纳米浮栅层的材质为石墨炔。本发明首次将石墨炔材料作为浮栅应用到有机场效应晶体管存储器中，且使用了工艺简易且成熟的旋涂法制备浮栅薄膜，选用一种简易的浮栅型场效应晶体管存储器的制备方法实现了器件的制备。石墨炔浮栅材料作为有机场效应晶体管(OFET)存储器的存储层，增强了器件的存储性能，且该浮栅型器件具有高稳定性，高开关比，低启动电压等特点，对实现有机器件的商业化生产中有着重要意义。
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公开(公告)号：CN110289350A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910490540.5
申请日：2019-06-06
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于金属卟啉异质结忆阻器及其制备方法和应用，该忆阻器包括自下而上依次设置的底电极、异质结层、金属氧化物层和顶电极；所述异质结层包括两层金属卟啉层，用于调控忆阻器的电学性能，所述金属氧化物层用于提供忆阻器运行需要的离子和空位。本发明提供的金属卟啉异质结忆阻器制备工艺简单，性能稳定，适合柔性器件，可以大面积加工，性能指标多变可调并具有电压依赖的过滤特性；同时器件的产率、重复性和性能稳定都很高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106981573B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201710166292.X
申请日：2017-03-20
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种自阻挡层结构的有机场效应晶体管存储器，从上到下依次为源漏电极、有机光敏半导体层、栅绝缘层和衬底，所述有机光敏半导体层和栅绝缘层之间设有混合聚合物自阻挡薄膜层；本发明通过简单的工艺手段改进器件的存储性能，使其存储容量、开关速度和耐受性得到很大提升；并且降低了器件制备成本，便于推广、应用。
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公开(公告)号：CN109146068A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811011443.5
申请日：2018-08-31
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06N3/06
CPC classification number: G06N3/06
Abstract: 本发明公开了一种液体忆阻器及其制备方法和应用，该液体忆阻器由金属电极置入溶液中构成的器件，所述溶液是将卤化铅溶解在有机溶剂中形成的离子溶液，所述卤化铅在器件结构中提供离子源，铅离子随着有机溶剂的缓冲作用从而自由平稳地移动。本发明基于卤化铅的液体忆阻器可以灵活地调节离子溶液浓度，离子种类和电极位置，可以利用不同形式的电信号来模拟特定的突触功能，还可以调整液体装置的内部结构因素用于更高级的神经模拟功能。以柔性调节为特征的所述液体忆阻器为实现多功能突触可塑性开辟了一条新途径，将进一步拓展神经网络和人工智能领域的应用。
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公开(公告)号：CN109053722A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810768096.4
申请日：2018-07-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D471/04
CPC classification number: C07D471/04
Abstract: 本发明公开了一种菲啰啉配合物，其结构通式如下：本发明同时公开了一种菲啰啉配合物忆阻器，包括阳极与阴极、以及位于阳极与阴极之间的阻变层，其中阻变层包括由菲啰啉配合物形成的菲啰啉配合物活性薄膜层，该忆阻器可应用于阵列作为节点链接处理器的交叉阵列人工神经计算系统及制造具有学习功能的人工智能系统。本发明具有工艺简单且成本低的优点。
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公开(公告)号：CN108831996A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810577601.7
申请日：2018-06-07
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种三层异质结有机场效应晶体管存储器及制备方法，存储器包括衬底，衬底上由上至下依次包括源漏电极、有机半导体异质结、栅绝缘层和栅电极，有机半导体异质结与栅绝缘层之间设有聚合物驻极体层，栅绝缘层覆盖在整个栅电极表面，用于隔离栅电极和聚合物驻极体层之间的接触，有机半导体异质结由上至下依次包括第一空穴传输层、电子传输层和第二空穴传输层三层结构。本发明提供的三层异质结有机场效应晶体管存储器及制备方法，采用旋涂法在栅绝缘层上制备聚合物驻极体层，有利于半导体异质结、金属源漏电极的形貌生长，工艺简单，存储容量、电流开关比和存储速度得到很大提升，降低了器件制备成本，便于推广、应用。
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公开(公告)号：CN105651385B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201610022137.6
申请日：2016-01-13
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01J3/45
Abstract: 本发明公开了一种基于干涉效应的太赫兹波谱测量装置及其测量方法。该测量装置包括干涉器件、干涉控制器、探测器和计算处理单元。待测太赫兹波经由干涉器件后形成两束或两束以上太赫兹波，之后再次相遇发生干涉，干涉控制器使得探测器在干涉控制器不同控制条件作用下可以测得不同的太赫兹波干涉强度；计算处理单元用来接收探测器的测量结果，并进行数据分析和处理。本发明的太赫兹波谱测量装置相比现有的太赫兹时域波谱测量装置具有体积较小、易于制作、成本相对低廉，且频率分辨率高、光谱测量范围宽等优点。
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