公开(公告)号：CN105175691B

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201510593395.5

申请日：2015-09-17

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 赵保敏 ,  黄维 ,  李劝 ,  黄红艳 ,  张信珍 ,  傅妮娜

IPC: C08G61/12 ,  H01L51/46

Abstract: 本发明公开了一类基于噻吩并芳基吲哚单元的共轭聚合物半导体材料、制备方法及其有机聚合物太阳电池器件应用。其结构如通式(I)所示：其中Ar表示芳基、取代芳基、杂环芳基及取代杂环芳基；R可以是直链烷基或支链烷基；E表示碳原子、氮原子、硅原子等；A表示缺电子的受体单元，一般为缺电子共轭芳香基团。本发明所及的半导体材料具有良好的溶解性、热稳定性和成膜性，较高的迁移率以及高达5.83％的聚合物太阳电池光电转换效率；本发明提供的制备方法所获得的噻吩并芳基吲哚共轭单元及其衍生材料有望在有机太阳能电池、有机场效应晶体管等光电半导体器件领域获得广泛应用。

公开(公告)号：CN105175691A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510593395.5

申请日：2015-09-17

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 赵保敏 ,  黄维 ,  李劝 ,  黄红艳 ,  张信珍 ,  傅妮娜

IPC: C08G61/12 ,  H01L51/46

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本发明公开了一类基于噻吩并芳基吲哚单元的共轭聚合物半导体材料、制备方法及其有机聚合物太阳电池器件应用。其结构如通式(I)所示：其中Ar表示芳基、取代芳基、杂环芳基及取代杂环芳基；R可以是直链烷基或支链烷基；E表示碳原子、氮原子、硅原子等；A表示缺电子的受体单元，一般为缺电子共轭芳香基团。本发明所及的半导体材料具有良好的溶解性、热稳定性和成膜性，较高的迁移率以及高达5.83％的聚合物太阳电池光电转换效率；本发明提供的制备方法所获得的噻吩并芳基吲哚共轭单元及其衍生材料有望在有机太阳能电池、有机场效应晶体管等光电半导体器件领域获得广泛应用。