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公开(公告)号：CN114920752A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210402810.4
申请日：2022-04-18
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D487/22 , C07D471/22 , C07D495/22 , H01L51/46
Abstract: 本发明提供了一种氮杂稠合扭曲多环芳烃半导体材料及其制备方法及应用，所述半导体材料结构通式为所述材料的氮杂高度扭曲多环芳烃分子核心骨架结构主要由芳基并吡咯单元与对称四卤素取代核心单元偶联及后续Scholl氧化脱氢反应等合成。本发明通过将给电子特性的芳基并吲哚稠合形成多环芳烃、引入分子内刚性位阻方法实现多环芳烃分子的高度扭曲，能够有效调控氮杂稠合扭曲多环芳烃在溶液、固态薄膜中堆积行为。合成方法简单易行、合成产率高、结构可控、易于分离；且该材料能够在有机半导体器件、生物传感等多领域获得全新且广泛的应用前景。
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