公开(公告)号：CN101154690A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710153471.6

申请日：2007-09-20

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 菊池修一 ,  大川重明 ,  中谷清史 ,  田中秀治

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/861 ,  H01L23/62

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/402 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/866

Abstract: 一种半导体装置，现有半导体装置存在肖特基势垒二极管的反倾斜电流过度增大的问题。本发明的半导体装置具有：形成于N型外延层(3)上的P型第一阳极扩散层(5)；按照包围所述第一阳极扩散层(5)的方式形成且杂质浓度比该第一阳极扩散层(5)低的第二阳极区域(9A)；形成于所述外延层(3)的N型阴极扩散层(7A、8A)；所述第一及第二阳极扩散层(5、9A)上形成的肖特基势垒用金属层(14)。

公开(公告)号：CN101154689A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710153470.1

申请日：2007-09-20

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 菊池修一 ,  大川重明 ,  中谷清史 ,  田中秀治

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/866 ,  H01L29/861 ,  H01L23/62

CPC classification number: H01L27/0788 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/402 ,  H01L29/47 ,  H01L29/866 ,  H01L29/872

Abstract: 一种半导体装置，现有半导体装置存在肖特基势垒二极管的反倾斜电流过度增大的问题。本发明的半导体装置具有：形成于N型外延层(3)上的P型第一及第二阳极扩散层(5、6)及(7、8)；形成于所述外延层(3)上的N型阴极扩散层(10A、11B)；按照包围所述第一及所述第二阳极扩散层且向所述阴极扩散层侧延伸的方式在所述外延层(3)上形成的P型第三阳极扩散层(9A)；所述第一、第二及第三阳极扩散层上形成的肖特基势垒用金属层(14)。

公开(公告)号：CN101154689B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200710153470.1

申请日：2007-09-20

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 菊池修一 ,  大川重明 ,  中谷清史 ,  田中秀治

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/866 ,  H01L29/861 ,  H01L23/62

CPC classification number: H01L27/0788 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/402 ,  H01L29/47 ,  H01L29/866 ,  H01L29/872

Abstract: 一种半导体装置，现有半导体装置存在肖特基势垒二极管的反倾斜电流过度增大的问题。本发明的半导体装置具有：形成于N型外延层(3)上的P型第一及第二阳极扩散层(5、6)及(7、8)；形成于所述外延层(3)上的N型阴极扩散层(10A、11B)；按照包围所述第一及所述第二阳极扩散层且向所述阴极扩散层侧延伸的方式在所述外延层(3)上形成的P型第三阳极扩散层(9A)；所述第一、第二及第三阳极扩散层上形成的肖特基势垒用金属层(14)。