-
公开(公告)号：CN108912125B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201810682714.3
申请日：2018-06-27
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D487/04 , C07D495/22 , H01L51/44
Abstract: 本发明揭示了一种基于四芳基并吡咯核非富勒烯受体材料及其应用，属于半导体行业有机太阳能电池技术领域。四芳基并吡咯核非富勒烯受体材料具高稳定性、有合适能级、高的载流子迁移率、较好的溶解性和成膜性，能够作为稠环非富勒烯受体应用于有机太阳能电池器件中。本发明涉及材料合成工艺简单、产物易于纯化，能获得较好的有机太阳电池器件性能，利于推广和应用。
-
公开(公告)号：CN110204691B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN201910525833.2
申请日：2019-06-18
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于稠环石墨烯纳米带及制备方法，所述制备方法为：等摩尔量化合物A与化合物B发生Suzuki反应，得聚合物C；聚合物C加入无水三氯化铁的硝基甲烷溶液，发生关环反应，制得石墨烯纳米带；化合物A为双溴代、双碘代或双三氟甲磺酸酯的并五苯衍生物，化合物B为双硼酸和双硼酸酯萘、芘或苝中的一种。本发明采用先合成具有特定关环位点的可溶性共轭聚合物，再氧化脱氢反应关环，制得可溶规整石墨烯纳米带，引入了适当增加溶解性的柔性烷基链，改善了材料的稳定性、溶解性和加工性能。其制备方法简单易行、产率高、结构可控且可设计、易于分离纯化，在有机半导体器件、生物传感等多领域具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN108484885B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201810299092.6
申请日：2018-04-04
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种基于多环芳烃的共轭聚合物的应用，共轭聚合物用于有机场效应晶体管光可编程线性存储器中，有机场效应晶体管光可编程线性存储器包括衬底，在所述衬底的上表面设置有栅电极，在所述栅电极的上表面设置有栅绝缘层，在所述栅绝缘层的上表面设置有共轭聚合物薄膜层，所述共轭聚合物薄膜层的上表面中部具有沟道区域，在所述共轭聚合物薄膜层的上表面位于沟道区域两侧设置有源漏电极。本发明的优点是通过简单的工艺手段使器件既有半导体性能又有存储性能，获得存储容量、开关速度和光响应能力、线性存储能力优异的有机场效应晶体管存储器。
-
公开(公告)号：CN106008558B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201610382531.0
申请日：2016-06-02
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D513/22 , C07D513/04 , C09K11/06 , H01L51/46
Abstract: 本发明公开了一类基于噻二唑的多环芳烃有机半导体材料及其制备方法，其结构可由通式(I)表示。其中Ar表示芳基、取代芳基、杂环芳基或取代杂环芳基。本发明的杂环衍生物可以通过Suzuki偶联反应、C‑H活化偶联反应、Sonogashira偶联反应、PtCl2催化环化反应和Scholl反应合成。本发明的多环芳烃衍生物不仅具有优良的溶解性和热稳定性，并且具有优异的π共轭骨架，π共轭体系的增加有利于提高相应器件性能，是性能很好的有机半导体材料。
-
公开(公告)号：CN108558881A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810554675.9
申请日：2018-05-31
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D471/22 , C07D495/22 , C09K11/06 , H01L51/54
Abstract: 本发明揭示了一种苝酰亚胺稠合扭曲多环芳烃半导体材料及其制备方法及应用，本发明高度扭曲多环芳烃分子可以通过Suzuki偶联反应和光催化氧化脱氢反应或是Scholl氧化脱氢反应合成。本发明通过对苝酰亚胺衍生物稠合形成多环芳烃、引入分子内刚性位阻方法实现多环芳烃分子的高度扭曲，能够有效抑制在溶液、固态薄膜中苝酰亚胺衍生物常见聚集而引起的荧光效率降低等问题；合成方法简单易行、合成产率高、结构可控、易于分离；相关材料能够在有机半导体器件、生物传感等多领域获得全新且广泛的应用前景。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108484885A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810299092.6
申请日：2018-04-04
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种基于多环芳烃的共轭聚合物及其应用，共轭聚合物用于有机场效应晶体管光可编程线性存储器中，有机场效应晶体管光可编程线性存储器包括衬底，在所述衬底的上表面设置有栅电极，在所述栅电极的上表面设置有栅绝缘层，在所述栅绝缘层的上表面设置有共轭聚合物薄膜层，所述共轭聚合物薄膜层的上表面中部具有沟道区域，在所述共轭聚合物薄膜层的上表面位于沟道区域两侧设置有源漏电极。本发明的优点是通过简单的工艺手段使器件既有半导体性能又有存储性能，获得存储容量、开关速度和光响应能力、线性存储能力优异的有机场效应晶体管存储器。
-
公开(公告)号：CN110093152B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201910460375.9
申请日：2019-05-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种长寿命荧光纳米探针及其制备方法和应用。长寿命荧光纳米探针原料包括：(1)客体材料：热活化延迟荧光材料；(2)主体材料；(3)两亲性聚合物材料。采用主客体掺杂的方法制备长寿命热活化延迟荧光纳米探针，得到的荧光纳米探针具有长寿命、显著减弱TTA效应、高荧光量子效率、稳定性好等优点，可以用于生物探针中，扩展了热活化延迟荧光材料的应用范围。
-
公开(公告)号：CN108558881B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201810554675.9
申请日：2018-05-31
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D471/22 , C07D495/22 , C09K11/06 , H01L51/54
Abstract: 本发明揭示了一种苝酰亚胺稠合扭曲多环芳烃半导体材料及其制备方法及应用，本发明高度扭曲多环芳烃分子可以通过Suzuki偶联反应和光催化氧化脱氢反应或是Scholl氧化脱氢反应合成。本发明通过对苝酰亚胺衍生物稠合形成多环芳烃、引入分子内刚性位阻方法实现多环芳烃分子的高度扭曲，能够有效抑制在溶液、固态薄膜中苝酰亚胺衍生物常见聚集而引起的荧光效率降低等问题；合成方法简单易行、合成产率高、结构可控、易于分离；相关材料能够在有机半导体器件、生物传感等多领域获得全新且广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN110093152A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910460375.9
申请日：2019-05-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种长寿命荧光纳米探针及其制备方法和应用。长寿命荧光纳米探针原料包括：(1)客体材料：热活化延迟荧光材料；(2)主体材料；(3)两亲性聚合物材料。采用主客体掺杂的方法制备长寿命热活化延迟荧光纳米探针，得到的荧光纳米探针具有长寿命、显著减弱TTA效应、高荧光量子效率、稳定性好等优点，可以用于生物探针中，扩展了热活化延迟荧光材料的应用范围。
-
公开(公告)号：CN109053735A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810682766.0
申请日：2018-06-27
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D487/04 , H01L51/42 , H01L51/46 , H01L51/48
CPC classification number: C07D487/04 , H01L51/0058 , H01L51/0059 , H01L51/0061 , H01L51/0068 , H01L51/0072 , H01L51/422
Abstract: 本发明揭示了一种基于并吡咯核芳香胺类有机半导体材料及其应用，属于半导体行业存储器技术技术领域。并吡咯核芳香胺类有机半导体材料具有四芳基取代并吡咯核和芳香胺取代基，具高稳定性、有合适能级、高的空穴迁移率、较好的溶解性和成膜性，能够作为空穴传输层材料应用于钙钛矿太阳电池器件中。本发明合成工艺简单、成本低、产物易于纯化，能获得较好的钙钛矿电池器件性能，利于推广和应用。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.017 seconds)
