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公开(公告)号:CN114920752A
公开(公告)日:2022-08-19
申请号:CN202210402810.4
申请日:2022-04-18
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D487/22 , C07D471/22 , C07D495/22 , H01L51/46
Abstract: 本发明提供了一种氮杂稠合扭曲多环芳烃半导体材料及其制备方法及应用,所述半导体材料结构通式为所述材料的氮杂高度扭曲多环芳烃分子核心骨架结构主要由芳基并吡咯单元与对称四卤素取代核心单元偶联及后续Scholl氧化脱氢反应等合成。本发明通过将给电子特性的芳基并吲哚稠合形成多环芳烃、引入分子内刚性位阻方法实现多环芳烃分子的高度扭曲,能够有效调控氮杂稠合扭曲多环芳烃在溶液、固态薄膜中堆积行为。合成方法简单易行、合成产率高、结构可控、易于分离;且该材料能够在有机半导体器件、生物传感等多领域获得全新且广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN114751917A
公开(公告)日:2022-07-15
申请号:CN202210423464.8
申请日:2022-04-21
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D513/04 , C07D517/04 , C07D513/22 , C07D517/22 , C07D487/04 , C07D471/22 , C07D495/22 , C07D491/22 , C07D513/06 , C07D517/06 , C07D487/06 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54 , G01N21/359 , G01N21/64
Abstract: 本发明提供一种近红外发光荧光分子及其制备方法和应用。所述分子以代表化合物,荧光发射峰出现在700~1600nm范围内。X为O,S,Se,Te或N‑R,D21和D22至少一个取自二芳基氨基、芳基桥联的二芳基氨基、9‑咔唑基、9‑芳基‑咔唑基、芳基或杂环芳基并吲哚基中的一种;L11和L12各取自单键、芳基、杂芳基;Ar11,Ar12,Ar13和Ar14各取自芳基、杂芳基;m和n各取自1~4的整数;L21和L22取自双键、芳基、杂芳基;虚线表示所连接的单元可各自独立或成环,成环可经单键、‑O‑,‑S‑,‑C(CH3)2‑,‑C(Ar15)2‑,‑Si(CH3)2‑,‑Si(Ar15)2‑,‑BAr16‑桥联。本发明化合物具有近红外一区和二区光吸收和荧光发射,有更好的热稳定性、更高的光致发光量子效率和更小的ΔΕST及高的反向系间跃迁率。在有机半导体器件、生物传感等领域获得全新广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN106008558A
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201610382531.0
申请日:2016-06-02
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D513/22 , C07D513/04 , C09K11/06 , H01L51/46
CPC classification number: Y02E10/549 , C07D513/22 , C07D513/04 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1037 , C09K2211/1088 , C09K2211/1092 , H01L51/0071
Abstract: 本发明公开了一类基于噻二唑的多环芳烃有机半导体材料及其制备方法,其结构可由通式(I)表示。其中Ar表示芳基、取代芳基、杂环芳基或取代杂环芳基。本发明的杂环衍生物可以通过Suzuki偶联反应、C‑H活化偶联反应、Sonogashira偶联反应、PtCl2催化环化反应和Scholl反应合成。本发明的多环芳烃衍生物不仅具有优良的溶解性和热稳定性,并且具有优异的π共轭骨架,π共轭体系的增加有利于提高相应器件性能,是性能很好的有机半导体材料。
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公开(公告)号:CN111689867B
公开(公告)日:2023-02-10
申请号:CN202010504469.4
申请日:2020-06-05
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07C211/61 , C07C209/10 , C07C213/08 , C07C217/92 , C07C323/36 , C07C319/20 , H10K30/86
Abstract: 本发明公开了一种空穴传输层材料在钙钛矿太阳电池中的应用。这种空穴传输层材料均以螺芴为核,N‑芳基萘胺为四个端基。钙钛矿太阳电池包括衬底、电极、空穴传输层、活性层、电子传输层和电极,其中活性层为传统的甲胺碘化铅(MAPbI)型钙钛矿,空穴传输层为本发明公开的一种基于N‑芳基萘胺的空穴传输层材料。本发明所制备的钙钛矿电池均具有较高的开路电压,较高的短路电流,较高的填充因子,相应的钙钛矿电池能量转换效率最高可达17.33%,此外,在无掺杂情况下,相应的钙钛矿器件依然具有较高的光电转换效率。本发明的空穴传输材料在钙钛矿制备过程中可溶解于溶剂中最终留在钙钛矿层中形成异质结结构,从而提高空穴的抽取效率且降低空穴‑电子复合的几率,N‑芳基萘胺的引入提升了器件稳定性。
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公开(公告)号:CN108558881B
公开(公告)日:2020-12-01
申请号:CN201810554675.9
申请日:2018-05-31
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D471/22 , C07D495/22 , C09K11/06 , H01L51/54
Abstract: 本发明揭示了一种苝酰亚胺稠合扭曲多环芳烃半导体材料及其制备方法及应用,本发明高度扭曲多环芳烃分子可以通过Suzuki偶联反应和光催化氧化脱氢反应或是Scholl氧化脱氢反应合成。本发明通过对苝酰亚胺衍生物稠合形成多环芳烃、引入分子内刚性位阻方法实现多环芳烃分子的高度扭曲,能够有效抑制在溶液、固态薄膜中苝酰亚胺衍生物常见聚集而引起的荧光效率降低等问题;合成方法简单易行、合成产率高、结构可控、易于分离;相关材料能够在有机半导体器件、生物传感等多领域获得全新且广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN109053735A
公开(公告)日:2018-12-21
申请号:CN201810682766.0
申请日:2018-06-27
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D487/04 , H01L51/42 , H01L51/46 , H01L51/48
CPC classification number: C07D487/04 , H01L51/0058 , H01L51/0059 , H01L51/0061 , H01L51/0068 , H01L51/0072 , H01L51/422
Abstract: 本发明揭示了一种基于并吡咯核芳香胺类有机半导体材料及其应用,属于半导体行业存储器技术技术领域。并吡咯核芳香胺类有机半导体材料具有四芳基取代并吡咯核和芳香胺取代基,具高稳定性、有合适能级、高的空穴迁移率、较好的溶解性和成膜性,能够作为空穴传输层材料应用于钙钛矿太阳电池器件中。本发明合成工艺简单、成本低、产物易于纯化,能获得较好的钙钛矿电池器件性能,利于推广和应用。
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公开(公告)号:CN108530466A
公开(公告)日:2018-09-14
申请号:CN201810299053.6
申请日:2018-04-04
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D495/14 , C07D495/22 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明涉及一种多环芳烃有机半导体材料的制备方法,包括以下步骤:3,6-二溴烷基咔唑溶于无水乙醚或四氢呋喃,滴加锂试剂并搅拌,继续滴加芳香醛溶液得到化合物A;化合物A溶于甲苯或二甲苯,加入碘化锌、氰基硼氢化钠,搅拌得到化合物B;化合物B溶于无水乙醇或四氢呋喃,滴加锂试剂并搅拌,然后加入无水甲酰化试剂,搅拌得到化合物C;化合物C溶于甲苯或二甲苯,加入大孔酸性离子交换树脂,搅拌得到咔唑为核的角型多环芳烃有机半导体材料。本发明的有机半导体材料具有高稳定性和较好的溶解性,应用于场效应晶体管器件表现出对膜厚没有依赖的空穴迁移特性,易重复,有利于工业化生产。
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公开(公告)号:CN105400507A
公开(公告)日:2016-03-16
申请号:CN201510673952.4
申请日:2015-10-15
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C09K11/06 , C09K11/02 , C07D519/00 , C07D401/14 , G01N21/64 , A61K49/00
Abstract: 本发明公开了一类基于热致延迟荧光(TADF)有机材料的水溶性长寿命荧光纳米颗粒的制备方法及其时间分辨生物成像应用。其纳米结构如图1所示,CzPy代表的热致延迟荧光分子如通式(I)所示 首先采用一步法合成纯有机TADF小分子材料CzPy,然后快速注射CzPy/卵磷脂-聚乙二醇混合溶液到去离子水中,得到水溶性好、发光强度高、荧光寿命长的CzPy纳米颗粒。对HELA细胞进行染色标记及对斑马鱼血管成像发现这种纳米颗粒的荧光寿命长、细胞和生物毒性低、光谱信号稳定,在细胞或活体成像方面实现时间分辨荧光成像,具有良好的应用前景。
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公开(公告)号:CN105175691A
公开(公告)日:2015-12-23
申请号:CN201510593395.5
申请日:2015-09-17
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一类基于噻吩并芳基吲哚单元的共轭聚合物半导体材料、制备方法及其有机聚合物太阳电池器件应用。其结构如通式(I)所示:其中Ar表示芳基、取代芳基、杂环芳基及取代杂环芳基;R可以是直链烷基或支链烷基;E表示碳原子、氮原子、硅原子等;A表示缺电子的受体单元,一般为缺电子共轭芳香基团。本发明所及的半导体材料具有良好的溶解性、热稳定性和成膜性,较高的迁移率以及高达5.83%的聚合物太阳电池光电转换效率;本发明提供的制备方法所获得的噻吩并芳基吲哚共轭单元及其衍生材料有望在有机太阳能电池、有机场效应晶体管等光电半导体器件领域获得广泛应用。
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公开(公告)号:CN119798286A
公开(公告)日:2025-04-11
申请号:CN202510289676.5
申请日:2025-03-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D519/00 , C09K11/06 , H10K30/50 , H10K30/86 , H10K50/12 , H10K85/50 , H10K85/60 , H10K101/20
Abstract: 本发明公开了一种基于苯并唑环核心的热活化延迟荧光发光材料及其制备方法与应用,属于有机光电半导体技术领域。本发明制备的热活化延迟荧光发光材料,分子中给体单元的结构和组合方式,能有效调控给受体之间电子云重叠,显著影响能级、带隙和三线态激发态能级,改善其单线态和三线态能级差;此外,分子中桥联单元与给体和受体单元之间各自形成二面角,促进和提升了分子堆积、聚集态发光行为。本发明制备的热活化延迟荧光发光材料具有更好的热稳定性、更高的光致发光量子效率和更小的ΔEST及高的反向系间跃迁率,在有机半导体器件、生物和传感等领域具有广泛的应用前景。
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