公开(公告)号：CN116120527A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202310038930.5

申请日：2023-01-13

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 傅妮娜 ,  种彬 ,  赵保敏 ,  汪联辉 ,  李畅

IPC: C08G61/12 ,  A61K41/00 ,  A61K49/00

Abstract: 本发明提供一种近红外共轭聚合物及其制备方法和应用。该聚合物结构以代表化合物。本发明以喹喔啉并噻二唑衍生物为主要结构，使得聚合物具有近红外吸收与发射的同时，还具有高稳定性、高光热转换效率等优点。在在光伏器件、荧光成像、光动力治疗、光热治疗、光声成像等方面极具应用前景。

公开(公告)号：CN114621151A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202210305303.9

申请日：2022-03-25

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 傅妮娜 ,  邹鑫 ,  赵保敏 ,  汪联辉 ,  种彬 ,  田梦

IPC: C07D241/38 ,  C07D471/14 ,  C07D241/42 ,  C07D403/14 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/42 ,  H01L51/46

Abstract: 本发明提供了一种热活化延迟荧光半导体材料及其制备方法与应用，所述半导体材料结构如通式所示X是N或氰基取代的次甲基，D1和D2至少一个取自二芳基氨基、芳基桥联的二芳基氨基、9‑咔唑基、9‑芳基‑咔唑基、芳基或杂环芳基并吲哚基中的一种；R11，R12R21，R22各自独立的取自氢、氘、烷基、芳基、杂芳基等，l、k、m和n取自独立取自0～4的整数且m+n

公开(公告)号：CN113105474A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110397732.9

申请日：2021-04-13

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 赵保敏 ,  丁竹成 ,  汪联辉 ,  李海洋 ,  种彬

IPC: C07D495/14 ,  C07D487/14 ,  C07D495/22 ,  C07D307/91 ,  C07D277/28 ,  C07D333/76 ,  C07D333/54 ,  C07C217/84 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明公开了一种非掺杂空穴传输材料的结构、合成方法及其应用。一种非掺杂型空穴传输材料以N,N‑二芳基‑m‑苯胺基作为外围给电子单元，以2,6,10‑三甲基三亚苯、烷基取代的TRX、N‑TRX和三噻吩并苯、二噻吩并吡咯等为核心构成。本发明还公开了一种非掺杂空穴传输材料作为钙钛矿太阳电池空穴传输层的用途，所述的钙钛矿太阳电池各层包括衬底、电极、空穴传输层、钙钛矿活性层、电子传输层和电极，其中，空穴传输层至少包括一种非掺杂空穴传输材料中的一种或两种以上的混合物。本发明公开的一种非掺杂空穴传输材料具有高迁移率、高稳定性和易于合成等优势，所制备的钙钛矿电池具有光电转换效率高、器件稳定性好的优势。