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公开(公告)号：CN101625966A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910159324.9
申请日：2009-07-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，在处理对象基板的掩模膜或中间膜上形成满足半导体装置小型化要求的尺寸的用于对蚀刻对象膜进行转印的开口部。该基板处理方法具有开口宽度缩小步骤，在硅基材(50)上依次层叠有非晶碳膜(51)、SiON膜(52)、反射防止膜(53)和光致抗蚀剂层(54)，且光致抗蚀剂层(54)具有使反射防止膜(53)的一部分露出的开口部(55)的晶片(Q)中，通过由作为气体附着系数S为S＝0.1～1.0的沉积性气体的CHF 3 生成的等离子体，使沉积物(66)堆积到光致抗蚀剂膜(54)的开口部(55)的侧壁面上，将开口部(55)的开口宽度缩小至规定宽度。
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公开(公告)号：CN101546685A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910127092.9
申请日：2009-03-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H05H1/46 , H01L21/00 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32027 , H01J37/32091
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体蚀刻方法，使得能够容易且自由地控制被处理基板上的电子密度或者工艺特性的分布特性。该电容耦合型等离子体处理装置在径方向上将上部电极分割成内侧上部电极(60)和外侧上部电极(62)这两个，从2个可变直流电源(80、82)将独立的第一和第二直流电压(VC、VE)同时施加在两个上部电极(60、62)上。通过适当选择这两个直流电压(VC、VE)的组合，能够在各种应用中提高等离子体工艺、蚀刻特性的均匀性。
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公开(公告)号：CN100541720C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200710140293.3
申请日：2003-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/3105 , G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，其特征在于，具有如下工序：将被处理体配置在处理容器内，该被处理体具有蚀刻对象层和有机掩模层，该有机掩模层覆盖所述蚀刻对象层，形成有开口图案，该处理容器包括带有包含Si的物质的露出部的构成部件；向所述处理容器内导入从H2、N2和He构成的群中选择的至少一种处理气体；和等离子体化所述处理气体，等离子体处理所述有机掩模层。
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公开(公告)号：CN101515545A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910009325.5
申请日：2009-02-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/00 , H01J37/32 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01J37/32165
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和方法，其等离子体处理的均匀性控制范围广且不易产生沉积引起的CD不均匀等副作用。等离子体处理装置具有相对配置在腔室内、由外侧电极和内侧电极构成的上部电极以及晶片支撑用的下部电极，下部电极与施加40MHz的第一高频电力的第一高频电源以及施加3.2MHz的第二高频电力的第二高频电源连接，外侧电极和内侧电极分别与施加直流电压的第一直流电压施加电路和第二直流电压施加电路连接，从等离子体生成空间一侧观察上部电极时的外侧电极的频率－阻抗特性为，随着施加给外侧电极的直流电压增加，在40MHz中阻抗减少，在3.2MHz中阻抗增加。
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公开(公告)号：CN101276738A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810086916.8
申请日：2008-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 本田昌伸
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32091 , H01J37/32559 , H01J37/32623 , H01J37/32633 , H01J37/32834
Abstract: 本发明提供一种能够保持长时间地抑制在收容室内流动的直流电流值的降低的等离子体处理装置，该等离子体处理装置(10)包括：收容基板(W)并对其进行蚀刻处理的收容室(11)；向该收容室(11)内的处理空间(PS)供给高频电力的基座(12)；向处理空间(PS)施加直流电压的上部电极板(39)；沿排气流路(18)设置的接地电极(45)；和对处理空间(PS)、排气流路(18)进行排气的排气装置，而且，该等离子体处理装置(10)在收容室(18)内具有遮蔽部件(46)，其被配置成沿排气流介于该排气流和接地电极(45)之间，并且在该遮蔽部件(46)与接地电极(45)之间形成有截面呈长方形的槽状空间(47)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101042989A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200710089425.4
申请日：2007-03-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明公开了一种能够去除接地电极上的绝缘膜的等离子体处理装置。该等离子体处理装置具有：含有处理空间的基板处理室，在该处理空间中，基板被进行等离子体处理；将射频电力施加到处理空间中的RF电极；将DC电压施加到处理空间中的DC电极；以及暴露于处理空间的接地电极。接地电极和RF电极彼此相邻，并且它们之间设有绝缘部，接地电极和RF电极之间的距离被设置在0至10mm的范围中。
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公开(公告)号：CN1557017A
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN02818449.1
申请日：2002-09-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01J37/32623 , H01J37/32688
Abstract: 磁场形成机构21的各个磁体块22，如图3(a)所示，从各个磁体块22的磁极朝向真空室1侧的状态开始，如图3(b)、图3(c)所示，相邻的磁体块22同步反向转动，所以相隔一个的磁体块22就变成同向转动，可以控制在真空室1内形成的半导体晶圆片W的周围的多极磁场的状态。由此，可以容易地根据等离子体处理工艺的种类适当地控制、设定多极磁场的状态，以便进行良好处理。
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公开(公告)号：CN119585850A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380052545.4
申请日：2023-07-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02 , H05H1/46
Abstract: 辅助等离子体处理装置中的工艺性能的提高。等离子体处理系统具备等离子体处理装置、辅助装置以及控制装置，所述辅助装置具有：第一决定部，其构成为基于与处理前基板的构造有关的第一输入、与处理后基板的要求形状有关的第二输入、与所述等离子体处理装置的规格有关的第三输入以及与所述等离子体处理装置的状态有关的第四输入，使用第一机器学习模型来决定用于对所述处理前基板进行处理以使处理后基板的预测形状符合所述处理后基板的要求形状的多个控制参数；以及第二决定部，其构成为基于所决定的多个控制参数、所述第三输入以及所述第四输入，使用第二机器学习模型来决定所述等离子体处理装置的运用条件。
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公开(公告)号：CN113169066B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN201980076470.7
申请日：2019-07-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/302
Abstract: 本发明的基片处理方法包括：提供具有掩模的基片的步骤；在掩模上形成膜的步骤；在膜的表层形成反应层的步骤；和对反应层供给能量来去除反应层的步骤。
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公开(公告)号：CN112585728B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN201980054485.3
申请日：2019-08-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 提供一种处理方法，包括：埋入工序，在形成有凹部的基底膜埋入有机膜；以及蚀刻工序，在所述埋入工序之后，进行蚀刻直到所述基底膜的顶部的至少一部分暴露为止。
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