公开(公告)号：CN101022693B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200710079104.6

申请日：2007-02-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本田昌伸 ,  松井裕

IPC: H05H1/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  B08B7/00

Abstract: 本发明提供一种能够防止在处理室内部件的表面形成氧化膜的基板处理室的洗净方法。在上部电极板(38)的表面附着有反应生成物的等离子体处理装置(10)中，将晶片(W)从基板处理室(11)搬出后，向处理空间(S)导入氧气，将处理空间(S)的压力设定为26.7Pa～80.0Pa，将电极板表面-空间电位差设定为0V，将40MHz的高频电力的大小设定为500W以下，通过40MHz的高频电力生成等离子体而实施干洗处理，进一步向处理空间(S)导入四氟化碳气体，通过40MHz和2MHz的高频电力生成等离子体而实施氧化物除去处理。

公开(公告)号：CN101022693A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200710079104.6

申请日：2007-02-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本田昌伸 ,  松井裕

IPC: H05H1/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  B08B7/00

Abstract: 本发明提供一种能够防止在处理室内部件的表面形成氧化膜的基板处理室的洗净方法。在上部电极板(38)的表面附着有反应生成物的等离子体处理装置(10)中，将晶片(W)从基板处理室(11)搬出后，向处理空间(S)导入氧气，将处理空间(S)的压力设定为26.7Pa～80.0Pa，将电极板表面－空间电位差设定为0eV，将40MHz的高频电力的大小设定为500W以下，通过40MHz的高频电力生成等离子体而实施干洗处理，进一步向处理空间(S)导入四氟化碳气体，通过40MHz和2MHz的高频电力生成等离子体而实施氧化物除去处理。

公开(公告)号：CN100570818C

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200710089425.4

申请日：2007-03-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本田昌伸 ,  松井裕

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  H05H1/00 ,  H01J37/32 ,  H01J37/00

Abstract: 本发明公开了一种能够去除接地电极上的绝缘膜的等离子体处理装置。该等离子体处理装置具有：含有处理空间的基板处理室，在该处理空间中，基板被进行等离子体处理；将射频电力施加到处理空间中的RF电极；将DC电压施加到处理空间中的DC电极；以及暴露于处理空间的接地电极。接地电极和RF电极彼此相邻，并且它们之间设有绝缘部，接地电极和RF电极之间的距离被设置在0至10mm的范围中。

公开(公告)号：CN101042989A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200710089425.4

申请日：2007-03-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本田昌伸 ,  松井裕

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  H05H1/00 ,  H01J37/32 ,  H01J37/00

Abstract: 本发明公开了一种能够去除接地电极上的绝缘膜的等离子体处理装置。该等离子体处理装置具有：含有处理空间的基板处理室，在该处理空间中，基板被进行等离子体处理；将射频电力施加到处理空间中的RF电极；将DC电压施加到处理空间中的DC电极；以及暴露于处理空间的接地电极。接地电极和RF电极彼此相邻，并且它们之间设有绝缘部，接地电极和RF电极之间的距离被设置在0至10mm的范围中。