公开(公告)号：CN105513998A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201510664584.7

申请日：2015-10-14

Applicant: 株式会社佐藤化工机

Inventor： 佐藤谦治 ,  佐藤登 ,  佐藤淳

IPC: H01L21/67 ,  C23F1/08

CPC classification number: H01L21/67075 ,  C23F1/08 ,  H01L21/67086

Abstract: 提供一种基板处理设备和基板处理方法。在对基板实施蚀刻处理的设备和方法中，防止蚀刻液(S)成为高温。将基板(33)浸渍到贮存于处理槽(2)的蚀刻液(S)中来对该基板(33)的端面(33a)进行蚀刻。当打开循环阀(11)来对循环泵(10)进行驱动时，该蚀刻液(S)依次经由循环槽(3)、贮存槽(7)、冷却槽(15)以及均衡槽(23)进行循环。在进行该循环时，向贮存于冷却槽(15)的蚀刻液(S)送入冷却空气(A)来对蚀刻液(S)进行冷却。

公开(公告)号：CN105339183A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201480018775.X

申请日：2014-03-13

Applicant: 东京毅力科创FSI公司

Inventor： 凯文·L·西费灵 ,  威廉·P·尹霍费尔 ,  大卫·德克拉克

IPC: B44C1/22 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67075 ,  G05B19/418 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/4835 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6708

Abstract: 提供了一种用于对用于在处理室中处理晶片的蚀刻溶液进行独立的温度和水合控制的方法和处理系统。所述方法包括：使蚀刻溶液在循环回路中循环；通过从蚀刻溶液中除去水或添加水来使蚀刻溶液保持在水合设定点；使蚀刻溶液保持在低于蚀刻溶液在循环回路中的沸点的温度设定点；以及将蚀刻溶液分配到处理室中以处理晶片。在一个实施方案中，所述分配包括：将蚀刻溶液分配到处理室中靠近晶片的处理区中；将蒸汽引入从处理室中的晶片移除的外部区；以及用蚀刻溶液和蒸汽处理晶片。

公开(公告)号：CN105140167A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510460889.6

申请日：2015-07-28

Applicant: 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 林致远 ,  黄寅虎

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

CPC classification number: H05K3/068 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67103 ,  H05K3/002 ,  H05K3/0085 ,  H05K3/067 ,  H05K2203/10 ,  H05K2203/1105 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/67115 ,  H01L2221/683

Abstract: 本发明公开了一种承载装置、湿法刻蚀设备及其使用方法，其中，该承载装置包括：设置于所述待处理基板下方的承载主体和加热单元，承载主体用于承载所述待处理基板，且使得所述待处理基板呈倾斜放置，加热单元用于对所述待处理基板进行加热，以使得所述待处理基板上由顶部至底部所对应的温度逐渐升高。本发明的技术方案通过在待处理基板下方设置加热单元，以使得待处理基板上由顶部至底部所对应的温度逐渐升高，从而可提高位于待处理基板底部的刻蚀液的刻蚀速率，解决了位于待处理基板底部的刻蚀液因流动交换效率较低而造成刻蚀速率偏低的问题，进而提升了倾斜式湿法刻蚀过程中刻蚀速率的均一性。

公开(公告)号：CN105023865A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201510420064.1

申请日：2015-07-16

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 秦飞 ,  孙敬龙 ,  安彤 ,  陈沛 ,  宇慧平 ,  王仲康 ,  唐亮

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/68 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/67075 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/68

Abstract: 一种大尺寸磨削晶圆表面腐蚀装置，属于半导体制造设备技术领域，其结构简单，操作方便。包括：支脚、回收槽、吸盘支架、吸盘、液体承载部分。回收槽上设有导轨、真空控制开关、废液排放口；吸盘支架内设抽真空管道；液体承载部分包括：滑块、支柱、横梁、导轨梁、移动板、酸液盛放槽、清水盛放槽、排液控制阀门、液体盛放槽固定螺栓。本发明可对磨削晶圆表面任意位置精确定位和进行腐蚀，与人工手动操作相比，较为方便高效，同时避免了人工手工操作受到腐蚀的危险。

公开(公告)号：CN104992916A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201510429608.0

申请日：2015-07-21

Applicant: 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司

Inventor： 郭峰成 ,  罗伟斌 ,  杨宝立

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67075

Abstract: 本发明公开了一种刻蚀液供液装置，包括用于盛装刻蚀液的蚀液瓶、用于导出刻蚀液的输液管，所述蚀液瓶外设有一密封的压力瓶，所述输液管一端位于蚀液瓶内、另一端伸出所述压力瓶，所述蚀液瓶的上方设有与压力瓶连通的空气入口，所述压力瓶分别与一可注入空气的压缩空气接口以及一泄压阀连通。本发明采用压缩空气对蚀液瓶内的液面施加一定的压力，从而使刻蚀液均匀流出，并且还将蚀液瓶与供液系统的其他部分分离开来，维护和使用都十分方便。更进一步还提供了液面检测模块，可以提醒工作人员及时更换蚀液瓶。

公开(公告)号：CN104952699A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510131915.0

申请日：2015-03-25

Applicant: 斯克林集团公司

Inventor： 小林健司 ,  奥谷学

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02052 ,  B08B3/022 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/6704 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明提供能抑制或防止图案的倒塌并使基板的表面良好地干燥的基板处理方法及装置。该方法包括：有机溶剂置换工序，将表面张力比在保持为水平姿势的基板的上表面附着的冲洗液的表面张力低的液体的有机溶剂向基板的上表面供给，以在基板上形成覆盖基板的上表面的有机溶剂的液膜，利用有机溶剂置换冲洗液；基板高温化工序，在形成有机溶剂的液膜后，使基板的上表面到达比有机溶剂的沸点更高的规定的第一温度，由此，在有机溶剂的液膜的整个区域，在有机溶剂的液膜和基板的上表面之间形成有机溶剂的蒸发气体膜，并且使有机溶剂的液膜浮起在有机溶剂的蒸发气体膜的上方；有机溶剂排除工序，将浮起的有机溶剂的液膜从基板的上表面的上方排除。

公开(公告)号：CN102311863B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201110197916.7

申请日：2011-07-11

Applicant: 气体产品与化学公司

Inventor： D·C·塔姆伯利 ,  R·拉玛默希 ,  D·B·瑞内 ,  M·B·饶 ,  G·巴纳吉 ,  G·E·帕里斯

IPC: C10M173/02 ,  B28D5/04

CPC classification number: C11D3/2082 ,  B28D5/0076 ,  C11D1/14 ,  C11D3/044 ,  C11D3/2075 ,  C11D3/30 ,  C11D3/33 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02076 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/78 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/03

Abstract: 本发明涉及晶片切割方法及用于该方法的组合物。本申请公开了一种用于半导体晶片切割的溶液。该溶液在通过锯切切割晶片的中抑制污染残留物可微粒的粘附并减少或消除暴露的金属化区域的腐蚀。所述溶液包含至少一种有机酸和/或其盐；至少一种表面活性剂和/或至少一种碱；和去离子水，该组合物具有等于或大于4的pH。该溶液可进一步包含螯合剂、消泡剂或分散剂。

公开(公告)号：CN104716022A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201410768800.8

申请日：2014-12-11

Applicant: 斯克林集团公司

Inventor： 日野出大辉 ,  太田乔 ,  西东和英

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67115 ,  H01L29/6653 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67075

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，其用于从在表面形成有第1氮化硅膜、并且在所述第1氮化硅膜上层叠有氧化硅膜的基板上除去所述第1氮化硅膜和所述氧化硅膜，其包括：第1磷酸处理工序，向由基板保持单元保持的所述基板供给规定的第1浓度的磷酸水溶液，用该磷酸水溶液处理所述基板，以除去所述第1氮化硅膜；以及第2磷酸处理工序，在所述第1磷酸处理工序之后，接着向所述基板供给低于所述第1浓度的第2浓度的磷酸水溶液，用该磷酸水溶液处理所述基板，以除去所述氧化硅膜。

公开(公告)号：CN104201135A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201410432543.0

申请日：2014-08-28

Applicant: 中航(重庆)微电子有限公司

Inventor： 陈敏 ,  马清杰

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67075 ,  H01L21/6838

Abstract: 本发明提供一种湿法腐蚀装置，所述湿法腐蚀装置包括基座、衬垫和真空发生装置，所述基座内设有与所述真空发生装置相连通的气流通道，所述衬底内设有凹槽，凹槽底部设有与所述气流通道相连通且一一对应的通孔，所述凹槽底部的边缘设有与晶圆边缘弧形区域相吻合的弧形坡面。所述湿法腐蚀装置可以实现对整个所述晶圆背面的腐蚀；可以使得整个所述晶圆的正面与所述衬垫紧密贴合，防止腐蚀液渗入至所述晶圆的正面，有效地保护所述晶圆的正面不与所述腐蚀液相接触；结构简单，操作方便，且制造成本低廉，可以重复使用，大大降低了生产成本。

公开(公告)号：CN104124147A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201310153849.8

申请日：2013-04-27

Applicant: 上海和辉光电有限公司

Inventor： 黄于维 ,  林志明 ,  林信安

IPC: H01L21/306 ,  B08B3/04

CPC classification number: H01L21/67075 ,  B08B11/04

Abstract: 本发明提供一种蚀刻机台及用于清洗该蚀刻机台的结晶的方法。蚀刻机台，其包括：蚀刻室，其包括入口及出口；药液槽，其位于该蚀刻室内，该药液槽内容纳药液；及浓度控制器，其包括补水管路；其中，基板从该蚀刻室的入口进入，被输送至该蚀刻室的出口，该基板在该蚀刻室内的输送过程中与该药液槽内的药液接触，该补水管路能够经由该出口向该药液槽内注水，来自该补水管路的水能够调节该药液槽内药液的浓度，并能够清洗该出口处的药液结晶。本发明可在补水的同时对机台易结晶处，例如形成气帘的出口处，进行清洗，从而增加易结晶处的清洗时间与次数，可有效减少结晶的发生，提高产品合格率。