公开(公告)号：CN108484885B

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201810299092.6

申请日：2018-04-04

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 赵保敏 ,  胡月明 ,  仪明东 ,  傅妮娜 ,  刘书利 ,  黄维

IPC: C08G61/12 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

Abstract: 本发明涉及一种基于多环芳烃的共轭聚合物的应用，共轭聚合物用于有机场效应晶体管光可编程线性存储器中，有机场效应晶体管光可编程线性存储器包括衬底，在所述衬底的上表面设置有栅电极，在所述栅电极的上表面设置有栅绝缘层，在所述栅绝缘层的上表面设置有共轭聚合物薄膜层，所述共轭聚合物薄膜层的上表面中部具有沟道区域，在所述共轭聚合物薄膜层的上表面位于沟道区域两侧设置有源漏电极。本发明的优点是通过简单的工艺手段使器件既有半导体性能又有存储性能，获得存储容量、开关速度和光响应能力、线性存储能力优异的有机场效应晶体管存储器。

公开(公告)号：CN108484885A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201810299092.6

申请日：2018-04-04

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 赵保敏 ,  胡月明 ,  仪明东 ,  傅妮娜 ,  刘书利 ,  黄维

IPC: C08G61/12 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

Abstract: 本发明涉及一种基于多环芳烃的共轭聚合物及其应用，共轭聚合物用于有机场效应晶体管光可编程线性存储器中，有机场效应晶体管光可编程线性存储器包括衬底，在所述衬底的上表面设置有栅电极，在所述栅电极的上表面设置有栅绝缘层，在所述栅绝缘层的上表面设置有共轭聚合物薄膜层，所述共轭聚合物薄膜层的上表面中部具有沟道区域，在所述共轭聚合物薄膜层的上表面位于沟道区域两侧设置有源漏电极。本发明的优点是通过简单的工艺手段使器件既有半导体性能又有存储性能，获得存储容量、开关速度和光响应能力、线性存储能力优异的有机场效应晶体管存储器。

公开(公告)号：CN108530466A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810299053.6

申请日：2018-04-04

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 赵保敏 ,  胡月明 ,  仪明东 ,  傅妮娜 ,  刘书利 ,  黄维

IPC: C07D495/14 ,  C07D495/22 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

Abstract: 本发明涉及一种多环芳烃有机半导体材料的制备方法，包括以下步骤：3,6-二溴烷基咔唑溶于无水乙醚或四氢呋喃，滴加锂试剂并搅拌，继续滴加芳香醛溶液得到化合物A；化合物A溶于甲苯或二甲苯，加入碘化锌、氰基硼氢化钠，搅拌得到化合物B；化合物B溶于无水乙醇或四氢呋喃，滴加锂试剂并搅拌，然后加入无水甲酰化试剂，搅拌得到化合物C；化合物C溶于甲苯或二甲苯，加入大孔酸性离子交换树脂，搅拌得到咔唑为核的角型多环芳烃有机半导体材料。本发明的有机半导体材料具有高稳定性和较好的溶解性，应用于场效应晶体管器件表现出对膜厚没有依赖的空穴迁移特性，易重复，有利于工业化生产。