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公开(公告)号：CN101221529A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710184821.5
申请日：2007-10-29
IPC: G06F11/36
CPC classification number: G06F11/3648
Abstract: 本发明提供一种能够从其他程序处理装置取得程序并执行该程序的程序处理装置。具有：CPU，其执行与程序对应的规定的处理；内部存储器，其存储程序，并存储由CPU执行程序而生成的数据；和数据取得电路，其与外部程序处理装置连接，从外部程序处理装置取得程序，并写入到内部存储器；通过CPU、内部存储器、调试处理电路和数据取得电路集成在同一半导体基板上，由此能够解决上述课题。
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公开(公告)号：CN101170705A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710166803.4
申请日：2007-10-18
Inventor： 铃木章仁
CPC classification number: G10L19/16
Abstract: 一种声音数据处理装置，具备：对声音数据进行解码的DSP(32)；按顺序存储并保持声音数据的为环形缓冲区的缓冲存储器(36)；读出缓冲存储器(36)所保持的声音数据的数据读出控制部(46)；存储并保持从数据读出控制部(46)输入的声音数据的DAC用FIFO(40)或DIT用FIFO(44)；和当DAC用FIFO(40)或DIT用FIFO(44)所保持的声音数据在规定量以下时，向数据读出控制部(46)输出中断信号的DAC(38)或DIT(42)；数据读出处理部(46)如果被输入中断信号，则在写指针的值与读指针的值相等时读出缓冲存储器(36)所保持的声音数据。从而，不会增加存储器容量，减轻DSP的处理负担。
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公开(公告)号：CN101170131A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710161271.5
申请日：2007-09-25
Inventor： 吉田哲哉
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L27/088 , H01L2224/0346 , H01L2224/0401 , H01L2224/05155 , H01L2224/05572 , H01L2224/05644 , H01L2224/1132 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/81207 , H01L2224/81815 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01033 , H01L2924/01037 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/014 , H01L2924/1301 , H01L2924/13034 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 一种半导体装置，在分立半导体的芯片上，已知有将电流路径上的第一电极及第二电极设于半导体衬底的第一主面侧，可进行倒装片安装的结构。但是，由于在衬底内的水平方向上也流过电流，故在衬底为矩形的情况下，存在水平方向上的电流路径增加，电阻增加的问题。将衬底内的水平方向上的电流路径在沿衬底(芯片)的短边的方向上形成。例如采用将成为输入端子侧的元件区域和成为输出端子侧的电流的取出区域沿芯片的短边并列的设计。另外，设置与输入输出端子分别连接的第一凸电极及第二凸电极，将它们沿芯片的短边配置。由此，由于衬底内的水平方向上的电流路径其宽度宽且长度短地形成，故能够降低衬底水平方向上的电阻。
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公开(公告)号：CN101170090A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710166886.7
申请日：2007-10-23
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/3114 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L2224/0401 , H01L2224/05599 , H01L2224/13099 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2924/0001 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/09701 , H01L2924/10156 , H01L2924/15151 , H01L2924/15311 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可靠性高，且可实现更加小型化装置的封装型半导体装置及其制造方法。首先，准备半导体基板(2)，该半导体基板(2)的表面上形成有器件元件(1)和焊盘电极(4)。接着，从半导体基板(2)的背面侧有选择地进行蚀刻，形成开口部(8)。然后，形成覆盖半导体基板(2)的侧面及背面的第二绝缘膜(9)。接着，有选择地除去开口部(8)底部的第一及第二绝缘膜(3、9)，使焊盘电极(4)部分露出。然后，沿半导体基板(2)的侧面形成与露出的焊盘电极(4)电连接的配线层(10)。接着，形成覆盖配线层(10)的电极连接层(11)。然后，形成覆盖半导体基板(2)的背面侧、并在侧壁电极形成区域具有开口部的保护层(12)。最后，在保护层(12)的开口露出的区域形成侧壁电极(13)。
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公开(公告)号：CN101154690A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710153471.6
申请日：2007-09-20
IPC: H01L29/872 , H01L29/861 , H01L23/62
CPC classification number: H01L29/872 , H01L27/0255 , H01L29/0619 , H01L29/063 , H01L29/0692 , H01L29/402 , H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/866
Abstract: 一种半导体装置，现有半导体装置存在肖特基势垒二极管的反倾斜电流过度增大的问题。本发明的半导体装置具有：形成于N型外延层(3)上的P型第一阳极扩散层(5)；按照包围所述第一阳极扩散层(5)的方式形成且杂质浓度比该第一阳极扩散层(5)低的第二阳极区域(9A)；形成于所述外延层(3)的N型阴极扩散层(7A、8A)；所述第一及第二阳极扩散层(5、9A)上形成的肖特基势垒用金属层(14)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101154664A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710161278.7
申请日：2007-09-25
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L27/0255 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/7804 , H01L29/7813 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及绝缘栅型半导体装置。在栅焊盘电极下方设置p+型杂质区域的情况下，p+型杂质区域的端部具有球面状的曲率。当漏－源间反向耐压达到数百伏时，在球面端部就会电场集中，无法得到足够的漏－源间反向耐压。在平面图形中，当增大p+型杂质区域的角部曲率时，则牺牲能够在动作区域配置的晶体管单元的数量。在栅焊盘电极的下方也配置与晶体管单元连续的沟道区域。将位于栅焊盘电极下方的沟道区域固定为源电位。由此，即使不在栅焊盘电极下方整个面设置p+型杂质区域，也能够确保规定的漏－源间反向耐压。此外，在配置于动作区域外周的导电层形成保护二极管。
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公开(公告)号：CN101154663A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710161277.2
申请日：2007-09-25
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L27/0255 , H01L27/0629 , H01L29/0619 , H01L29/4238 , H01L29/7808 , H01L29/7813 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及绝缘栅型半导体装置。在栅焊盘电极下方设置p+型杂质区域的情况下，p+型杂质区域的端部具有球面状的曲率。当漏－源间反向耐压达到数百伏时，在球面状的端部就会电场集中，无法得到足够的漏－源间反向耐压。在平面图形中，当增大p+型杂质区域的角部曲率时，就要牺牲能够在动作区域配置的晶体管单元的数量。在栅焊盘电极下方也配置与晶体管单元连续的沟道区域。将位于栅焊盘电极下方的沟道区域固定为源电位。由此，即使不在栅焊盘电极下方的整个面设置p+型杂质区域，也能够确保规定的漏－源间反向耐压。此外，在栅焊盘电极下方的条状的多晶硅形成保护二极管。
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公开(公告)号：CN101154363A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710148782.3
申请日：2007-09-11
Inventor： 村田勉
CPC classification number: G09G3/3688 , G02F1/13454 , G09G2300/0426
Abstract: 一种在面板基板上具备显示部的显示装置周缘部搭载的长条状显示装置的集成化驱动装置，包括逻辑部(120)、电源电路部(110)和DA变换部(180)。逻辑部(120)包括数字显示数据处理部和生成显示装置所需定时控制信号的定时信号生成部，DA变换部(180)将由数字显示数据处理部得到的数字显示数据变换为模拟数据。电源电路部(110)利用来自定时信号生成部的信号，生成用于显示装置的电源电压。在这种集成化驱动装置的长条形状的长边方向，按照与逻辑部(120)邻接地配置电源电路部(110)和DA变换部(180)的方式，将逻辑部(120)夹在中间分别在其左右配置电源电路部(110)和DA变换部(180)。这样实现搭载于显示装置面板上的集成化驱动装置的布局效率化。
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公开(公告)号：CN101115328A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710136903.2
申请日：2007-07-23
Abstract: 使用了运算放大器的话筒放大器中，有受到在运算放大器的输入端子产生的寄生电容的影响而电容器话筒的话筒灵敏度下降的问题。本发明的话筒放大器包括：电容器话筒(100)，将声音变换成电压信号；运算放大器(101)，反相输入端子被施加来自该电容器话筒的电压信号，正相输入端子被施加直流偏置电压；电容器(103)，连接在该运算放大器的反相输入端子和输出端子之间；以及电阻(104)，连接在所述运算放大器的反相输入端子和输出端子之间。
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公开(公告)号：CN101106363A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710112126.8
申请日：2007-06-19
IPC: H03H17/00
CPC classification number: H03H17/04 , H03H17/0294 , H03H2017/0297
Abstract: 一种滤波处理集成电路，其中包括：存储电路；滤波器系数计算部，其接收对滤波处理中的输出信号的通带进行确定的频率信息，并将基于频率信息计算的滤波器系数设定到存储电路中；和滤波器部，其根据存储电路中设定的滤波器系数，对输入信号实施滤波处理并将输出信号输出。由此，使得为了改变滤波器特性而输入的控制数据的数据量比滤波器系数的数据量少。
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