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公开(公告)号：CN113336660A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110393068.0
申请日：2021-04-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07C225/22 , C07C255/42 , C07C255/58 , C07D221/18 , C07D307/91 , C09K11/06 , H01L51/54 , H01L51/50
Abstract: 本发明揭示了一种热致延迟荧光半导体及其制备方法和应用，该热致延迟荧光材料以含吸电子基的稠环芳烃为分子母核，构建一种新的有机电致发光材料，材料分子具有高的三线态能级、高的PLQY和高的玻璃态转变温度。该热致延迟荧光材料作为发光层发光材料时，由于其三线态能级高，能够促进主体材料向客体材料有效的能量传递，减少能量回传，提高OLED器件的发光效率。该热致延迟荧光材料的HOMO能级高，与空穴注入层、空穴传输层的费米能级匹配性提升，进而使材料分子的空穴注入性能得到提升，同时，分子本身具有的平面刚性骨架有利于电荷传输，能非常高效的降低相关电致发光器件的启亮电压，保持高电流密度下的电流效率等优势。
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公开(公告)号：CN111689867B
公开(公告)日：2023-02-10
申请号：CN202010504469.4
申请日：2020-06-05
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07C211/61 , C07C209/10 , C07C213/08 , C07C217/92 , C07C323/36 , C07C319/20 , H10K30/86
Abstract: 本发明公开了一种空穴传输层材料在钙钛矿太阳电池中的应用。这种空穴传输层材料均以螺芴为核，N‑芳基萘胺为四个端基。钙钛矿太阳电池包括衬底、电极、空穴传输层、活性层、电子传输层和电极，其中活性层为传统的甲胺碘化铅（MAPbI）型钙钛矿，空穴传输层为本发明公开的一种基于N‑芳基萘胺的空穴传输层材料。本发明所制备的钙钛矿电池均具有较高的开路电压，较高的短路电流，较高的填充因子，相应的钙钛矿电池能量转换效率最高可达17.33%，此外，在无掺杂情况下，相应的钙钛矿器件依然具有较高的光电转换效率。本发明的空穴传输材料在钙钛矿制备过程中可溶解于溶剂中最终留在钙钛矿层中形成异质结结构，从而提高空穴的抽取效率且降低空穴‑电子复合的几率，N‑芳基萘胺的引入提升了器件稳定性。
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公开(公告)号：CN113402439A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110392872.7
申请日：2021-04-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D209/34 , C07D209/88 , C07D401/14 , H01L51/46
Abstract: 本发明揭示了一种含异靛化合物的空穴传输材料及其制备方法和应用，该空穴传输材料以含异靛的化合物为核心，在核心上引入烷基链改善溶解性，引入不同的给体基团来调控能级和改善空穴传输能力。合成的空穴传输传输材料成本低并且具有良好的空穴传输能力，在太阳能电池领域中具有较高的应用价值。该空穴传输材料具有良好的空穴传输性能和良好的溶解性，作为空穴传输层应用于钙钛矿太阳能电池中，提高太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN111689867A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010504469.4
申请日：2020-06-05
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07C211/61 , C07C209/10 , C07C213/08 , C07C217/92 , C07C323/36 , C07C319/20 , H01L51/42 , H01L51/46 , H01L51/48
Abstract: 本发明公开了一种空穴传输层材料在钙钛矿太阳电池中的应用。这种空穴传输层材料均以螺芴为核，N-芳基萘胺为四个端基。钙钛矿太阳电池包括衬底、电极、空穴传输层、活性层、电子传输层和电极，其中活性层为传统的甲胺碘化铅（MAPbI）型钙钛矿，空穴传输层为本发明公开的一种基于N-芳基萘胺的空穴传输层材料。本发明所制备的钙钛矿电池均具有较高的开路电压，较高的短路电流，较高的填充因子，相应的钙钛矿电池能量转换效率最高可达17.33%，此外，在无掺杂情况下，相应的钙钛矿器件依然具有较高的光电转换效率。本发明的空穴传输材料在钙钛矿制备过程中可溶解于溶剂中最终留在钙钛矿层中形成异质结结构，从而提高空穴的抽取效率且降低空穴-电子复合的几率，N-芳基萘胺的引入提升了器件稳定性。
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