公开(公告)号：CN113105474A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110397732.9

申请日：2021-04-13

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 赵保敏 ,  丁竹成 ,  汪联辉 ,  李海洋 ,  种彬

IPC: C07D495/14 ,  C07D487/14 ,  C07D495/22 ,  C07D307/91 ,  C07D277/28 ,  C07D333/76 ,  C07D333/54 ,  C07C217/84 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明公开了一种非掺杂空穴传输材料的结构、合成方法及其应用。一种非掺杂型空穴传输材料以N,N‑二芳基‑m‑苯胺基作为外围给电子单元，以2,6,10‑三甲基三亚苯、烷基取代的TRX、N‑TRX和三噻吩并苯、二噻吩并吡咯等为核心构成。本发明还公开了一种非掺杂空穴传输材料作为钙钛矿太阳电池空穴传输层的用途，所述的钙钛矿太阳电池各层包括衬底、电极、空穴传输层、钙钛矿活性层、电子传输层和电极，其中，空穴传输层至少包括一种非掺杂空穴传输材料中的一种或两种以上的混合物。本发明公开的一种非掺杂空穴传输材料具有高迁移率、高稳定性和易于合成等优势，所制备的钙钛矿电池具有光电转换效率高、器件稳定性好的优势。

公开(公告)号：CN114920752A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202210402810.4

申请日：2022-04-18

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 赵保敏 ,  黄维 ,  李海洋 ,  傅妮娜 ,  汪联辉 ,  储兴胜

IPC: C07D487/22 ,  C07D471/22 ,  C07D495/22 ,  H01L51/46

Abstract: 本发明提供了一种氮杂稠合扭曲多环芳烃半导体材料及其制备方法及应用，所述半导体材料结构通式为所述材料的氮杂高度扭曲多环芳烃分子核心骨架结构主要由芳基并吡咯单元与对称四卤素取代核心单元偶联及后续Scholl氧化脱氢反应等合成。本发明通过将给电子特性的芳基并吲哚稠合形成多环芳烃、引入分子内刚性位阻方法实现多环芳烃分子的高度扭曲，能够有效调控氮杂稠合扭曲多环芳烃在溶液、固态薄膜中堆积行为。合成方法简单易行、合成产率高、结构可控、易于分离；且该材料能够在有机半导体器件、生物传感等多领域获得全新且广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN113336660A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202110393068.0

申请日：2021-04-12

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 傅妮娜 ,  李学伟 ,  汪联辉 ,  田梦 ,  李海洋

IPC: C07C225/22 ,  C07C255/42 ,  C07C255/58 ,  C07D221/18 ,  C07D307/91 ,  C09K11/06 ,  H01L51/54 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明揭示了一种热致延迟荧光半导体及其制备方法和应用，该热致延迟荧光材料以含吸电子基的稠环芳烃为分子母核，构建一种新的有机电致发光材料，材料分子具有高的三线态能级、高的PLQY和高的玻璃态转变温度。该热致延迟荧光材料作为发光层发光材料时，由于其三线态能级高，能够促进主体材料向客体材料有效的能量传递，减少能量回传，提高OLED器件的发光效率。该热致延迟荧光材料的HOMO能级高，与空穴注入层、空穴传输层的费米能级匹配性提升，进而使材料分子的空穴注入性能得到提升，同时，分子本身具有的平面刚性骨架有利于电荷传输，能非常高效的降低相关电致发光器件的启亮电压，保持高电流密度下的电流效率等优势。

公开(公告)号：CN111689867B

公开(公告)日：2023-02-10

申请号：CN202010504469.4

申请日：2020-06-05

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 赵保敏 ,  张静 ,  汪联辉 ,  李学伟 ,  丁竹成 ,  李海洋

IPC: C07C211/61 ,  C07C209/10 ,  C07C213/08 ,  C07C217/92 ,  C07C323/36 ,  C07C319/20 ,  H10K30/86

Abstract: 本发明公开了一种空穴传输层材料在钙钛矿太阳电池中的应用。这种空穴传输层材料均以螺芴为核，N‑芳基萘胺为四个端基。钙钛矿太阳电池包括衬底、电极、空穴传输层、活性层、电子传输层和电极，其中活性层为传统的甲胺碘化铅（MAPbI）型钙钛矿，空穴传输层为本发明公开的一种基于N‑芳基萘胺的空穴传输层材料。本发明所制备的钙钛矿电池均具有较高的开路电压，较高的短路电流，较高的填充因子，相应的钙钛矿电池能量转换效率最高可达17.33%，此外，在无掺杂情况下，相应的钙钛矿器件依然具有较高的光电转换效率。本发明的空穴传输材料在钙钛矿制备过程中可溶解于溶剂中最终留在钙钛矿层中形成异质结结构，从而提高空穴的抽取效率且降低空穴‑电子复合的几率，N‑芳基萘胺的引入提升了器件稳定性。

公开(公告)号：CN113402439A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202110392872.7

申请日：2021-04-12

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 赵保敏 ,  李学伟 ,  傅妮娜 ,  汪联辉 ,  田梦 ,  李海洋

IPC: C07D209/34 ,  C07D209/88 ,  C07D401/14 ,  H01L51/46

Abstract: 本发明揭示了一种含异靛化合物的空穴传输材料及其制备方法和应用，该空穴传输材料以含异靛的化合物为核心，在核心上引入烷基链改善溶解性，引入不同的给体基团来调控能级和改善空穴传输能力。合成的空穴传输传输材料成本低并且具有良好的空穴传输能力，在太阳能电池领域中具有较高的应用价值。该空穴传输材料具有良好的空穴传输性能和良好的溶解性，作为空穴传输层应用于钙钛矿太阳能电池中，提高太阳能电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN111689867A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN202010504469.4

申请日：2020-06-05

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 赵保敏 ,  张静 ,  汪联辉 ,  李学伟 ,  丁竹成 ,  李海洋

IPC: C07C211/61 ,  C07C209/10 ,  C07C213/08 ,  C07C217/92 ,  C07C323/36 ,  C07C319/20 ,  H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明公开了一种空穴传输层材料在钙钛矿太阳电池中的应用。这种空穴传输层材料均以螺芴为核，N-芳基萘胺为四个端基。钙钛矿太阳电池包括衬底、电极、空穴传输层、活性层、电子传输层和电极，其中活性层为传统的甲胺碘化铅（MAPbI）型钙钛矿，空穴传输层为本发明公开的一种基于N-芳基萘胺的空穴传输层材料。本发明所制备的钙钛矿电池均具有较高的开路电压，较高的短路电流，较高的填充因子，相应的钙钛矿电池能量转换效率最高可达17.33%，此外，在无掺杂情况下，相应的钙钛矿器件依然具有较高的光电转换效率。本发明的空穴传输材料在钙钛矿制备过程中可溶解于溶剂中最终留在钙钛矿层中形成异质结结构，从而提高空穴的抽取效率且降低空穴-电子复合的几率，N-芳基萘胺的引入提升了器件稳定性。